核磁共振碳譜ppt課件(2)-在線瀏覽
2025-03-03 22:24本頁面
【正文】 這可以解釋為電負(fù)性越大的取代基吸電子能力強(qiáng) ， 使得相鄰 C原子的電子云密度降低 ， 則 r3增大 ， |?|增大 ， 因而 d增大 。 OH32 .9 32 .9 14 .76 .1 6 .114 .7O32 .935 .77 .58 .7IBrCl烷烴中 C的化學(xué)位移 ? 空間效應(yīng) a． 取代基密集性的影響 對(duì)鏈狀烷烴 C原子而言 ， 當(dāng) H被取代后 ， 取代基為烷基 ， 則 取代基越多 ， 越大 ， 分支越多 ， 則 d越大 。 在開鏈烷烴中 ， 鄰位交叉存在的幾率為 30%； a位甲基取代平均使Cg 產(chǎn)生 2ppm高場(chǎng)位移 ；而鹵素取代會(huì)有多達(dá) 7ppm的位移 RC g烷烴中 C的化學(xué)位移 CH3C H3CH3HHHHHHHHH HHH3 2 .6 53 6 .6535 .553 2 .6 522 .72 0 . 13 0 . 1 530 .63 0 .1 530 .62 0 . 13 5 . 02 9 . 04 3 . 53 6 .83 7 . 730 .32 2 . 41 7 . 440 .73 4 .63 0 .6d 減小 烷烴中 C的化學(xué)位移 c. 重原子效應(yīng)： 或叫做重鹵素效應(yīng) 。 CH4 CH3X CH2X2 CHX3 CX4 X=Cl X=I 烷烴中 C的化學(xué)位移 d． 超共軛效應(yīng) N、 O、 F的取代 ， 使 gC原子高場(chǎng)位移比烷基取代 更明顯 。 XC aC bC g烷烴中 C的化學(xué)位移 ? d 的近似計(jì)算 Zi— 取代基增值； s— 鄰位位阻； kj— g取代基構(gòu)象角度增值 ?? ?????jjii 烯烴中 C的化學(xué)位移 ? 烯烴的化學(xué)位移范圍在 110~150ppm. （ 1） 類似于烷烴 ， 烯烴也有： dC= dCH= dCH2= 其中端烯的化學(xué)位移值要比有取代基的烯 C小 10~40 ppm 烯烴中 C的化學(xué)位移 （ 2） 共軛效應(yīng) 烯鍵之間共軛時(shí) ， 中間的 C原子會(huì)向高場(chǎng)移動(dòng) ， 但效應(yīng)不大 ， 而當(dāng)烯鍵與 O原子共軛時(shí) ， 則有很大的屏蔽作用 1 4 0 . 2 1 3 7 . 2CH3C H 3OCH 2C H 3O7 . 33 6 . 12 0 7 . 12 4 . 51 2 8 . 01 3 7 . 61 9 6 . 52 7 . 0COC H 31 9 5 . 7CH 3HO5 . 33 6 . 52 0 1 . 5CH 2HO1 3 6 . 01 3 6 . 41 9 2 . 4 COH1 9 0 . 7CH 3OHOCH 2OHO8 . 72 7 . 51 8 0 . 11 3 1 . 91 2 7 . 21 7 0 . 4 COOH1 7 3 . 51 1 2 . 8 1 1 6 . 6烯烴中 C的化學(xué)位移 （ 3） d 的近似計(jì)算
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