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大晶粒多晶硅片及電池片光衰分析-閱讀頁

2025-02-02 18:00本頁面
  

【正文】 11 12變化率 電池片檔位 VocIscFFη ?光衰導致效率、 Voc、 Isc下降 ?短時間光衰, 1~12檔位電池片效率變化差異較小 %%%%%%%0 4 8 12 16 20 24效率 光衰時間 /h 2檔 9檔 2檔、 9檔大晶粒多晶硅電池片光衰分析 光衰 24h 14 ?光衰初期,效率下降較明顯 ?24h光衰后, 2檔效率下降 ~%, 9檔效率下降 ~%, 無明顯差異 主要電性能參數(shù)光衰結(jié)果 0 4 8 12 16 20 24Voc/V 光衰時間 /h 0 4 8 12 16 20 24Isc/A 光衰時間 /h 00 4 8 12 16 20 24Irev2/A 光衰時間 /h 77780 4 8 12 16 20 24FF/% 光衰時間 /h ?光衰初期, Voc、 Isc下降較明顯 結(jié)論 大晶粒多晶硅片電阻率越高,少子壽命光衰越嚴重; 大晶粒多晶硅片電阻率高,少子壽命高; 光衰初期,各檔位大晶粒多晶硅電池片效率衰減差異較?。? 24h光衰,低效與高效大晶粒多晶硅電池片效率衰減無明顯差異; 光衰主要導致 Voc、 Isc明顯下降
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