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正文內(nèi)容

多晶硅片生產(chǎn)工藝介紹(參考版)

2025-05-06 05:21本頁(yè)面
  

【正文】 : 156*156mm( 8寸) : 200177。 :在鑄造多晶過(guò)程中,包括原料狀況、多晶爐熱場(chǎng)材料等往往會(huì)帶來(lái)大塊的雜質(zhì),這些雜質(zhì)的存在會(huì)嚴(yán)重影響后續(xù)切片的效果,而且?jiàn)A雜的硅片光電轉(zhuǎn)換效率特別低,一般有雜質(zhì)的硅塊直接去除。 、氧含量:在鑄造多晶過(guò)程中,由于外在的諸多因素,造成多晶鑄錠后碳、氧含量不合格,直接影響后續(xù)電池片的轉(zhuǎn)換效率,一般多晶硅錠頂部碳含量較高,底部氧含量較高。少子在受到外界光、電等刺激情況下所產(chǎn)生的附加電子和空穴瞬間復(fù)合到消失的時(shí)間即為少子壽命。 :多晶鑄錠時(shí)摻入一定雜質(zhì)(多晶中統(tǒng)稱母合金)以控制電阻率,電阻率控制的是均勻度,電阻率均勻度包括縱向均勻度、斷面均勻度、微區(qū)均勻度,多晶硅片的電阻率控制在。 硅材料的一些技術(shù)參數(shù) 命 晶體缺陷 、氧含量 四、多晶硅片生產(chǎn)技術(shù)指標(biāo) :由摻入的施主或受主雜質(zhì)決定, P型多摻硼, N型多摻磷。 灰色金屬光澤,密度 ,熔點(diǎn)1410℃ ,沸點(diǎn) 2355℃ ,溶于氫氟酸和硝酸的混算中,不溶于水、硝酸和鹽酸。 太陽(yáng)能電池就是利用光生伏特效應(yīng)制成的。 半導(dǎo)體的性質(zhì) 電阻率隨溫度的增加而減?。ǚQ為負(fù)溫度系數(shù))
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