千赫mosfet感應(yīng)加熱電源的電路設(shè)計(jì)(存儲(chǔ)版)
【正文】 大小。修改后的振蕩電路如圖8所示。電路的電壓電流波形如圖4所示。相比于圖9(b)中的波形，如圖4(b)中MOSFET漏極電流的均方根計(jì)算較為困難。修正后的儲(chǔ)能電路存在兩個(gè)并聯(lián)諧振頻率，如圖8所示，務(wù)必要注意較小的那個(gè)頻率值。流經(jīng)4 CDs(IcM)的環(huán)流元件是有MOSFET器件實(shí)現(xiàn)的，如果tDB被認(rèn)為是可以忽略的，那么它的均方根的值可以有以下公式計(jì)算：單個(gè)MOSFET管的電流峰值計(jì)算公式為：，作為修改后的儲(chǔ)能電路反饋電流， A，與實(shí)驗(yàn)值相一致（見圖9（b））。清楚地表明，這些波形的振蕩已被消除，并且是通過高效率和有效的方式來實(shí)現(xiàn)的。對(duì)于高次諧波成分，電容CT是一個(gè)低阻抗，因而在高次諧波電壓情況下，電容CT相對(duì)于電感L“的影響作用非常小，如圖示9（e）。Ls可以是波形是在儲(chǔ)能電路的最低并聯(lián)諧振頻率取得的。圖4(a)和圖9(a)相比，過濾器的摻入提高了晶體管的維持電壓利用率的能力，至少提高了百分之三十。另外，工作的線圈的Q值需要進(jìn)一步的計(jì)算。儲(chǔ)能電路和濾波器ZF的共同作用，避免濾波器ZF不再出現(xiàn)低阻抗的問題，這是因?yàn)樵诩訜嶂芷谘h(huán)中，這個(gè)值是會(huì)發(fā)生變化的。圖逆變器的原理圖儲(chǔ)能電路、濾波器、靜態(tài)電感、和外端漏源電容圖逆變器原理圖的儲(chǔ)能電路、濾波器括號(hào)中的項(xiàng)的差別是兩個(gè)余弦波的幅值大小不同，而不是頻率的差異。）。由于負(fù)載電流是通過ZF切換，對(duì)于電路中電流高頻諧波成分，ZF可以通過一個(gè)高頻電感Leff表示，并且該濾波器產(chǎn)生的電壓尖峰就是V1，通過Leff切換諧波電流幅值比通過寄生電感的電流更大。在電流反饋逆變器，開關(guān)S1和S2，S3可能在不同的時(shí)間導(dǎo)通，這是因?yàn)轵?qū)動(dòng)電路元件特性的不同、MOSFET本身的特性，或驅(qū)動(dòng)器電路與MOSFET之間導(dǎo)線長度的細(xì)微差別引起的。與振蕩電流路徑中的其他電感相比，這些導(dǎo)線的電感必須是很小的。選擇一個(gè)齊納二極管鉗位電壓峰值MOSFET的將不得不為的鉗位電壓比正常運(yùn)行時(shí)的振蕩電流額定值更低的反向耐壓可能的水平。 是阻塞器中的電流。以上兩個(gè)因素造成電感產(chǎn)生電壓尖峰，電感和漏源電容之間產(chǎn)生額外的振蕩，這是關(guān)鍵問題所在。第10頁100千赫MOSFET感應(yīng)加熱電源的電路設(shè)計(jì)摘要——本文關(guān)注的是一個(gè)匹配電路設(shè)計(jì)，該電路為并聯(lián)諧振感應(yīng)加熱負(fù)載提供的全橋電流反饋MOSFET逆變器。但是，如果要開關(guān)損耗最小化，晶體管必須具備快速切換率
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