超聲波檢測(cè)第三章ppt課件-在線(xiàn)瀏覽
2025-06-20 18:28本頁(yè)面
【正文】 t越大探測(cè)靈敏度越高。 輸入的能量轉(zhuǎn)換的能量?K輸入的機(jī)械能轉(zhuǎn)換的電能?K輸入的電能轉(zhuǎn)換的機(jī)械能?K正壓電效應(yīng) 負(fù)壓電效應(yīng) 壓電材料的主要性能參數(shù) 5) 機(jī)械品質(zhì)因子 壓電晶片在諧振時(shí)貯存的機(jī)械能Ｅ 貯 與在一個(gè)周期內(nèi)損耗的能量Ｅ 損 之比稱(chēng)為機(jī)械品質(zhì)因子。Ｋ t越大探測(cè)靈敏度越高。 損貯EEm ??壓電材料的主要性能參數(shù) 6) 頻率常數(shù) 壓電晶片的厚度與因有頻率的乘積是一個(gè)常數(shù)，這個(gè)常數(shù)叫作頻率常數(shù) 式中 cL—— 晶片中縱波聲速 t—— 晶片厚度 f0—— 晶片固有頻率 晶片材料一定，頻率越高，厚度越小 )(20常數(shù)LtcftN ???壓電材料的主要性能參數(shù) 7) 居里溫度 壓電材料與磁性材料一樣，其壓電效應(yīng)與溫度有關(guān)，它只能在一定的 溫度范圍內(nèi)產(chǎn)生，超過(guò)一定的溫度壓電效應(yīng)就會(huì)消失。 結(jié)論：超聲波探頭對(duì)晶片的要求 （ 1）機(jī)電耦合系數(shù)Ｋ較大，以便獲得較高的轉(zhuǎn)換效率 （ 2）機(jī)械品質(zhì)因子較小，以便獲得較高的分辨率和較小的盲區(qū) （ 3）壓電應(yīng)變常數(shù)和壓電電壓常數(shù)較大， 以便獲得較高的發(fā)射靈敏度和接收靈敏度 （ 4）頻率常數(shù)Ｎ較大，介電常數(shù)較小，以便獲得較高的頻率 （ 5）居里溫度Ｔ較高，聲阻抗Ｚ適當(dāng) 壓電材料的主要性能參數(shù) 探頭的種類(lèi)和結(jié)構(gòu) 1) 直探頭（縱波探頭） 接口 外殼 電纜線(xiàn) 阻尼塊 壓電晶片 保護(hù)膜 直探頭用于發(fā)射和接收縱波故又稱(chēng)縱波探頭。如板材鍛件探傷等。 表面波探頭當(dāng)入射角大于第二臨界角在工件中產(chǎn)生表面波，主要檢測(cè)工件表面缺陷 吸聲材料 探頭的種類(lèi)和結(jié)構(gòu) 3) 雙晶探頭（分割探頭） 接口 外殼 電纜線(xiàn) 阻尼塊 壓電晶片 延時(shí)塊 隔聲層 探傷區(qū) 雙晶探頭有兩塊壓電晶片，一塊用于 發(fā)射聲波，一塊用于接收聲波。 優(yōu)點(diǎn)： （ 1）靈敏度高 （ 2）雜波少盲區(qū)小 （ 3）工件中近場(chǎng)區(qū)小 （ 4）探測(cè)范圍可調(diào) 雙晶探頭主要用于檢測(cè)近表面缺陷。 探頭的種類(lèi)和結(jié)構(gòu) 3) 聚焦探頭 探傷區(qū) 接口 外殼 電纜線(xiàn) 阻尼塊 壓電晶片 斜楔 吸聲材料 聲透鏡 聚焦區(qū) 聚焦探頭分為點(diǎn)聚焦和線(xiàn)聚焦。 探頭的種類(lèi)和結(jié)構(gòu) ４ ) 可變角探頭 可變角探頭入射角可變，轉(zhuǎn)動(dòng)壓電晶片可使入射角連續(xù)變化，從而實(shí)現(xiàn)縱波、橫波、表面波和板波探傷。 超聲波探傷儀和探頭的一些重要性能，如垂直線(xiàn)性、水平線(xiàn)性、動(dòng)態(tài)范圍、靈 敏度余量、分辨力、盲區(qū)、探頭的入射點(diǎn)、 K值等都是利用試塊來(lái)測(cè)試的。 利用某些試塊繪出的距離 ―― 波幅 ―― 當(dāng)量曲線(xiàn)（即實(shí)用 AVG曲線(xiàn)）來(lái)對(duì)缺陷 定量是目前常用的定量方法之一。 此外，還可利用試塊來(lái)測(cè)量材料的聲速、衰減性能等。 2) IIW2試塊 (牛角試塊 ) T 25 100 T 25 50 75 100 中心不開(kāi)槽 中心開(kāi)槽 IIW2試塊也是國(guó)際焊接學(xué)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)試塊，由于外形像牛角，故俗稱(chēng)牛角試塊。 3) 半圓試塊 R 3R T 半圓試塊是一種便于攜帶的調(diào)校型試塊，材質(zhì)與 IIW試塊相同，分中心開(kāi)切口槽與不開(kāi)槽兩種。增加了R50的反射面。 二、 超聲波探傷儀的分類(lèi) １、按波形特征分類(lèi)
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1