千赫mosfet感應(yīng)加熱電源的電路設(shè)計-全文預(yù)覽
【正文】 儲能電路中，LT = uH (Q =24) 、L = (Q = 16), CT = 50 nF 、 CDs = 20nF. 電壓和電流如圖9中所示。電路的電壓電流波形如圖4所示。非負(fù)載工作線圈與一個并聯(lián)電容發(fā)生諧振。修改后的振蕩電路如圖8所示。V. 濾波器的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證在商用感應(yīng)加熱裝置中，逆變橋開關(guān)頻率各不相同，因此，儲能電路常常處于諧振狀態(tài)。這個表達(dá)式在n=2時取得的最大值大小取決于tDB和T的大小。并且，濾波器ZF在此開關(guān)頻率下，阻抗值比較小，因此，只有iL的二次和高次諧波分量才能對V1產(chǎn)生可觀的影響效果。濾波器ZF產(chǎn)生的電壓V1，可以假定的認(rèn)為流經(jīng)兩個電路元件，第一個元件是Leff，第二個是集總電容，該電容是儲能電路電容CT串聯(lián)于四個外部相連的漏源電容并聯(lián)組合。和C39。這意味著，在MOSFET上，由流經(jīng)濾波器ZF的開關(guān)負(fù)載電流造成的振蕩將遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過寄生電感切換電流產(chǎn)生振蕩。和L39。C39。串聯(lián)諧振電路的組件是C39。 IV. 濾波器濾波器ZF的目的是要維持承受本身的電壓尖峰，從而保持該電壓尖峰遠(yuǎn)離MOSFET器件。這樣做的好處是，在過濾器使用時，這種方法是不可缺少的無損高Q值組件。齊納管鉗位存在保持導(dǎo)線長度短的問題，就想鉬氧化物壓敏電阻器使用一樣。為了降低MOSFET兩端產(chǎn)生的電壓尖峰，可以使用一個電阻電容緩沖器。每個開關(guān)示意圖如圖2所示，并由兩個并連的晶體管來實(shí)現(xiàn)（類型IRF450）。對iL波形可以用傅里葉級數(shù)表示： （Where—其中）當(dāng)所有開關(guān)接通時，重疊期間必須防止阻塞器開路。MOSFET只有少量的功率損耗（一個500 V 8A 的MOSFET通常為60瓦），這樣一矩形開關(guān)配置必須具備快速切換時間，由此才能有較低的開關(guān)損耗。功率MOSFET的高頻性能、驅(qū)動功率低的特性，可并聯(lián)相對比較容易產(chǎn)生高功率的單位。I. 簡述感應(yīng)加熱技術(shù)具有廣泛的應(yīng)用，使用的電源頻率從50赫茲到幾兆赫。 電路的工作原理進(jìn)行分析，并介紹一種濾波器，用于抑制在寄生電感和漏源電容之間振蕩，同時也指明了如何對過濾器組件進(jìn)行選擇。晶閘管逆變器現(xiàn)已運(yùn)用于頻率為50千赫以上的場合中，電子管振蕩器電源在感應(yīng)加熱應(yīng)用中仍然占主導(dǎo)地位功率MOSFET的出現(xiàn)，導(dǎo)致了高頻率的靜態(tài)電源飛速發(fā)展，將成為電子管振蕩器未來的取代產(chǎn)品[3]。如果要生產(chǎn)出優(yōu)秀成功的晶體管感應(yīng)
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