【正文】 125度下數(shù)據(jù)存儲長達10年。，；，包括：，；，包括基本預(yù)備費和漲價預(yù)備費；。第一年在原有芯片、軟件、系統(tǒng)設(shè)備的基礎(chǔ)上，引入研發(fā)設(shè)備；同時通過內(nèi)部調(diào)撥和外部招聘兩種方式配置研發(fā)人員，完成人員的培訓(xùn)；著手對NAND Flash進行升級和研發(fā)。第三年在繼續(xù)對產(chǎn)品進行升級和研發(fā)的基礎(chǔ)上，加快產(chǎn)業(yè)化進程，加大市場推廣力度，盡可能的利用現(xiàn)有產(chǎn)品渠道，同時開拓新市場，擴大市場銷售收入。芯片研發(fā)實驗室主要用作NAND Flash的技術(shù)改造，用于開發(fā)、測試NAND Flash。辦公區(qū)主要用于日常辦公與編寫代碼，以工位、過道、綠化等必要辦公設(shè)施為主。實驗室分別為芯片研發(fā)實驗室、硬件研發(fā)實驗室和軟件研發(fā)實驗室。四、項目建設(shè)場地（一）場地投入本項目場地占地909平方米，主要采用購置的方式。計劃通過購置的方式取得。年平均氣溫10～12攝氏度，全年無霜期180～200天，年平均降雨量600多毫米。冬季盛行偏北風(fēng)；夏季盛行偏南風(fēng)；春多西南風(fēng)，冷空氣前下時則主要為偏北大風(fēng)；秋季為偏南風(fēng)向偏北風(fēng)過渡的季節(jié)。周邊環(huán)境區(qū)位優(yōu)越，交通、通訊、金融便利，水、電、暖、氣供應(yīng)正常。公司作為快閃存儲器先行者，較早研制出低成本、高性能的快閃存儲芯片，在國內(nèi)快閃存儲芯片領(lǐng)域擁有最多的專利數(shù)量，擁有較大的技術(shù)優(yōu)勢和市場優(yōu)勢。公司開發(fā)的可應(yīng)用于SD存儲卡、USB、機頂盒等消費電子產(chǎn)品，也可應(yīng)用于智能手機、平板電腦、智能電視、智能家居等智能化電子產(chǎn)品。經(jīng)過近幾年的發(fā)展，XXX公司積累了較多技術(shù)，具體來說，有如下技術(shù)：SLC技術(shù)在浮置柵極與源極之中的氧化層薄膜更薄，在寫入數(shù)據(jù)時通過對浮置柵極的電荷加電壓，然后透過源極，即可將所儲存的電荷消除，通過這樣的方式，便可儲存1 個信息單元。MLC 通過使用大量的電壓等級，每一個單元儲存兩位或更多的數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)密度比較大。公司在布局管理方面通過研發(fā)方面的積極探索，在芯片單元、位線以及外圍電路設(shè)計方面積累了豐富的技術(shù)，節(jié)約了公司單顆芯片的成本，使得產(chǎn)品具有很好的競爭力。對于移動設(shè)備系統(tǒng)而言降低系統(tǒng)的功耗，能夠延長電池的壽命，降低用戶更換電池的周期，提高系統(tǒng)性能與降低系統(tǒng)開銷，這是一個產(chǎn)品是否具有競爭力的標志?？扉W存儲器擦除和讀寫技術(shù)快閃存儲器擦除技術(shù)和讀寫技術(shù)決定了存儲器重置和代碼讀取和寫入讀取速度。二、項目的技術(shù)特點NAND Flash技術(shù)特點(1) 更先進的工藝、更小的線寬、更大的存儲容量本項目開發(fā)的NAND Flash采用3x/2x nm先進工藝，可實現(xiàn)更大存儲容量。(3) 低比特成本本項目開發(fā)的NAND Flash芯片采用精確控制閾值的MLC技術(shù)，使得一個存儲單元的可以存儲更多位數(shù)據(jù)，在業(yè)內(nèi)處于領(lǐng)先水平。(4) 高效的ECC技術(shù)本項目開發(fā)的NAND Flash實現(xiàn)了以ECC碼字為單位從存儲陣列中讀數(shù)據(jù)或者向存儲陣列中寫數(shù)據(jù)，控制更加簡單，加快了數(shù)據(jù)寫操作的速度。(6) 靈活快速的擦寫方式本項目開發(fā)的NAND Flash支持1位至256位編程，支持4KB/32KB/64KB 的塊擦除和芯片擦除，擦寫方式更加靈活高效。A113標準：高溫存儲標準（二）開發(fā)思路芯片所用的全部IP核均采用獨立研發(fā)的方式獲得，目前已經(jīng)擁有了90nm，65nm芯片完善的設(shè)計技術(shù)。（三）NAND Flash研發(fā)流程公司NAND Flash研發(fā)主要為芯片開發(fā)，研發(fā)流程如下： 圖61 公司NAND Flash研發(fā)流程資料來源：XXX公司資料 2012，10表61 公司NAND Flash研發(fā)流程列表序號流程內(nèi)容1市場需求分析由市場部門提供，市場部門針對外部市場發(fā)展趨勢、發(fā)展方向與市場發(fā)展時間提供前瞻性描述的文檔，市場需求分析需從市場外部和公司內(nèi)部兩方面闡述公司產(chǎn)品研發(fā)方向以指導(dǎo)新產(chǎn)品的研發(fā)。產(chǎn)品需求分析需在產(chǎn)品需求與設(shè)計實現(xiàn)難度方面取得平衡，滿足市場需求分析要求的同時需要進一步指導(dǎo)后繼的設(shè)計工作。5芯片前端設(shè)計由IC設(shè)計組提供，根據(jù)算法與PRD的要求，確定芯片基本結(jié)構(gòu)，包括總線結(jié)構(gòu)、存儲器結(jié)構(gòu)、DSP分布等。6邏輯驗證IC 驗證根據(jù)以上文檔要求，形成驗證策略并創(chuàng)建驗證環(huán)境。7后端設(shè)計對芯片進行布局布圖方面的設(shè)計8驗證主要包括物理驗證及后端仿真驗證，物理驗證包括設(shè)計規(guī)則監(jiān)測、版圖電路一致性檢查和點穴規(guī)則監(jiān)測等確定布圖設(shè)計合理性。9版圖生成利用版圖工具生產(chǎn)版圖，版圖設(shè)計完成以后送交芯片代工商進行生產(chǎn)。由公司提交芯片設(shè)計文件，代工廠進行生產(chǎn)。12推向市場最終形成可以面向銷售的產(chǎn)品。本項目NAND Flash采用2x nm及以上先進制程，也是國內(nèi)最先進的工藝，開發(fā)高傳輸速率和高可靠性的系列產(chǎn)品；最大工作頻率為133MHz、最大數(shù)據(jù)傳輸速率達到532Mbps；支持SPI和ONFI多種接口，滿足系統(tǒng)對多種讀寫擦的要求，實行存儲區(qū)的靈活保護；采用多種技術(shù)提高Flash的耐寫能力，達到甚至超過10萬次擦除/編程，并實現(xiàn)125度下數(shù)據(jù)存儲長達10年。五、項目關(guān)鍵技術(shù)MLC精確控制閾值技術(shù)閾值控制技術(shù)是MLC技術(shù)的核心技術(shù)之一。在MLC技術(shù)中，精確控制閾值技術(shù)可以將浮置刪極電壓細分為更多等級，從而實現(xiàn)一個存儲單元存儲更多位數(shù)的數(shù)據(jù)。預(yù)防過編程技術(shù)NAND Flash的MLC技術(shù)使得每個浮置單元都有確定的閾值，用不同的閾值電壓來實現(xiàn)不同數(shù)據(jù)的存儲。另一方面，NAND進行讀操作時，對選中單元加0V，非選中單元加6V電壓。 高效率、高精度超高壓產(chǎn)生技術(shù)NAND 。因此，為了減少寫入、讀取、擦除數(shù)據(jù)的響應(yīng)時間，NAND ，需要超高壓產(chǎn)生電路來實現(xiàn)。MLC減少串?dāng)_技術(shù)NAND Flash編程時，對被編程存儲單元所在的字線加28V的高電壓，其它未編程字線加12V低電壓，同時對被編程單元所在的位線加0V電壓，其它未編程位線加VDD電壓。ECC檢錯/糾錯技術(shù)本技術(shù)核心是包括檢錯/糾錯電路、鎖存器、校驗電路以及寫緩沖器的ECC校驗?zāi)K，其中檢錯/糾錯電路用于對ECC碼字進行檢錯/糾錯處理，獲得檢錯/糾錯后的數(shù)據(jù)組；鎖存器用于存儲所述檢錯/糾錯后的數(shù)據(jù)組，將所接收的輸入數(shù)據(jù)更新到所述檢錯/糾錯后的數(shù)據(jù)組中的相應(yīng)數(shù)據(jù)位置，形成待寫入數(shù)據(jù)組；校驗電路用于對所述待寫入數(shù)據(jù)組進行實時校驗，生成與所述待寫入數(shù)據(jù)組相應(yīng)的校驗位；以及寫緩沖器用于將所述待寫入數(shù)據(jù)組以及與其相應(yīng)的校驗位寫入到存儲介質(zhì)中。存儲單元的控制柵/浮柵之間的耦合率控制技術(shù)為了獲得更高的單位字節(jié)密度，在迅猛發(fā)展的光刻技術(shù)帶動下，快閃存儲技術(shù)線寬不斷縮小。隨著線寬尺寸的不斷收縮，浮柵單元之間也不斷靠近，由于被俘獲的電子在浮柵內(nèi)部并非固定不動，這也就導(dǎo)致了臨近的單元之間能夠相互影響甚至引起閾值電壓的變化。在未來浮柵型閃存的縮小過程中，存儲單元的控制柵/浮柵之間的耦合率控制技術(shù)能夠確?？刂茤藕透胖g的充分耦合。二、公用輔助設(shè)施本項目所在地建有完善的動力設(shè)施和供應(yīng)能力。（一）供電本項目利用擬在北京市海淀區(qū)，現(xiàn)有供電系統(tǒng)提供項目空調(diào)和照明使用。本項目主要采用生活供水系統(tǒng)。（三）通信公司內(nèi)電話統(tǒng)一接入公司電話機房，同時設(shè)有全公司所需的計算機寬帶局域網(wǎng)系統(tǒng)，管理人員通過微機系統(tǒng)實現(xiàn)對開發(fā)、測試、銷售等環(huán)節(jié)進行監(jiān)控與管理。開發(fā)、測試過程不產(chǎn)生廢氣、廢水和固體廢棄物，對環(huán)境不產(chǎn)生任何污染，屬于環(huán)保、綠色、無害化產(chǎn)業(yè)。遵守所有使用的環(huán)保法規(guī)和許可限制，向員工灌輸有關(guān)環(huán)境問題和責(zé)任的知識。高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)內(nèi)或其他IT企業(yè)較為集中的地段四周設(shè)置環(huán)形道路，滿足消防要求。四、職業(yè)安全全面遵守與職業(yè)安全和健康有關(guān)的法規(guī)。第七章 建設(shè)工期和進度安排一、項目研發(fā)進度1) 本項目開發(fā)2x nm NAND Flash芯片。募集資金到位后，項目立即啟動。4) T+23月T+27月，完成2x nm NAND Flash芯片后端設(shè)計與驗證。6) T+30月T+33月，完成2x nm NAND Flash樣片測試、量產(chǎn)準備工作工作。具體研發(fā)進度見下表表81 NAND Flash芯片研發(fā)進度表項目具體芯片T+1T+2T+31234567891011121314151617181920212223242526272829303132333435362x nm NAND Flash芯片芯片規(guī)格、前端邏輯設(shè)計　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　后端設(shè)計與驗證　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　流片、小批量試產(chǎn)　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　樣片測試、量產(chǎn)準備工作　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　量產(chǎn)　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　資料來源：XXX公司資料2012，10二、市場推廣進度公司一直堅持“以市場為導(dǎo)向”的產(chǎn)品研發(fā)策略，把握市場需求，保持敏銳的嗅覺和快速的反應(yīng)速度，通過技術(shù)的進步創(chuàng)新滿足不同客戶和市場的需求。公司NAND Flash芯片升級的目標客戶主要是原有客戶群，以及行業(yè)內(nèi)相關(guān)的客戶，因此在市場推廣方面不需要做額外的工作，主要在于老客戶的開發(fā)與行業(yè)內(nèi)客戶的拓展。公司在研發(fā)體系內(nèi)部建立了完整的IC 技術(shù)研發(fā)系統(tǒng)，進行技術(shù)和產(chǎn)品交付的流程管理，并由產(chǎn)品研發(fā)系統(tǒng)對外實現(xiàn)以客戶為導(dǎo)向的整體解決方案。公司的產(chǎn)品測試和質(zhì)量管理按照科學(xué)規(guī)范的流程進行，確保項目平穩(wěn)推進，順利實施。通過嚴格的技術(shù)流程和標準，規(guī)范IC設(shè)計的流程及品質(zhì)保證。規(guī)范晶圓生產(chǎn)過程及晶圓QC驗收標準，以保證產(chǎn)品品質(zhì)符合客戶要求。規(guī)范封裝生產(chǎn)過程及封裝產(chǎn)品QC驗收品質(zhì)標準，以保證產(chǎn)品品質(zhì)符合客戶要求，并規(guī)范封裝可靠性要求。規(guī)范測試生產(chǎn)過程品質(zhì)標準，以保證產(chǎn)品品質(zhì)符合客戶要求。規(guī)范最終QC驗收品質(zhì)標準，以保證產(chǎn)品品質(zhì)符合客戶要求。芯片研發(fā)實驗室主要用作NAND Flash的技術(shù)改造，用于開發(fā)、測試NAND Flash。硬件研發(fā)實驗室主要用作NAND Flash硬件解決方案的技術(shù)改造，核心模塊的電路設(shè)計、仿真、測試。表91 項目人力資源配置表崗位人數(shù)芯片研發(fā)實驗室60硬件研發(fā)實驗室30數(shù)據(jù)來源：賽迪顧問整理 2012，10三、人員培訓(xùn)人員培訓(xùn)由公司人力資源部負責(zé)，確定培訓(xùn)內(nèi)容、時間、師資和培訓(xùn)人員。所有培訓(xùn)都納入正常年度培訓(xùn)計劃，并按公司獎勵制度規(guī)定進行考核，考核結(jié)果記入個人業(yè)績檔案。項目總投資構(gòu)成見下表。資金預(yù)算見附表：投資計劃與資金籌措表。辦公場地包括辦公區(qū)、會議室、實驗室作為項目開發(fā)生產(chǎn)基地，以滿足研發(fā)生產(chǎn)工作的順利開展。設(shè)備購置費。表102 設(shè)備購置費用估算表（單位：萬元）序號名稱型號單價數(shù)量總價1工作終端主機聯(lián)想 M6900 38 2工作終端顯示器DELL V19寸 38 3服務(wù)器DELL PowerEdge R710 5 4存儲MD1000 3 5打印機HP M1522 1 6路由器H3C 1 7防火墻Juniper 1 8示波器Agilent MSO9254B 1 9邏輯分析儀Agilent 16803A邏輯分析儀 2 10測試機臺冠中科技 測試機臺 3 11機械手景炎科技 JICAT/603 1 12探針臺UF3000 1 合計 資料來源：XXX公司資料 2012，10軟件購置費表103 軟件購置費用估算表（單位：萬元）序號名稱型號單價數(shù)量總價1WindowsXP操作系統(tǒng)Windows XP Professional ChnSimp CDw/SP338 2辦公軟件Office 2007 Enterprise ChnSimp38 3服務(wù)器OSWindows Server 2003 標準版（3用戶）3 4殺毒軟件瑞星11 5EDACandence11 Synopsis TCADARM Compiler ARM Development Studio 5 合計 資料來源：XXX公司資料 2012，10辦公場地裝修費本項目辦公場地投入預(yù)計909平方米。知識產(chǎn)權(quán)授權(quán)使用費本項目知識產(chǎn)權(quán)授權(quán)使用費是指項目建設(shè)所需要的IP授權(quán)使用費用。試制費用投資本項目研發(fā)需要進行芯片的試制，試制包括數(shù)次工程樣片的試制、正式的芯片流片以及芯片生產(chǎn)出來后的