千赫mosfet感應(yīng)加熱電源的電路設(shè)計(jì)(更新版)
【正文】 因?yàn)镸OSFET的電流波形，等等，都更適合進(jìn)行分析。修正后的儲能電路中，LT = uH (Q =24) 、L = (Q = 16), CT = 50 nF 、 CDs = 20nF. 電壓和電流如圖9中所示。非負(fù)載工作線圈與一個并聯(lián)電容發(fā)生諧振。V. 濾波器的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證在商用感應(yīng)加熱裝置中，逆變橋開關(guān)頻率各不相同，因此，儲能電路常常處于諧振狀態(tài)。并且，濾波器ZF在此開關(guān)頻率下，阻抗值比較小，因此，只有iL的二次和高次諧波分量才能對V1產(chǎn)生可觀的影響效果。和C39。和L39。串聯(lián)諧振電路的組件是C39。這樣做的好處是，在過濾器使用時，這種方法是不可缺少的無損高Q值組件。為了降低MOSFET兩端產(chǎn)生的電壓尖峰，可以使用一個電阻電容緩沖器。對iL波形可以用傅里葉級數(shù)表示： （Where—其中）當(dāng)所有開關(guān)接通時，重疊期間必須防止阻塞器開路。功率MOSFET的高頻性能、驅(qū)動功率低的特性，可并聯(lián)相對比較容易產(chǎn)生高功率的單位。 電路的工作原理進(jìn)行分析，并介紹一種濾波器，用于抑制在寄生電感和漏源電容之間振蕩，同時也指明了如何對過濾器組件進(jìn)行選擇。如果要生產(chǎn)出優(yōu)秀成功的晶體管感應(yīng)加熱電源，理解振蕩產(chǎn)生原因，掌握并發(fā)展減少靜態(tài)電路不利影響的方法是至關(guān)重要的。上述5千瓦的逆變器樣機(jī)拓?fù)湟呀ǔ?。這個比例通常為1:5。對于其他的抑制方法，這指的僅僅是寄生電感，但對如上所述過濾器ZF，導(dǎo)線電感應(yīng)當(dāng)比過濾器的有效電感要小。這將導(dǎo)致直流成分的產(chǎn)生和對電容C進(jìn)行充電，直到超過其擊穿電壓，為克服這個問題，電感L“必須構(gòu)成并聯(lián)連接的L39。設(shè)計(jì)Leff時，其阻抗值應(yīng)遠(yuǎn)大于寄生電感。A、電壓振蕩的分析通過對電壓V1和MOSFET兩端的電壓的諧波成分分析，可以很好的理解過濾器的運(yùn)行性能。隨著n從2變化到無窮大，括號中的項(xiàng)在n等于2是取最大值。結(jié)合濾波器ZF和儲能電路的使用，可以減少元件的數(shù)量。50nF的工作線圈在250KHZ發(fā)生諧振，因此。對于24v相同的直流母線電壓，圖4(b)中的電流峰值大約是圖9(b)，這是因?yàn)槿鐖D8中在這個并聯(lián)諧振頻率下，修正后的儲能電路阻抗值比初始的二元并聯(lián)儲能電路中的阻抗值更低。通過監(jiān)視母線電流的最小值，可以得到這個諧振頻率。以這種方式減少振蕩的缺點(diǎn)有：第一，MOSFET的總漏源電容不再是微不足道，而是構(gòu)成的儲能電路的一部分。參考文獻(xiàn)
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