多晶硅片生產(chǎn)工藝介紹-閱讀頁
2025-05-18 05:21本頁面
【正文】 科學(xué)分析表明，硅原子是按照金剛石結(jié)構(gòu)的形式占據(jù)空間位置（晶格）。金屬導(dǎo)體的電阻率約為 108～ 10－ 6歐姆 絕緣體的電阻率約為 108～ 1020歐姆 電阻率約為 10－ 8～ 107歐姆 本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體 純凈半導(dǎo)體又叫本征半導(dǎo)體，就是指晶體中除了本身原子外，沒有其他雜質(zhì)原子存在。 n型和 p型半導(dǎo)體 雜質(zhì)半導(dǎo)體中以電子導(dǎo)電為主的稱為 n (negative)型半導(dǎo)體 (硅摻磷、砷等 Ⅴ 族元素 )，以空穴導(dǎo)電為主的稱為 p (positive)型半導(dǎo)體 (硅摻硼、鎵等 Ⅲ 族元素 ) 。這稱為光生伏特效應(yīng)。 “硅材料” 硅：臺灣、香港稱為矽，化學(xué)元素符號 Si，相對原子質(zhì)量為 ，在地殼中的含量約占%，主要以二氧化硅和硅酸鹽的形式存在。硬度介于鍺和石英之間。多晶硅片導(dǎo)電類型要求為 P型。 ：半導(dǎo)體中有電子和空穴兩種載流子，在 P型半導(dǎo)體中，空穴是多數(shù)載流子，電子是少數(shù)載流子，那么在 P型半導(dǎo)體中電子就是少子。多晶硅片的少子壽命時間在 ≥2μs。標準控制范圍為 O≤14ppm、 C ≤16ppm。多晶硅塊檢測要求無雜質(zhì)。 20 μm ：隱裂、裂紋、線痕、崩邊、缺口長度、深度等要求（詳見 《 多晶硅片檢驗標準 》 ） 謝 謝！
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