【正文】 逆變器需要提供儲能電路一個阻抗，阻抗值的計算為：對于5kw供應，這意味著提供一個阻值為的阻抗III. 漏源極振蕩的抑制當MOSFET開關(guān)關(guān)閉時，寄生電感儲存的能量將轉(zhuǎn)移到兩個MOSFET器件S1的漏源電容，流過CT和MOSFET固有的寄生二極管。濾波器ZF需要對開關(guān)頻率有最低阻抗，同時對高頻率的諧波有最大阻抗。在MOSFET的漏源極之間連接一個小電容可以克服這個問題。tDB的大小取決于MOSFET的通斷時間和驅(qū)動電路和功率電路元件的屬性值。（波形在低電壓下，充分利用示波器的帶寬而取得）二元并聯(lián)諧振電路的諧振阻抗ZD為：要調(diào)整逆變器的頻率為儲能電路的共振頻率，這一頻率就發(fā)生變化，止動器的直流電流分量也將被監(jiān)視。 在這個頻率條件下，Ls的電抗值要比4CDS的電抗值要低，例如,在140kHz時。已獲得的實際波形顯示了過濾器的在這一方面的積極效果。Ls的估計可以從MOSFET漏源兩端到工作線圈兩端的基本組成元件的工作電壓比。通過測量電抗器直流分量、線圈兩端的電壓分量、儲能電路諧振阻抗值，工作線圈的Q值由此可以計算。由此V1的一個函數(shù)表達式為：其中，Ws是角開關(guān)頻率。其表達式為：從圖5中的濾波器ZF的阻抗軌跡圖可以看出，并聯(lián)諧振頻率為w1，串聯(lián)諧振頻率為w2。在電容和MOSFET要求導線長度短，這并不困難。如果阻塞器和MOSFET的功率損失足夠的小，可以認為是微不足道的，那么可以忽視頻率高出基本頻率值的那部分，儲能電路功率可以表達為： 圖基本的電流反饋逆變器圖儲能電路iL的波形其中，是儲能電路兩端的電壓峰值，并且第10頁100千赫MOSFET感應加熱電源的電路設計摘要——本文關(guān)注的是一個匹配電路設計，該電路為并聯(lián)諧振感應加熱負載提供的全橋電流反饋MOSFET逆變器。 是阻塞器中的電流。與振蕩電流路徑中的其他電感相比，這些導線的電感必須是很小的。由于負載電流是通過ZF切換，對于電路中電流高頻諧波成分，ZF可以通過一個高頻電感Leff表示，并且該濾波器產(chǎn)生的電壓尖峰就是V1，通過Leff切換諧波電流幅值比通過寄生電感的電流更大。圖逆變器的原理圖儲能電路、濾波器、靜態(tài)電感、和外端漏源電容圖逆變器原理圖的儲能電路、濾波器括號中的項的差別是兩個余弦波的幅值大小不同，而不是頻率的差異。另外，工作的線圈的Q值需要