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正文內(nèi)容

多晶硅生產(chǎn)工藝流程(參考版)

2024-08-21 17:35本頁(yè)面
  

【正文】 氣態(tài)混合物的分離是復(fù)雜的、耗能量大的,從某種程度上決定了多晶硅的成本和該3工藝的競(jìng)爭(zhēng)力。剩余部分同Н2,НС1,SiНС13,SiC14從反應(yīng)容器中分離。多晶硅的反應(yīng)容器為密封的,用電加熱硅池硅棒(直徑510毫米,數(shù)量80根),在10501100度在棒上生長(zhǎng)多晶硅,直徑可達(dá)到150200毫米。(4)凈化后的三氯氫硅采用高溫還原工藝,以高純的SiHCl3在H2氣氛中還原沉積而生成多晶硅。(3)第二步驟中產(chǎn)生的氣態(tài)混合物還需要進(jìn)一步提純,需要分解:過(guò)濾硅粉,冷凝SiНС13,SiC14,而氣態(tài)Н2,
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