多晶硅片生產(chǎn)工藝介紹-wenkub.com
2025-04-30 05:21 本頁面
【正文】 多晶硅塊檢測要求無雜質。多晶硅片的少子壽命時間在 ≥2μs。多晶硅片導電類型要求為 P型。 “硅材料” 硅：臺灣、香港稱為矽，化學元素符號 Si，相對原子質量為 ，在地殼中的含量約占%，主要以二氧化硅和硅酸鹽的形式存在。 n型和 p型半導體 雜質半導體中以電子導電為主的稱為 n (negative)型半導體 (硅摻磷、砷等 Ⅴ 族元素 )，以空穴導電為主的稱為 p (positive)型半導體 (硅摻硼、鎵等 Ⅲ 族元素 ) 。電阻率約為 10－ 8～ 107歐姆 金屬導體的電阻率約為 108～ 10－ 6歐姆 它的顯著特點是對溫度、雜質和光照等外界作用十分的敏感。長晶的方向為向上生長，熱流方向向下，如右圖所示。浙江光普能源有限公司 多晶硅片生產(chǎn)工藝介紹 多晶硅片生產(chǎn)技術部 目錄 一、光伏產(chǎn)業(yè)鏈 二、多晶硅片生產(chǎn)流程 三、半導體和硅材料 四、多晶硅片生產(chǎn)技術指標（簡介） 一、光伏產(chǎn)業(yè)鏈 “晶體硅原料生產(chǎn)” +“硅棒 /硅錠生產(chǎn)”為光伏產(chǎn)業(yè)鏈上游；“太陽能電池制造” +“組件生產(chǎn)” +“光伏產(chǎn)品生產(chǎn)”為光伏產(chǎn)業(yè)鏈中游；“光伏發(fā)電系統(tǒng)”為光伏產(chǎn)業(yè)鏈下游。 硅錠經(jīng)剖方后進行少子壽命、電阻率、雜質等的檢測，如左圖所示，為硅塊的少子壽
教學課件相關推薦
鄂ICP備17016276號-1