【正文】 團(tuán)隊(duì)精神才能保證硅片的最終質(zhì)量。進(jìn)洗料庫(kù)時(shí)，應(yīng)按如下所列要求進(jìn)行檢查和驗(yàn)收。對(duì)石墨，碳?xì)值炔牧系闹饕考? 對(duì)石墨，碳?xì)值炔牧系馁|(zhì)量要求： 石墨和碳?xì)种饕怯米骷訜?，隔熱，保溫?部件材料。 為此作為制備硅單晶用的原材料，在進(jìn)入單晶生長(zhǎng)工序后，對(duì)其表面需要進(jìn)行嚴(yán)格的去污處理（用去離子水沖洗或丙酮和無(wú)水乙醇擦）。該方法也稱 有坩堝法， 為波蘭 科學(xué)家 J Czochralski 于 1918年發(fā)明的， 故又稱 切克拉斯基法，簡(jiǎn)稱為 CZ 法 。 （ 4）、 供單晶 生產(chǎn) 中需要的條件和要求 ① 、單晶爐： 單晶硅棒是在單晶爐內(nèi)生長(zhǎng)的，本公司現(xiàn)有不同型號(hào)和尺寸的，供拉制 6 英寸和供拉制 8英寸單晶的單晶爐共計(jì) 216臺(tái)并全部配有帶過(guò)濾網(wǎng)的 70 型真空機(jī)械泵。 ⑵、由于熱屏對(duì)爐熱的屏蔽使熱場(chǎng)的軸向溫度梯度增大，為提高單晶生長(zhǎng)速度創(chuàng)造條件。配料： 供拉制硅單晶用的有多晶硅料，復(fù)拉料，堝底料頭，尾 料等四種。但用摻鎵硅片制備的太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率衰減現(xiàn)象很小，因此器件廠家（尚德公司）要求提供摻鎵硅片。并公司在選擇工藝參數(shù)時(shí)既考慮了需要，又根據(jù)現(xiàn)有的設(shè)備具體條件而確定如下工藝參數(shù)： 晶體轉(zhuǎn)速： 12 rpm（ 轉(zhuǎn) /分 ） 坩堝轉(zhuǎn)速： 8 rpm（ 轉(zhuǎn) /分 ） 爐室壓力： 15～ 20乇 化料功率： 過(guò)熱 應(yīng)不超過(guò) 35 %的引晶 功率 縮徑直徑 ： 3～ ㎜ (17,18 英寸石英坩堝 ) ～ ㎜ (20 英寸石英坩堝 ) 縮徑長(zhǎng)度： ≥ 100㎜。裝料 ：將配制好的多晶硅料裝入石英坩堝內(nèi)，應(yīng)注意盡量避免帶有比較銳利的塊料棱角頂住石英坩堝內(nèi) 壁，產(chǎn)生的應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致石英坩堝加熱時(shí)破裂。 為了使籽晶中的位錯(cuò)充分排除晶體體外， 被廣泛應(yīng)用于 ＜ 100＞和 ＜ 111＞ 晶向的 縮徑三大基本要素為： a、籽晶提升速度要快， b、縮徑要細(xì)（視加量而定），通常為 ～ , c、要有一定的長(zhǎng)度， ≥ 100 ㎜ ， ＜ 100＞和 ＜ 111＞ 晶向主要沿｛ 111｝滑移延伸。轉(zhuǎn)肩 : 當(dāng)晶體生長(zhǎng)達(dá)到設(shè)定的直徑前，即可開(kāi)始轉(zhuǎn)肩，因?yàn)檗D(zhuǎn)肩 需要一個(gè)過(guò)程，在此過(guò)程中晶體仍在長(zhǎng)大。等徑生長(zhǎng)： 單晶進(jìn)入等徑生長(zhǎng)時(shí)，采用等徑系統(tǒng)進(jìn)行控制。如發(fā)現(xiàn)晶體“斷線”應(yīng)仔細(xì)觀察幾條棱線斷掉的原因，一般認(rèn)為：幾條棱線同時(shí)斷掉，很可能是溫度和熱場(chǎng)不合適，反之則很有可能是雜質(zhì)和其它因素引起的。獲得精確的加工尺寸和完美表面態(tài)的硅片，是人們一直追求的目標(biāo)。硅片表面無(wú)刀痕等 開(kāi)方用的 線切割機(jī) (HCTShaping)配有直徑為 ㎜的金屬線，切割速度為 ㎜ /min，一次最多可生產(chǎn) 25 根方錠。m) ： 125 X 125 ㎜ T V(181。m，切速 高壓水沖洗 手工剝離 插在片夾里 廢 片 去離子水 溫度 70℃ ， 3min 鼓風(fēng)吹 崩邊、裂紋、色斑、污物、晶面脫落等 消除熱施主 熱 處 理 硅片浸在水槽中 AB 膠 粘在噴沙面上 m，切速為 ㎜ /min。 熱處理： 硅片通過(guò)熱處理消除體內(nèi)熱施主對(duì)電阻率的影響。按分檔的硅片進(jìn)行分別包裝。根據(jù)電阻率檢測(cè)結(jié)果對(duì)硅片進(jìn)行分檔。清洗所用的水均為去離子水。硅片取出后放入水槽內(nèi)，用手工的辦法將膠剝離干凈。粘棒： 將配置好的硅錠的噴砂面與石英板用 AB 膠在常溫下牢固地粘接在一起。 m的大型線切割機(jī)進(jìn)行切割，切割速度為 ㎜ /min。m)： ≤ 50 缺 陷： ≤ 50 缺 陷： 無(wú)劃痕，無(wú)崩邊，無(wú)色斑，線痕 , 無(wú)晶面體脫落， 無(wú) 裂紋等 成品率： 93 % 硅 棒 固定車床上 熱溶膠，加熱 4200C 線切割，線徑 φ 250181。 聚本醇水含量 0. 5 %，導(dǎo)電率 (3)、 質(zhì)量目標(biāo) : （ 4）、 硅片加工工藝技術(shù)流程 ①、 開(kāi)方錠生產(chǎn)工藝流程 開(kāi)方錠是經(jīng)過(guò)如下工序加工成具有標(biāo)定尺寸的方形錠，是制備硅片的初始硅棒。如硅片切割由外圓，發(fā)展到內(nèi)圓，而今幾乎所有的硅片生產(chǎn)廠家都采用先進(jìn)的 線切割機(jī)切割生產(chǎn) 硅片，其特點(diǎn)： 收尾的作用是避免位錯(cuò)反延伸。 單晶在等徑生長(zhǎng)過(guò)程中應(yīng)注意對(duì) 晶體生長(zhǎng)界面的控制。當(dāng)光環(huán)逐漸出現(xiàn)并有將晶體包圍的趨勢(shì)時(shí)，開(kāi)始逐漸降低拉速，直至光環(huán)將晶體全部包圍住時(shí)，調(diào)整坩堝上升速度，開(kāi)始升坩堝。放肩和轉(zhuǎn)肩： 當(dāng)縮頸達(dá)到足夠長(zhǎng)度，并判斷縮頸部分棱線清晰不斷時(shí)，可采用降低拉速（ ～ mm/分）或采用少許降低溫度的辦法，使細(xì)徑逐漸長(zhǎng)大，直至生長(zhǎng)到所要求的直徑， 該過(guò)程稱之為放肩 。合適的引 晶溫度，是在籽晶與熔體接觸處會(huì)籽晶作為逐漸出現(xiàn)圓形光環(huán)，而且光環(huán)的尺寸緩慢地?cái)U(kuò)大，逐漸地變得更加明顯，這意味著籽晶表面部分被熔體熔解。在加熱過(guò)程應(yīng)盡量不要過(guò)熱太多，以避免對(duì)石英坩堝造成損傷。 1mm 導(dǎo)電型號(hào) P 型 晶 向 100 電 阻 率 摻硼： 1～ 3Ω .㎝ 摻鎵 :～ 1,2～ 4,3～ 6Ω .㎝ 氧 含 量 〔 O〕 ≤ 1018/㎝ 3 碳 含 量 〔 C〕 ≤ 5 1016/㎝ 3 少子受命 ≥ 10 us 晶體缺陷 無(wú)位錯(cuò) 成品率 75 % 關(guān)于黑心片的問(wèn)題是目前太陽(yáng)能行業(yè)中最為關(guān)心的話題，但現(xiàn)時(shí)對(duì)其形成原因尚未查明，還沒(méi)有獲得消除或降低出現(xiàn)黑心片幾率的有效方法。為保證稱量的精確性，多采用硼和硅母合金的形式摻入。適宜的摻雜元素為硼（ B 和鎵（ Ga）。同時(shí)還要考慮氣流的合理走向，以便減少雜質(zhì)沾污和保證有一個(gè)良好的單晶生長(zhǎng)環(huán)境。導(dǎo)流筒（熱屏）有多層（兩層石墨中間夾一層碳?xì)郑?，單層二種。 該方法的主要特點(diǎn)： a、 設(shè)備相對(duì)簡(jiǎn)單，便于操作和摻雜方便。 ④ 、 廢片的清洗處理工藝流程 廢 片 去污泥 水沖洗 攪拌 去氧化膜 酸 泡 加 HF，攪拌 水沖洗 攪拌，自來(lái)水 在通風(fēng)櫥內(nèi)操作 酸腐蝕 HF+HNO3（ 1﹕ 5），攪拌 沖 洗 電阻 ≥ 10 兆 Ω 去離子水 酸液環(huán)保處理 攪拌 鹼 腐 蝕 KOH，攪拌 水沖洗 電阻 ≥ 10 兆 Ω 去離子水 攪拌 離心熱風(fēng)甩干 烘干溫度 700C， ≥ 1小時(shí) 包 裝 雙層塑料袋封裝 建議： 1 廢片清洗相互沾接，難于清洗干凈。操作人員在進(jìn)入操作間前必 須穿好工作服和工作鞋（膠膠），帶好工作冒，膠皮手套和眼鏡等防護(hù)等。 驗(yàn)收時(shí)特別注意檢察：外形尺寸是否標(biāo)準(zhǔn)，是否存在氣泡，黑點(diǎn)，破損，邊緣損傷等缺陷。 用于制備保溫筒，保溫蓋，爐盤(pán)等部件應(yīng)具有純度比較高和灰分比較少的中粗石墨材料。 表 3 籽晶與籽晶夾頭的材質(zhì)和尺寸 部件名稱 材 料 尺寸（ mm。為此，對(duì) 多晶硅 等 原材料來(lái)源，純度，外觀形貌和后處理工序中物料潔凈處理質(zhì)量等因應(yīng)具有嚴(yán)格的要求并制定出相應(yīng)的廠內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)。 公司 現(xiàn)在有名員工， 從事澳、南京等光伏組件公司都和順大形成了長(zhǎng)年的合作關(guān)系。 順大半導(dǎo)體發(fā)展有限公司太陽(yáng)能用 硅單晶片生產(chǎn)技術(shù) 目 錄 一、 硅片生產(chǎn)工藝中使用的主要原輔材料 拉制單晶用的原輔材料，設(shè)備和部件： 供硅片生產(chǎn)用的原輔材料，設(shè)備和部件： 二、 硅片生產(chǎn)工藝技術(shù) 硅單晶生產(chǎn)部 （ 1）、腐蝕清洗工序生產(chǎn)工藝技術(shù) 對(duì)處理后原材料質(zhì)量要求 （ 2）、腐蝕清洗生產(chǎn)工藝流程 ① 多晶硅塊料，復(fù)拉料和頭，尾料處理工藝流程 ②