x射線(xiàn)光電子能譜學(xué)-閱讀頁(yè)
2025-05-31 01:17本頁(yè)面
【正文】 unts [a.u.]2 8 4 . 32 8 4 . 7F i g ur e 1x 5The XPS C 1s Spectra of C60 film during irradiation of Ar Ion 28 24 20 16 12 8 4 0B i n d i n g E n e rg y [ e V ]Counts [a.u.]F i gu r e 2DCBA9 . 6 e V2 2 . 6 e VThe XPS VB Spectra of C60 film during irradiation of Ar Ion A: C60 film B: weak ion beam C: strong ion beam, 30min D: 210 min XPS應(yīng)用－碳物種研究 2 3 4 2 4 0 2 4 6 2 5 2 2 5 8 2 6 4 2 7 0 2 7 6 2 8 2ABCK i n e t i c E n e r g y [ e V ]Counts [a.u.]F i g ur e 32 6 5 . 52 6 7 . 4The XPS C KLL Spectra of C60 film during irradiation of Ar Ion A: C60 B: Spt. 30 min C: spt. 210 min 2 9 6 2 9 4 2 9 2 2 9 0 2 8 8 2 8 6 2 8 4 2 8 2B i n d i n g E n e r g y [ e V ]Counts [a.u.]N a n o t u b ex 5Sp t . 3 0 mi nSp t . 2 1 0 mi n2 8 4 . 7 52 8 4 . 6F i g ur e 6The C 1s spectra of Carbon nanotube during irradiation of Ar Ion 30 20 10 0B i n d i n g E n e r g y [ e V ]Counts [a.u.]ABCB : N a n o tu b eC : S p t . 3 0 m i nD : S p t . 2 1 0 m i n9 . 6 e V2 2 . 6 e VDA : G r a p h i t eF i g u r e 8The XPS VB spectra of carbon nanotube during irradiation of Ar ion beam 2 4 0 2 5 0 2 6 0 2 7 0 2 8 0ABCDKi n e t i c En e rg y [ e V ]Counts [a.u.]2 6 6 . 3 2 6 7 . 9F i g u r e 82 4 2 . 2 e VThe XAES C KLL spectra of carbon nanotube during irradiation of Ar ion A: graphite B: carbon nanotube c: spt. 30 min D: spt. 210 min XAES應(yīng)用研究 XAES和分散圖研究 F物種 Cu腐蝕機(jī)理研究 Cu腐蝕機(jī)理研究 XPS研究單層分散 XPS研究自組裝 XPS研究深度剖析 XPS應(yīng)用－表面電遷移 Au/Si3N4體系電遷移前后 Si 2p的 ADXPS譜圖 原始膜 b. 電場(chǎng)作用 5min后 Au/Si3N4體系電遷移前后 Au 4f的 ADXPS譜圖 a. 原始膜 b. 電場(chǎng)作用 5min后 Au/Si3N4體系電遷移前后 N 1s的 ADXPS譜圖 原始膜 b. 電場(chǎng)作用 5min后 摩擦化學(xué) 6 、 XPS與 SIMS, AES的特點(diǎn)對(duì)比 總結(jié) XPS的特點(diǎn)如下 : 1)、三種方法都具有分析元素的能力，不過(guò) SIMS可測(cè)氫， XPS可測(cè)氫以外的其他元素， AES可測(cè)氫、氦以外的各種元素。 2)、三種方法均可應(yīng)用標(biāo)樣進(jìn)行定量分析。 ? 3)、在某些情況下 SIMS可測(cè)定濃度低至（ 1一10) X 109， 而 XPS和 AES的實(shí)際靈敏度僅為(原子摩爾分?jǐn)?shù) )。 AES和SIMS具有較高的橫向分辨能力，而 XPS則不然。SIMS也可得到化學(xué)信息，但較難解釋。 ? 6)、無(wú)損性。 AES的電子束也會(huì)引起樣品損傷，雖然不如 SIMS嚴(yán)重，但也難于研究有機(jī)材料或一些被吸附物。 ? 7)、關(guān)于絕緣體樣品帶靜電間題，和 AES, SIMS相比，在 XPS較容易消除。 ? 總之，與 AES和 SIMS相比， XPS的主要優(yōu)點(diǎn)是能夠提供重要的化學(xué)態(tài)信息，能進(jìn)行 ? 簡(jiǎn)單的定量分析，樣品的損傷程度低以及可以研究絕緣材料。 分析性能 電子探針（ EP） 離子探針（ IMA） 俄歇譜儀（ AES） X射線(xiàn)光電子能譜（ XPS） 二次離子質(zhì)譜（ SIMS) 空間分辨率/ μm 12 10 12 分析深度/μm （ 210） 采樣體積質(zhì)量 /g 1012 1013 1016 1013 可檢測(cè)質(zhì)量極限 /g 1016 1019 1018 1019 可檢測(cè)濃度極限 /X106 5010000 10100 100000 成份分析儀器比較 可分析元素 z≥4 (z≤11時(shí)靈敏度差） 全部（對(duì)He,Hg等靈敏度較差） z≥3 氫以外的其他元素 全部 定量精度（ wc10%)
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