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千赫mosfet感應(yīng)加熱電源的電路設(shè)計(文件)

2025-02-03 10:34 上一頁面

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【正文】 為400pF,比漏源極之間外部電容CDS的值要小。)。漏源電容的總大小是4CDS,因此,Leff和電容的諧振頻率即Wres,Wres的計算公式為:其中Ws是叫開關(guān)頻率。圖逆變器的原理圖儲能電路、濾波器、靜態(tài)電感、和外端漏源電容圖逆變器原理圖的儲能電路、濾波器括號中的項的差別是兩個余弦波的幅值大小不同,而不是頻率的差異。為確保在不同負(fù)載和驅(qū)動電路情況下,濾波器能正??煽康倪\行,需要考慮括號中的這項在最壞的情況。儲能電路和濾波器ZF的共同作用,避免濾波器ZF不再出現(xiàn)低阻抗的問題,這是因為在加熱周期循環(huán)中,這個值是會發(fā)生變化的。Ls是MOSFET和連接在儲能電路之間的寄生電感。另外,工作的線圈的Q值需要進(jìn)一步的計算。當(dāng)直流電流最低,其中一個并聯(lián)諧振頻率將反饋給儲能電路。圖4(a)和圖9(a)相比,過濾器的摻入提高了晶體管的維持電壓利用率的能力,至少提高了百分之三十。因此,利用修正后的儲能電路,MOSFET開關(guān)容量的使用率就提高了30%,并且漏極電流的波形也可以預(yù)測,將變的更好。Ls可以是波形是在儲能電路的最低并聯(lián)諧振頻率取得的。在忽略Ls的情況下,通過使用電腦,修改后的振蕩電路(9)準(zhǔn)許導(dǎo)納軌跡的問題已經(jīng)得到解決,較低的并聯(lián)諧振頻率被認(rèn)為是140KHz。對于高次諧波成分,電容CT是一個低阻抗,因而在高次諧波電壓情況下,電容CT相對于電感L“的影響作用非常小,如圖示9(e)。修改后的振蕩電路已成功地用于商業(yè)應(yīng)用,如蓋密封,閥門電極退火和化學(xué)分離工廠。清楚地表明,這些波形的振蕩已被消除,并且是通過高效率和有效的方式來實現(xiàn)的。通過使用濾波器來抑制振蕩的方法也在上面詳細(xì)的說明了,傅里葉函數(shù)變換分析一直作為這種含有濾波器電路結(jié)構(gòu)原理分析的常用方法。流經(jīng)4 CDs(IcM)的環(huán)流元件是有MOSFET器件實現(xiàn)的,如果tDB被認(rèn)為是可以忽略的,那么它的均方根的值可以有以下公式計算:單個MOSFET管的電流峰值計算公式為:,作為修改后的儲能電路反饋電流, A,與實驗值相一致(見圖9(b))。),從而支持在圖8提出使用的電路模型。修正后的儲能電路存在兩個并聯(lián)諧振頻率,如圖8所示,務(wù)必要注意較小的那個頻率值。該單位的設(shè)計也簡化了,因為MOSFET的電流波形,等等,都更適合進(jìn)行分析。相比于圖9(b)中的波形,如圖4(b)中MOSFET漏極電流的均方根計算較為困難。修正后的
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