千赫mosfet感應加熱電源的電路設計-閱讀頁
2025-01-31 10:34本頁面
【正文】 中，Ws是角開關頻率。隨著n從2變化到無窮大，括號中的項在n等于2是取最大值。tDB的大小取決于MOSFET的通斷時間和驅(qū)動電路和功率電路元件的屬性值。MOSFET兩端的電壓振蕩n次諧波分量為：其中，V1,n是V1的n次諧波分量。這種變化是必要的，因為工作線圈的電路參數(shù)在整個加熱回路中各不相同，同時儲能電路的諧振頻率也會由此發(fā)生改變。結(jié)合濾波器ZF和儲能電路的使用，可以減少元件的數(shù)量。顯示了矩形負載電流的基本組成部分。修正后的儲能電路YMOD為：其中QL是工作線圈的負載Q值，Qu是電感的Q值。通過測量電抗器直流分量、線圈兩端的電壓分量、儲能電路諧振阻抗值，工作線圈的Q值由此可以計算。50nF的工作線圈在250KHZ發(fā)生諧振，因此。（波形在低電壓下，充分利用示波器的帶寬而取得）二元并聯(lián)諧振電路的諧振阻抗ZD為：要調(diào)整逆變器的頻率為儲能電路的共振頻率，這一頻率就發(fā)生變化，止動器的直流電流分量也將被監(jiān)視。 A和線圈電壓28V，工作線圈Q值是24。圖9(a)表明，MOSFET的端電壓不受振蕩的影響。對于24v相同的直流母線電壓，圖4(b)中的電流峰值大約是圖9(b)，這是因為如圖8中在這個并聯(lián)諧振頻率下，修正后的儲能電路阻抗值比初始的二元并聯(lián)儲能電路中的阻抗值更低。但通過檢驗，難度就幾乎減半了。電路布局的優(yōu)化問題已減少，因為漏電流波形取決于集總電路元件，而不是導致寄生電感。Ls的估計可以從MOSFET漏源兩端到工作線圈兩端的基本組成元件的工作電壓比。通過監(jiān)視母線電流的最小值，可以得到這個諧振頻率。 在這個頻率條件下，Ls的電抗值要比4CDS的電抗值要低，例如,在140kHz時。 這幾乎與實驗結(jié)果完全相同（見圖9。在圖9（d）可以看出電感L“維持高次諧波的電壓。以這種方式減少振蕩的缺點有：第一，MOSFET的總漏源電容不再是微不足道，而是構成的儲能電路的一部分。這種方法的第二個缺點是在L 的額外損耗，雖然工作中使用了電腦Spice軟件包對電路L和LT在工件中的耦合情況進行軟件仿真分析研究，這個不足對高Q線圈和緊密耦合到負載的工作線圈的影響是非常小的。目前工業(yè)感應加熱電源中，寄生電感是不可缺少，由寄生電感的切換電流造成的振蕩問題，已經(jīng)在上面詳細的進行了闡述。已獲得的實際波形顯示了過濾器的在這一方面的積極效果。參考文獻
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