千赫mosfet感應(yīng)加熱電源的電路設(shè)計(jì)(完整版)
【正文】 電容，其值必須保持自身及典型寄生電感的諧振頻率，低于最低的振蕩電流諧波頻率。該晶體管的（在100℃外殼溫度）最大電壓電流值分別為500 V和8A，對(duì)于開(kāi)關(guān)頻率為125千赫的電路，最大功率輸出的計(jì)算為：最大功率= 為使輸出功率最大，逆變器需要提供儲(chǔ)能電路一個(gè)阻抗，阻抗值的計(jì)算為：對(duì)于5kw供應(yīng)，這意味著提供一個(gè)阻值為的阻抗III. 漏源極振蕩的抑制當(dāng)MOSFET開(kāi)關(guān)關(guān)閉時(shí)，寄生電感儲(chǔ)存的能量將轉(zhuǎn)移到兩個(gè)MOSFET器件S1的漏源電容，流過(guò)CT和MOSFET固有的寄生二極管。圖2所示的是想并聯(lián)諧振感應(yīng)加熱負(fù)載提供的全橋電流反饋逆變器的電路結(jié)構(gòu)。感應(yīng)加熱電源的功率水平和工作頻率范圍關(guān)系顯示于圖 1。圖感應(yīng)加熱電源應(yīng)用的功率大小和工作頻率的關(guān)系近年來(lái)，在靜態(tài)技術(shù)的進(jìn)步所帶來(lái)的發(fā)展，電動(dòng)交流發(fā)電機(jī)，磁電倍頻器被更有效和更便宜的晶閘管逆變器所替代。流經(jīng)儲(chǔ)能電路的iL的電流波形如圖3所示。典型的波形如圖4所示。在振蕩電流通過(guò)的電路中插入濾波器ZF，看起來(lái)像高頻寄生電感感應(yīng)產(chǎn)生的高頻諧波，接在MOSFET兩端的電容的尺寸要適當(dāng)減小。如果ZF是有效地做到這一點(diǎn)，它不應(yīng)該包含電阻成分和Q值較高的有效成分。這個(gè)預(yù)防措施，為了防止在電壓反饋逆變器的變壓器和主變壓器與電容器串聯(lián)時(shí)，直流電壓的飽和。一個(gè)MOSFET器件漏源極之間內(nèi)電容大約為400pF，比漏源極之間外部電容CDS的值要小。漏源電容的總大小是4CDS，因此，Leff和電容的諧振頻率即Wres，Wres的計(jì)算公式為：其中Ws是叫開(kāi)關(guān)頻率。為確保在不同負(fù)載和驅(qū)動(dòng)電路情況下，濾波器能正?？煽康倪\(yùn)行，需要考慮括號(hào)中的這項(xiàng)在最壞的情況。Ls是MOSFET和連接在儲(chǔ)能電路之間的寄生電感。當(dāng)直流電流最低，其中一個(gè)并聯(lián)諧振頻率將反饋給儲(chǔ)能電路。因此，利用修正后的儲(chǔ)能電路，MOSFET開(kāi)關(guān)容量的使用率就提高了30%，并且漏極電流的波形也可以預(yù)測(cè)，將變的更好。在忽略Ls的情況下，通過(guò)使用電腦，修改后的振蕩電路（9）準(zhǔn)許導(dǎo)納軌跡的問(wèn)題已經(jīng)得到解決，較低的并聯(lián)諧振頻率被認(rèn)為是140KHz。修改后的振蕩電路已成功地用于商業(yè)應(yīng)用，如蓋密封，閥門(mén)電極退火和化學(xué)分離工廠。通過(guò)使用濾波器來(lái)抑制振蕩的方法也在上面詳細(xì)的說(shuō)明了，傅里葉函數(shù)變換分析一直作為這種含有濾波器電路結(jié)構(gòu)原理分析的常用方法。），從而支持在圖8提出使用的電路模型。該單位的設(shè)計(jì)也簡(jiǎn)化了，
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