【正文】 ) I2 = (UO ? VDD2) / R = ( ? 12) / 1 = (mA) I1 = IO + I2 = + = (mA) UO = ? IO = ? I2 = ? I1 = ? 三 、 寫出圖 ， 設(shè)二極管導(dǎo)通電壓UD＝ 。 電路如圖 ， 已知 ui＝ 5sinωt (V)， 二極管導(dǎo)通電壓 UD＝ 。 半導(dǎo)體二極管的應(yīng)用 二極管是電子電路中最常用的半導(dǎo)體器件。 整流 就是將交流電變?yōu)閱畏较蛎}動的直流電。 ? 限幅 半導(dǎo)體二極管的應(yīng)用 在電子線路中，常用二極管來保護(hù)其他元器件免受過高電壓的損害。 ?外型 ?符號 I/mA U/V O ?U ?I + ? 正向 ? + 反向 穩(wěn)壓管 工作于反向擊穿區(qū) 。 ? 穩(wěn)定電流 IZ : 正常工作的參考電流。通常把 IZ記作 IZmin。 半導(dǎo)體二極管 穩(wěn)壓電路 半導(dǎo)體二極管 +RIR+RLIOVOV IIZDZ正常穩(wěn)壓時 VO =VZ ?穩(wěn)壓條件是什么？ IZmin ≤ IZ ≤ IZmax ?不加 R可以嗎？ 半導(dǎo)體二極管 VDZ R 使用穩(wěn)壓管需要注意的幾個問題： 穩(wěn)壓管電路 UO IO + IZ IR UI + 1. 外加電源的 正極接管子的 N 區(qū) ，電源的 負(fù)極接 P 區(qū) ， 保證管子工作在 反向擊穿區(qū) ； RL 2. 穩(wěn)壓管 應(yīng)與負(fù)載電阻 RL 并聯(lián) ； 3. 必須限制流過穩(wěn)壓管的電流 IZ， 不能超過規(guī)定值 ， 以免因過熱而燒毀管子 。 求圖 UO1和 UO2各為多少伏 。 半導(dǎo)體二極管 六、其它類型二極管（略） 晶體三極管 一、晶體管的結(jié)構(gòu)和符號 二、晶體管的放大原理 三、晶體管的共射輸入特性和輸出特性 四、溫度對晶體管特性的影響 五、主要參數(shù) 一、晶體管的結(jié)構(gòu)、類型和符號 小功率管 中功率管 大功率管 為什么有孔？ ?外型 N N P 發(fā)射極 基極 集電極 發(fā)射結(jié) 集電結(jié) — 基區(qū) — 發(fā)射區(qū) — 集電區(qū) emitter base collector NPN 型 P P N e b c PNP 型 e c b e c b ?結(jié)構(gòu)和符號 晶體管有三個電極、三個導(dǎo)電區(qū)、兩個 PN結(jié)。 不具備放大作用 晶體管放大的條件 二、晶體管的電流放大作用 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏 b e c ? 晶體管 內(nèi)部 結(jié)構(gòu)要求： ? 發(fā)射區(qū)高摻雜 ? 基區(qū)很薄 ，而且 摻雜較少 ? 集電結(jié)面積大 ? 晶體管放大的 外部 條件： 外加電源保證： + + 二、晶體管的電流放大作用 內(nèi)部載流子的運(yùn)動 1) 發(fā)射區(qū)電子向基區(qū)擴(kuò)散 IEN I CN 基區(qū)空穴 向發(fā)射區(qū) 擴(kuò)散形成 IEP 2) 電子到達(dá)基區(qū)后 大部分繼續(xù)向集電結(jié)方向運(yùn)動，漂移通過集電結(jié)，形成 ICN。 I E I BN 基區(qū)電流 IB： I CBO I B IB = IBN + IEP– ICBO 3) 集電區(qū)收集漂過集電結(jié)的載流子，形成集電極電流 I C I C I C=ICN +ICBO IE = ICN + IBN + IEP 發(fā)射極電流 I EP I EN 二、晶體管的電流放大作用 擴(kuò)散運(yùn)動形成發(fā)射極電流 IE，復(fù)合運(yùn)動形成基極電流 IB，漂移運(yùn)動形成集電極電流 IC。B ICBO IE= IEN+ IEP 二、晶體管的電流放大作用 IC IB IE 二、晶體管的電流放大作用 BCBCNiiIIIIBC?????? ??直流電流放大系數(shù) 晶體管的共射電流放大系數(shù) IC IB IE C B OC E O )(1 II ???集電結(jié)反向電流 穿透電流 交流電流放大系數(shù) 管子制成后，發(fā)射區(qū)載流子濃度、基區(qū)寬度、集電結(jié)面積等確定， 故電流的比例關(guān)系 也 確定 了。它只與管子的結(jié)構(gòu)尺寸和摻雜濃度有關(guān)，與外加電壓無關(guān)。 一般認(rèn)為： ?? ?二、晶體管的電流放大作用 IC IB IE IE = IC + IB C E OBC III ?? ?C E OBE ) III ??? ?1(BCE III ??BC II ??CIII ??? BE )?1(常用 ? 晶體管的電流關(guān)系： 晶體管的三種接法（組態(tài)） 共集電極接法： 集電極作為公共電極，用 CC表示。 實(shí)現(xiàn)這一傳輸過程的兩個條件是： （ 1） 內(nèi)部條件： 發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度遠(yuǎn)大于基區(qū)雜質(zhì)濃度，且基區(qū)很薄。 二、晶體管的電流放大作用 三、晶體管的共射輸入特性和輸出特性 輸出 回路 輸入 回路 特性曲線描述三極管各電極之間電壓 、 電流的關(guān)系 ，用于對晶體管的性能 、 參數(shù)和晶體管電路的分析估算 。 1. 輸入特性 與二極管的正向特性相似！ （鍺管）硅管，則若正向電壓VVUu BE)( U BEon??2. 輸出特性 B)( CEC Iufi ?對應(yīng)于一個 IB就有一條 iC隨 uCE變化的曲線。 條件： 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 對 NPN 管 UBE 0， UBC 0，即 C極電位最高， E極電位最低 集電極電流和基極電流體現(xiàn) 放大作用 ，即 BC Δ Δ , IIII BC ?? ??放大區(qū)： iC平行于 uCE軸的區(qū)域 2. 輸出特性 B)( CEC Iufi ?對應(yīng)于一個 IB就有一條 iC隨 uCE變化的曲線。 特點(diǎn)： IB = 0， iC= ICEO 截止區(qū) 硅管約等于 1 ?A， 鍺管約為幾十 ~ 幾百微安 。 截止區(qū)： iC接近零的區(qū)域，相當(dāng)iB= 0的曲線的下方。 三、晶體管的共射輸入特性和輸出特性 條件： 發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都正偏。 特點(diǎn) ： IC 基本上不隨 IB 而變化 ，在飽和區(qū)三極管失去放大作用 。 當(dāng) UCE = UBE， 即 UCB = 0 時 ，稱 臨界飽和 ， UCE UBE時稱為 過飽和或深度飽和 。A 40 181。A 20 181。A IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 ? — 直流電流放大系數(shù) BCII?? ? — 交流電流放大系數(shù) Bii?? C??Q 82A103063???? ??8010 A10)( 63??? ??? ???? 一般為幾十 ? 幾百 討論 晶體管工作狀態(tài)的判斷 例：測得某 硅材料 NPN型 晶體管各電極對地的電壓值如下，試判別管子工作在什么區(qū)域？ （ 1） VC ＝ 6V VB ＝ VE ＝ 0V （ 2） VC ＝ 6V VB ＝ 4V VE ＝ （ 3） VC ＝ VB ＝ 4V VE ＝ 解： 原則： 正偏 反偏 反偏 集電結(jié) 正偏 正偏 反偏 發(fā)射結(jié) 飽和 放大 截止 對 NPN管而言，放大時 VC ＞ VB ＞ VE （ 1）放大區(qū) （ 2）截止區(qū) （ 3）飽和區(qū) UCE ＜ UBE 討論 晶體管工作狀態(tài)的判斷 例： 測得工作在 放大電路中 的晶體管三個電極的