千赫mosfet感應(yīng)加熱電源的電路設(shè)計-wenkub
2023-01-31 10:34:39 本頁面
【正文】 kw供應(yīng)，這意味著提供一個阻值為的阻抗III. 漏源極振蕩的抑制當(dāng)MOSFET開關(guān)關(guān)閉時，寄生電感儲存的能量將轉(zhuǎn)移到兩個MOSFET器件S1的漏源電容，流過CT和MOSFET固有的寄生二極管。如果阻塞器和MOSFET的功率損失足夠的小，可以認(rèn)為是微不足道的，那么可以忽視頻率高出基本頻率值的那部分，儲能電路功率可以表達(dá)為： 圖基本的電流反饋逆變器圖儲能電路iL的波形其中，是儲能電路兩端的電壓峰值，并且圖2所示的是想并聯(lián)諧振感應(yīng)加熱負(fù)載提供的全橋電流反饋逆變器的電路結(jié)構(gòu)。但是，如果要開關(guān)損耗最小化，晶體管必須具備快速切換率，并且當(dāng)設(shè)備于高功率單元并聯(lián)時，可以對最小寄生電感取得實際有效的限制。感應(yīng)加熱電源的功率水平和工作頻率范圍關(guān)系顯示于圖 1。第10頁100千赫MOSFET感應(yīng)加熱電源的電路設(shè)計摘要——本文關(guān)注的是一個匹配電路設(shè)計，該電路為并聯(lián)諧振感應(yīng)加熱負(fù)載提供的全橋電流反饋MOSFET逆變器。圖感應(yīng)加熱電源應(yīng)用的功率大小和工作頻率的關(guān)系近年來，在靜態(tài)技術(shù)的進(jìn)步所帶來的發(fā)展，電動交流發(fā)電機(jī)，磁電倍頻器被更有效和更便宜的晶閘管逆變器所替代。以上兩個因素造成電感產(chǎn)生電壓尖峰，電感和漏源電容之間產(chǎn)生額外的振蕩，這是關(guān)鍵問題所在。流經(jīng)儲能電路的iL的電流波形如圖3所示。 是阻塞器中的電流。典型的波形如圖4所示。選擇一個齊納二極管鉗位電壓峰值MOSFET的將不得不為的鉗位電壓比正常運行時的振蕩電流額定值更低的反向耐壓可能的水平。在振蕩電流通過的電路中插入濾波器ZF，看起來像高頻寄生電感感應(yīng)產(chǎn)生的高頻諧波，接在MOSFET兩端的電容的尺寸要適當(dāng)減小。與振蕩電流路徑中的其他電感相比，這些導(dǎo)線的電感必須是很小的。如果ZF是有效地做到這一點，它不應(yīng)該包含電阻成分和Q值較高的有效成分。在電流反饋逆變器，開關(guān)S1和S2，S3可能在不同的時間導(dǎo)通，這是因為驅(qū)動電路元件特性的不同、MOSFET本身的特性，或驅(qū)動器電路與MOSFET之間導(dǎo)線長度的細(xì)微差別引起的。這個預(yù)防措施，為了防止在電壓反饋逆變器的變壓器和主變壓器與電容器串聯(lián)時，直流電壓的飽和。由于負(fù)載電流是通過ZF切換，對于電路中電流高頻諧波成分，ZF可以通過一個高頻電感Leff表示，并且該濾波器產(chǎn)生的電壓尖峰就是V1，通過Leff切換諧波電流幅值比通過寄生電感的電流更大。一個MOSFET器件漏源極之間內(nèi)電容大約
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