千赫mosfet感應(yīng)加熱電源的電路設(shè)計(jì)-免費(fèi)閱讀
【正文】 目前工業(yè)感應(yīng)加熱電源中，寄生電感是不可缺少，由寄生電感的切換電流造成的振蕩問題，已經(jīng)在上面詳細(xì)的進(jìn)行了闡述。 這幾乎與實(shí)驗(yàn)結(jié)果完全相同（見圖9。電路布局的優(yōu)化問題已減少，因?yàn)槁╇娏鞑ㄐ稳Q于集總電路元件，而不是導(dǎo)致寄生電感。 A和線圈電壓28V，工作線圈Q值是24。修正后的儲能電路YMOD為：其中QL是工作線圈的負(fù)載Q值，Qu是電感的Q值。MOSFET兩端的電壓振蕩n次諧波分量為：其中，V1,n是V1的n次諧波分量。由于儲能電路的阻抗軌跡能在該頻率下達(dá)到最大值，在此以后V1的一次諧波分量就會衰減。因此，在本質(zhì)上，過濾器ZF是由一個跨接在每個的MOSFET漏源極之間的電容和一個與L39。 電感L的并聯(lián)，意味著濾波器ZF有效阻抗高于串聯(lián)諧振頻率下的C39。串聯(lián)諧振電路將滿足以上特定的共振頻率，其諧振頻率的大小在開關(guān)頻率值附近。這形成一個抑制方法，包含由過濾器和電容器的阻斷系列?？梢钥闯?，振蕩通過每個MOSFET漏源極兩端，而沒有在出現(xiàn)的儲能電路。儲能電路具有高Q值，因此它兩端的電壓波形近視為正弦，每個MOSFET兩端的電壓也應(yīng)該是一個理想的對應(yīng)的半正弦波。晶閘管逆變器現(xiàn)已運(yùn)用于頻率為50千赫以上的場合中，電子管振蕩器電源在感應(yīng)加熱應(yīng)用中仍然占主導(dǎo)地位功率MOSFET的出現(xiàn)，導(dǎo)致了高頻率的靜態(tài)電源飛速發(fā)展，將成為電子管振蕩器未來的取代產(chǎn)品[3]。I. 簡述感應(yīng)加熱技術(shù)具有廣泛的應(yīng)用，使用的電源頻率從50赫茲到幾兆赫。MOSFET只有少量的功率損耗（一個500 V 8A 的MOSFET通常為60瓦），這樣一矩形開關(guān)配置必須具備快速切換時間，由此才能有較低的開關(guān)損耗。每個開關(guān)示意圖如圖2所示，并由兩個并連的晶體管來實(shí)現(xiàn)（類型IRF450）。齊納管鉗位存在保持導(dǎo)線長度短的問題，就想鉬氧化物壓敏電阻器使用一樣。 IV. 濾波器濾波器ZF的目的是要維持承受本身的電壓尖峰，從而保持該電壓尖峰遠(yuǎn)離MOSFET器件。C39。這意味著，在MOSFET上，由流經(jīng)濾波器ZF的開關(guān)負(fù)載電流造成的振蕩將遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過寄生電感切換電流產(chǎn)生振蕩。濾波器ZF產(chǎn)生的電壓V1，可以假定的認(rèn)為流經(jīng)兩個電路元件，第一個元件是Leff，第二個是集總電容，該電容是儲能電路電容CT串聯(lián)于四個外部相連的漏源電容并聯(lián)組合。這個表達(dá)式在n=2時取得的最大值大小取決于tDB和T的
環(huán)評公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1