千赫mosfet感應(yīng)加熱電源的電路設(shè)計(存儲版)
【正文】 大小。修改后的振蕩電路如圖8所示。電路的電壓電流波形如圖4所示。相比于圖9(b)中的波形，如圖4(b)中MOSFET漏極電流的均方根計算較為困難。修正后的儲能電路存在兩個并聯(lián)諧振頻率，如圖8所示，務(wù)必要注意較小的那個頻率值。流經(jīng)4 CDs(IcM)的環(huán)流元件是有MOSFET器件實現(xiàn)的，如果tDB被認(rèn)為是可以忽略的，那么它的均方根的值可以有以下公式計算：單個MOSFET管的電流峰值計算公式為：，作為修改后的儲能電路反饋電流， A，與實驗值相一致（見圖9（b））。清楚地表明，這些波形的振蕩已被消除，并且是通過高效率和有效的方式來實現(xiàn)的。對于高次諧波成分，電容CT是一個低阻抗，因而在高次諧波電壓情況下，電容CT相對于電感L“的影響作用非常小，如圖示9（e）。Ls可以是波形是在儲能電路的最低并聯(lián)諧振頻率取得的。圖4(a)和圖9(a)相比，過濾器的摻入提高了晶體管的維持電壓利用率的能力，至少提高了百分之三十。另外，工作的線圈的Q值需要進(jìn)一步的計算。儲能電路和濾波器ZF的共同作用，避免濾波器ZF不再出現(xiàn)低阻抗的問題，這是因為在加熱周期循環(huán)中，這個值是會發(fā)生變化的。圖逆變器的原理圖儲能電路、濾波器、靜態(tài)電感、和外端漏源電容圖逆變器原理圖的儲能電路、濾波器括號中的項的差別是兩個余弦波的幅值大小不同，而不是頻率的差異。）。由于負(fù)載電流是通過ZF切換，對于電路中電流高頻諧波成分，ZF可以通過一個高頻電感Leff表示，并且該濾波器產(chǎn)生的電壓尖峰就是V1，通過Leff切換諧波電流幅值比通過寄生電感的電流更大。在電流反饋逆變器，開關(guān)S1和S2，S3可能在不同的時間導(dǎo)通，這是因為驅(qū)動電路元件特性的不同、MOSFET本身的特性，或驅(qū)動器電路與MOSFET之間導(dǎo)線長度的細(xì)微差別引起的。與振蕩電流路徑中的其他電感相比，這些導(dǎo)線的電感必須是很小的。選擇一個齊納二極管鉗位電壓峰值MOSFET的將不得不為的鉗位電壓比正常運行時的振蕩電流額定值更低的反向耐壓可能的水平。 是阻塞器中的電流。以上兩個因素造成電感產(chǎn)生電壓尖峰，電感和漏源電容之間產(chǎn)生額外的振蕩，這是關(guān)鍵問題所在。第10頁100千赫MOSFET感應(yīng)加熱電源的電路設(shè)計摘要——本文關(guān)注的是一個匹配電路設(shè)計，該電路為并聯(lián)諧振感應(yīng)加熱負(fù)載提供的全橋電流反饋MOSFET逆變器。但是，如果要開關(guān)損耗最小化，晶體管必須具備快速切換率
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