【正文】 N0 阿佛伽得羅常數(shù)（ cm3） ? 另有根據(jù)尚德公司提供的如下計(jì)算數(shù)據(jù)系統(tǒng)和曲 線圖進(jìn)行計(jì)算，采用數(shù)據(jù)和圖表計(jì)算，在實(shí)際應(yīng)用中比較簡(jiǎn)便，在車間生產(chǎn)中目前均采用該計(jì)算方法。并公司在選擇工藝參數(shù)時(shí)既考慮了需要，又根據(jù)現(xiàn)有的設(shè)備具體條件而確定如下工藝參數(shù)： 晶體轉(zhuǎn)速： 12 rpm（ 轉(zhuǎn) /分 ） 坩堝轉(zhuǎn)速： 8 rpm（ 轉(zhuǎn) /分 ） 爐室壓力： 15～ 20乇 化料功率： 過熱 應(yīng)不超過 35 %的引晶 功率 縮徑直徑 ： 3～ ㎜ (17,18 英寸石英坩堝 ) ～ ㎜ (20 英寸石英坩堝 ) 縮徑長(zhǎng)度： ≥ 100㎜。 質(zhì)量目標(biāo)的制訂是根據(jù)現(xiàn)時(shí)太陽能電池對(duì)硅材料質(zhì)量要求和單晶生長(zhǎng)工藝條件而制訂的。 1mm 導(dǎo)電型號(hào) P 型 晶 向 100 電 阻 率 摻硼： 1～ 3Ω .㎝ 摻鎵 :～ 1,2～ 4,3～ 6Ω .㎝ 氧 含 量 〔 O〕 ≤ 1018/㎝ 3 碳 含 量 〔 C〕 ≤ 5 1016/㎝ 3 少子受命 ≥ 10 us 晶體缺陷 無位錯(cuò) 成品率 75 % 關(guān)于黑心片的問題是目前太陽能行業(yè)中最為關(guān)心的話題，但現(xiàn)時(shí)對(duì)其形成原因尚未查明，還沒有獲得消除或降低出現(xiàn)黑心片幾率的有效方法。 （ 7）、 硅單晶生長(zhǎng)工藝流程 復(fù)拉料，堝底料 裝 料 多晶硅，頭尾料 固定籽晶 籽晶 抽 真 空 真空度 檢 漏 漏氣量， 3 分鐘內(nèi) 1Pa Ar 氣（ 40 升 /分） 加熱化料 功率 Kw，時(shí)間 5 小時(shí) 籽晶下降烘烤 溫度穩(wěn)定 引晶溫度，二小時(shí) 待熔接光環(huán)出現(xiàn) 熔 接 ,引晶 引晶速度 ≥ 2 ㎜ /分 φ ～ 4,長(zhǎng)度 ≈ 100 ㎜ 穩(wěn)定 10 分鐘引晶 放 肩 速度 ≈ ～ ㎜ /分 采用平肩 轉(zhuǎn) 肩 速度 ≥ 2 ㎜ /分 控徑精度 177。裝料 ：將配制好的多晶硅料裝入石英坩堝內(nèi)，應(yīng)注意盡量避免帶有比較銳利的塊料棱角頂住石英坩堝內(nèi) 壁，產(chǎn)生的應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致石英坩堝加熱時(shí)破裂。 在加熱過程應(yīng)盡量不要過熱太多，以避免對(duì)石英坩堝造成損傷。如出現(xiàn)這種情況應(yīng)及時(shí)降低堝位，升高溫度使其緩慢烘烤熔化掉。 將熔體的溫度調(diào)節(jié)到拉晶時(shí)所需要的溫度并在此溫度下穩(wěn)定≥ 2 小時(shí)（視加料量而定），在籽晶與熔體熔接前，先將籽晶降到離液面約 35cm 處，使其在該溫度下進(jìn)行烘烤，以減少籽晶與熔體間的溫度差。合適的引 晶溫度，是在籽晶與熔體接觸處會(huì)籽晶作為逐漸出現(xiàn)圓形光環(huán)，而且光環(huán)的尺寸緩慢地?cái)U(kuò)大，逐漸地變得更加明顯，這意味著籽晶表面部分被熔體熔解。 為了使籽晶中的位錯(cuò)充分排除晶體體外， 被廣泛應(yīng)用于 ＜ 100＞和 ＜ 111＞ 晶向的 縮徑三大基本要素為： a、籽晶提升速度要快， b、縮徑要細(xì)（視加量而定），通常為 ～ , c、要有一定的長(zhǎng)度， ≥ 100 ㎜ ， ＜ 100＞和 ＜ 111＞ 晶向主要沿｛ 111｝滑移延伸。任何一個(gè)位錯(cuò)都橫臥在｛ 111｝滑移面上并經(jīng)一定縮頸長(zhǎng)度后會(huì)逐漸被排除到 晶體表面。放肩和轉(zhuǎn)肩： 當(dāng)縮頸達(dá)到足夠長(zhǎng)度，并判斷縮頸部分棱線清晰不斷時(shí)，可采用降低拉速（ ～ mm/分）或采用少許降低溫度的辦法，使細(xì)徑逐漸長(zhǎng)大，直至生長(zhǎng)到所要求的直徑， 該過程稱之為放肩 。目前一般多采用快放肩，以減少切去肩部的損失，提高晶體的利用率。轉(zhuǎn)肩 : 當(dāng)晶體生長(zhǎng)達(dá)到設(shè)定的直徑前，即可開始轉(zhuǎn)肩，因?yàn)檗D(zhuǎn)肩 需要一個(gè)過程，在此過程中晶體仍在長(zhǎng)大。 目前轉(zhuǎn)肩多采用快速提高拉速的辦法來完成。當(dāng)光環(huán)逐漸出現(xiàn)并有將晶體包圍的趨勢(shì)時(shí)，開始逐漸降低拉速，直至光環(huán)將晶體全部包圍住時(shí)，調(diào)整坩堝上升速度，開始升坩堝。 等徑生長(zhǎng)： 單晶進(jìn)入等徑生長(zhǎng)時(shí)，采用等徑系統(tǒng)進(jìn)行控制。等徑精度可達(dá)到177。 單晶在等徑生長(zhǎng)過程中應(yīng)注意對(duì) 晶體生長(zhǎng)界面的控制。保持這種生長(zhǎng)界面不僅有利于單晶生長(zhǎng)，還有利于降低單晶中微缺陷密度。如發(fā)現(xiàn)晶體“斷線”應(yīng)仔細(xì)觀察幾條棱線斷掉的原因，一般認(rèn)為：幾條棱線同時(shí)斷掉，很可能是溫度和熱場(chǎng)不合適，反之則很有可能是雜質(zhì)和其它因素引起的。收尾： 晶體等徑生長(zhǎng)完成后進(jìn)入收尾程序。收尾的作用是避免位錯(cuò)反延伸。如果不采用收尾工藝或收尾失敗，則位錯(cuò)會(huì)沿攀移晶體尾部向上攀移，其長(zhǎng)度通常為晶體的一個(gè)直徑，損失慘重。獲得精確的加工尺寸和完美表面態(tài)的硅片，是人們一直追求的目標(biāo)。 硅片的質(zhì)量是影響太陽能 電池轉(zhuǎn)換效率和加工成本的極為重要因素之一，也代表著本公司整體硅材料的生產(chǎn)水平和形象。如硅片切割由外圓，發(fā)展到內(nèi)圓，而今幾乎所有的硅片生產(chǎn)廠家都采用先進(jìn)的 線切割機(jī)切割生產(chǎn) 硅片，其特點(diǎn)： 采用的線徑尺寸小，切割的錠料損失少， 硅片表面無刀痕等 開方用的 線切割機(jī) (HCTShaping)配有直徑為 ㎜的金屬線，切割速度為 ㎜ /min，一次最多可生產(chǎn) 25 根方錠。 切割用漿液是由牌號(hào) PEG301 硅切削液與粒徑為 1500 井 （ 8μ m） 碳化硅粉 按 ∶ 1 比例 配置而成的。 聚本醇水含量 0. 5 %，導(dǎo)電率 (3)、 質(zhì)量目標(biāo) : （ 4）、 硅片加工工藝技術(shù)流程 ①、 開方錠生產(chǎn)工藝流程 開方錠是經(jīng)過如下工序加工成具有標(biāo)定尺寸的方形錠，是制備硅片的初始硅棒?！?。m) ： 125 X 125 ㎜ T V(181。 20μ m TTV(181。m)： ≤ 50 缺 陷： ≤ 50 缺 陷： 無劃痕，無崩邊，無色斑，線痕 , 無晶面體脫落， 無 裂紋等 成品率： 93 % 硅 棒 固定車床上 熱溶膠，加熱 4200C 線切割，線徑 φ 250181。配棒： 按不同長(zhǎng)度 將兩根晶棒配置成一組，要求每組的出片率大致相同。m，切速 高壓水沖洗 手工剝離 插在片夾里 廢 片 去離子水 溫度 70℃ ， 3min 鼓風(fēng)吹 崩邊、裂紋、色斑、污物、晶面脫落等 消除熱施主 熱 處 理 硅片浸在水槽中 AB 膠 粘在噴沙面上 m的大型線切割機(jī)進(jìn)行切割，切割速度為 ㎜ /min。 。 具體工藝為：將硅錠置放于盛有 NaOH 飽和溶液的腐蝕槽中，在 90～ 1000C溫度下， 腐蝕 8分鐘，表面去除量為 ～ ㎜。 配棒好的每組棒擺放在一起并設(shè)有標(biāo)記。粘棒： 將配置好的硅錠的噴砂面與石英板用 AB 膠在常溫下牢固地粘接在一起。 切割。m，切速為 ㎜ /min。m）。硅片取出后放入水槽內(nèi)，用手工的辦法將膠剝離干凈。裝片（插片）： 帶上手套將去膠片裝入片 籃內(nèi)，以便于對(duì)硅片后續(xù)處理和記數(shù)等。 清洗槽共有 8 個(gè)工位槽，分別為清水槽（一個(gè)工位），放有清洗劑的清洗槽（三個(gè)工位）以及四個(gè)工位的清水槽。清洗所用的水均為去離子水。烘干： 烘干是在鏈?zhǔn)焦娘L(fēng)干燥爐內(nèi)進(jìn)行。 熱處理： 硅片通過熱處理消除體內(nèi)熱施主對(duì)電阻率的影響。 三、 硅片幾何參數(shù)和性能參數(shù)檢測(cè)： 加工好硅片進(jìn)行厚度（ TV），總厚度偏差（ TTV），彎曲度（ BOW）和電阻率等參數(shù)檢測(cè)。根據(jù)電阻率檢測(cè)結(jié)果對(duì)硅片進(jìn)行分檔。 2～ 4Ω .㎝ 。按分檔的硅片進(jìn)行分