千赫mosfet感應加熱電源的電路設計(編輯修改稿)
2025-02-12 10:34 本頁面
【文章內容簡介】 將導致直流成分的產生和對電容C進行充電，直到超過其擊穿電壓，為克服這個問題，電感L“必須構成并聯(lián)連接的L39。C39。系列組合，從而防止直流電壓在C的出現(xiàn)。這個預防措施，為了防止在電壓反饋逆變器的變壓器和主變壓器與電容器串聯(lián)時，直流電壓的飽和。 電感L的并聯(lián)，意味著濾波器ZF有效阻抗高于串聯(lián)諧振頻率下的C39。和L39。，其表達式為：從圖5中的濾波器ZF的阻抗軌跡圖可以看出，并聯(lián)諧振頻率為w1，串聯(lián)諧振頻率為w2。由于負載電流是通過ZF切換，對于電路中電流高頻諧波成分，ZF可以通過一個高頻電感Leff表示，并且該濾波器產生的電壓尖峰就是V1，通過Leff切換諧波電流幅值比通過寄生電感的電流更大。設計Leff時，其阻抗值應遠大于寄生電感。這意味著，在MOSFET上，由流經濾波器ZF的開關負載電流造成的振蕩將遠遠超過寄生電感切換電流產生振蕩。在MOSFET的漏源極之間連接一個小電容可以克服這個問題。一個MOSFET器件漏源極之間內電容大約為400pF，比漏源極之間外部電容CDS的值要小。因此，在本質上，過濾器ZF是由一個跨接在每個的MOSFET漏源極之間的電容和一個與L39。和C39。組合系列并聯(lián)的諧振電路電感L構成的（見圖6。）。A、電壓振蕩的分析通過對電壓V1和MOSFET兩端的電壓的諧波成分分析，可以很好的理解過濾器的運行性能。濾波器ZF產生的電壓V1，可以假定的認為流經兩個電路元件，第一個元件是Leff，第二個是集總電容，該電容是儲能電路電容CT串聯(lián)于四個外部相連的漏源電容并聯(lián)組合。當橋型電路兩臂上的MOSFET處于導通時，另外兩臂上的漏源電容就與濾波器ZF元件組合系列和儲能電路并行連接。漏源電容的總大小是4CDS，因此，Leff和電容的諧振頻率即Wres，Wres的計算公式為：其中Ws是叫開關頻率。由于儲能電路的阻抗軌跡能在該頻率下達到最大值，在此以后V1的一次諧波分量就會衰減。并且，濾波器ZF在此開關頻率下，阻抗值比較小，因此，只有iL的二次和高次諧波分量才能對V1產生可觀的影響效果。由此V1的一個函數(shù)表達式為：其中，Ws是角開關頻率。圖逆變器的原理圖儲能電路、濾波器、靜態(tài)電感、和外端漏源電容圖逆變器原理圖的儲能電路、濾波器括號中的項的差別是兩個余弦波的幅值大小不同，而不是頻率的差異。隨著n從2變化到無窮大，括號中的項在n等于
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