千赫mosfet感應(yīng)加熱電源的電路設(shè)計(jì)-在線瀏覽
2025-03-05 10:34本頁(yè)面
【正文】 千瓦的逆變器樣機(jī)拓?fù)湟呀ǔ?。該晶體管的（在100℃外殼溫度）最大電壓電流值分別為500 V和8A，對(duì)于開(kāi)關(guān)頻率為125千赫的電路，最大功率輸出的計(jì)算為：最大功率= 為使輸出功率最大，逆變器需要提供儲(chǔ)能電路一個(gè)阻抗，阻抗值的計(jì)算為：對(duì)于5kw供應(yīng)，這意味著提供一個(gè)阻值為的阻抗III. 漏源極振蕩的抑制當(dāng)MOSFET開(kāi)關(guān)關(guān)閉時(shí)，寄生電感儲(chǔ)存的能量將轉(zhuǎn)移到兩個(gè)MOSFET器件S1的漏源電容，流過(guò)CT和MOSFET固有的寄生二極管。可以看出，振蕩通過(guò)每個(gè)MOSFET漏源極兩端，而沒(méi)有在出現(xiàn)的儲(chǔ)能電路。但在100千赫的頻率下，損耗是相當(dāng)大的，例如，一個(gè)10nF的電容與1電阻串聯(lián)，電阻器的發(fā)熱提取和電阻的安裝問(wèn)題，使其連接線較短，電感較低。這個(gè)比例通常為1:5。如果單獨(dú)使用一個(gè)電容，其值必須保持自身及典型寄生電感的諧振頻率，低于最低的振蕩電流諧波頻率。這形成一個(gè)抑制方法，包含由過(guò)濾器和電容器的阻斷系列。在電容和MOSFET要求導(dǎo)線長(zhǎng)度短，這并不困難。對(duì)于其他的抑制方法，這指的僅僅是寄生電感，但對(duì)如上所述過(guò)濾器ZF，導(dǎo)線電感應(yīng)當(dāng)比過(guò)濾器的有效電感要小。濾波器ZF需要對(duì)開(kāi)關(guān)頻率有最低阻抗，同時(shí)對(duì)高頻率的諧波有最大阻抗。串聯(lián)諧振電路將滿足以上特定的共振頻率，其諧振頻率的大小在開(kāi)關(guān)頻率值附近。和L39。這將導(dǎo)致直流成分的產(chǎn)生和對(duì)電容C進(jìn)行充電，直到超過(guò)其擊穿電壓，為克服這個(gè)問(wèn)題，電感L“必須構(gòu)成并聯(lián)連接的L39。系列組合，從而防止直流電壓在C的出現(xiàn)。 電感L的并聯(lián)，意味著濾波器ZF有效阻抗高于串聯(lián)諧振頻率下的C39。其表達(dá)式為：從圖5中的濾波器ZF的阻抗軌跡圖可以看出，并聯(lián)諧振頻率為w1，串聯(lián)諧振頻率為w2。設(shè)計(jì)Leff時(shí)，其阻抗值應(yīng)遠(yuǎn)大于寄生電感。在MOSFET的漏源極之間連接一個(gè)小電容可以克服這個(gè)問(wèn)題。因此，在本質(zhì)上，過(guò)濾器ZF是由一個(gè)跨接在每個(gè)的MOSFET漏源極之間的電容和一個(gè)與L39。組合系列并聯(lián)的諧振電路電感L構(gòu)成的（見(jiàn)圖6。A、電壓振蕩的分析通過(guò)對(duì)電壓V1和MOSFET兩端的電壓的諧波成分分析，可以很好的理解過(guò)濾器的運(yùn)行性能。當(dāng)橋型電路兩臂上的MOSFET處于導(dǎo)通時(shí)，另外兩臂上的漏源電容就與濾波器ZF元件組合系列和儲(chǔ)能電路并行連接。由于儲(chǔ)能電路的阻抗軌跡能在該頻率下達(dá)到最大值，在此以后V1的一次諧波分量就會(huì)衰減。由此V1的一個(gè)函數(shù)表達(dá)式為：其
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