大晶粒多晶硅片及電池片光衰分析-資料下載頁
2025-01-18 18:00本頁面
【正文】 cIscFFη ?光衰導致效率、 Voc、 Isc下降 ?短時間光衰， 1~12檔位電池片效率變化差異較小 %%%%%%%0 4 8 12 16 20 24效率 光衰時間 /h 2檔 9檔 2檔、 9檔大晶粒多晶硅電池片光衰分析 光衰 24h 14 ?光衰初期，效率下降較明顯 ?24h光衰后， 2檔效率下降 ~%， 9檔效率下降 ~%， 無明顯差異 主要電性能參數(shù)光衰結(jié)果 0 4 8 12 16 20 24Voc/V 光衰時間 /h 0 4 8 12 16 20 24Isc/A 光衰時間 /h 00 4 8 12 16 20 24Irev2/A 光衰時間 /h 77780 4 8 12 16 20 24FF/% 光衰時間 /h ?光衰初期， Voc、 Isc下降較明顯 結(jié)論 大晶粒多晶硅片電阻率越高，少子壽命光衰越嚴重； 大晶粒多晶硅片電阻率高，少子壽命高； 光衰初期，各檔位大晶粒多晶硅電池片效率衰減差異較?。? 24h光衰，低效與高效大晶粒多晶硅電池片效率衰減無明顯差異； 光衰主要導致 Voc、 Isc明顯下降。 16 17 Thank you
教學課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1