大晶粒多晶硅片及電池片光衰分析(編輯修改稿)
2025-02-14 18:00 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 少子壽命 ~ μs ?24h光衰后，少子壽命下降 ~26% V級(jí)大顆粒多晶硅片光衰減 WT2022少子壽命圖 7 ?制絨片 ~~ ?光衰 2h ~ ?光衰 4h ~ ?光衰 6h ~ ?光衰 8h ~ ?光衰 24h ~ A B ?A區(qū) 電阻率 ~cm 少子壽命 ~ μs ?B區(qū) 電阻率 ~ Ωcm 少子壽命 ~ ?24h光衰后，少子壽命下降 ~33% 單晶硅片光衰減 WT2022少子壽命圖 8 ?制絨片 ~ μs ?光衰 2h ~ μs ?光衰 4h ~ μs ?光衰 6h ~ μs ?光衰 8h ~ μs ?光衰 24h ~ μs A B ?A區(qū) 電阻率 ~cm 少子壽命 ~ ?B區(qū) 電阻率 ~ Ωcm 少子壽命 ~ μs ?24h光衰后，少子壽命下降 ~24% 電阻率和少子壽命隨光衰時(shí)間變化曲線 9 10 4 8 12 16 20 24電阻率Ωcm 光衰時(shí)間 /h 0 4 8 12 16 20 24少子壽命/μs 光衰時(shí)間 /h ?V級(jí)大晶粒多晶硅片電阻率最高，少子壽命最長(zhǎng)。 ?常溫暗室放置 20h，少子壽命上升，由于 Fe含量較高所致 電阻率 少子壽命
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