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正文內(nèi)容

改良西門(mén)子法生產(chǎn)多晶硅工藝流程(參考版)

2024-11-12 00:15本頁(yè)面
  

【正文】 。沉清液和濾液主要為硝酸鈣溶液,經(jīng)蒸發(fā)、濃縮后,做副產(chǎn)品外售。 15. 工藝廢料處理工序 ① Ⅰ類廢液處理 來(lái)自氯化氫合成工序負(fù)荷調(diào)整、事故泄放廢氣處理廢液、停爐清洗廢水、廢氣殘液處理工序洗滌塔洗滌液和廢硅粉處理的含酸廢液在此工序進(jìn)行混合、中和、沉清后,經(jīng)過(guò)壓濾機(jī) 過(guò)濾,濾渣(主要為SiO2)送水泥廠生產(chǎn)水泥。洗滌完成后,經(jīng)壓濾機(jī)過(guò)濾,廢渣送干燥機(jī)干燥,干燥后的硅粉返回到三氯氫硅合成循環(huán)使用,廢液匯入廢氣殘液處理系統(tǒng)廢水一并處理。洗滌后氣體經(jīng)除濕后,再通過(guò)固體吸附法(以非貴重金屬為催化劑)將氣體中剩余NOx用SDG吸附劑吸附,然后經(jīng)20m高度排氣筒排放。 ③ 酸性廢氣 硅芯制備和產(chǎn)品整理工序產(chǎn)生的酸性廢氣,經(jīng)集氣罩抽吸至廢氣處理系統(tǒng)。 ② 殘液處理 在精餾塔中排出的、主要含有四氯化硅和聚氯硅烷化合物的釜地殘液以及裝置停車放凈的氯硅烷殘液液體送到本工序加以處理,需要處理的液體被送入殘液收集槽,然后用氮?dú)鈱⒁后w壓出,送入殘液淋洗塔洗滌。 13. 廢氣及殘液處理工序 ① 含氯化氫工藝廢氣凈化 SiHCl3提純工序排放的廢氣、還原爐開(kāi)停車、事故排放廢氣、氯硅烷及氯化氫儲(chǔ)存工序儲(chǔ)罐安全泄放氣、CDI吸附廢氣全部用管道送入廢氣淋洗塔洗滌。酸腐蝕處理過(guò)程中會(huì)有氟化氫和氮氧化物氣體逸出至空氣中,故用風(fēng)機(jī)通過(guò)罩于酸腐蝕處理槽上方的風(fēng)罩抽吸含氟化氫和氮氧化物的空氣,然后將該氣體送往廢氣處理裝置進(jìn)行處理,達(dá)標(biāo)排放。 12. 產(chǎn)品整理工序 在還原爐內(nèi)制得的多晶硅棒被從爐內(nèi)取下,切斷、破碎成塊狀的多晶硅。硅芯制備過(guò)程中,需要用氫氟酸和硝酸對(duì)硅芯進(jìn)行腐蝕處理,再用超純水洗凈硅芯,然 后對(duì)硅芯進(jìn)行干燥。 在氯硅烷分離提純工序3級(jí)精餾塔頂部得到的三氯氫硅、二氯二氫硅的混合液體,在5級(jí)精餾塔底得到的三氯氫硅液體,及在10級(jí)精餾塔底得到的三氯氫硅液體,送至工業(yè)級(jí)三氯氫硅貯槽,液體在槽內(nèi)混合后作為工業(yè)級(jí)三氯氫硅產(chǎn)品外售。 10. 氯硅烷貯存工序 本工序設(shè)置以下貯槽:100m3氯硅烷貯槽、100m3工業(yè)級(jí)三氯氫硅貯槽、100m3工業(yè)級(jí)四氯化硅貯槽、100 m3氯硅烷緊急排放槽等。氫化氣干法分離的原理和流程與三氯氫硅合成氣干法分離工序十分類似。出爐筒夾套的高溫?zé)崴屯鶡崮芑厥展ば?,?jīng)廢熱鍋爐生產(chǎn)水蒸汽而降溫后,循環(huán)回本工序各氫化爐夾套使用。出氫化爐 的含有三氯氫硅、氯化氫和未反應(yīng)的四氯化硅、氫氣的混合氣體,送往氫化氣干法分離工序。 從四氯化硅汽化器來(lái)的四氯化硅與氫氣的混
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