等離子刻蝕工藝原理介紹-在線瀏覽
2025-07-17 03:34本頁面
【正文】 as/TCP(Source)功率 Pressure Gas Flow Temperature BSC He (Gap) (BField) Process Time Plasma刻蝕的復雜性 工藝控制和結(jié)果 工藝可控變量 Plasma 參數(shù) ? Temperature ? Gas Flows ? Pressure ? Power ? Time ? (Magic Field) ? Etch Rate ? Uniformity ? Selectivity ? Profile ? Loading Effects ? Particulates ? Residue ? Damage 結(jié)果 ? Gas density ? Residence time ? Ion density ? DC bias ? Free radicals ? Ion energy and directionality ? BSC He ? (Gap) 化學性腐蝕工藝的六個步驟 Plasma flowing gas Generation of etchant species 1 Diffusion to surface Adsorption Reaction Film Desorption Diffusion into bulk gas 2 3 4 5 6 STEP 1. 活性粒子由電子和分子的碰撞產(chǎn)生 STEP 2. 活性粒子擴散到反應膜層附近 STEP 3. 活性粒子被表面吸附 STEP 4. 反應發(fā)生 STEP 5. 反應生成物能解吸附 STEP 6. 反應生成物擴散到氣體當中被泵抽走 各向異性腐蝕工藝的兩大機理 能量，方向性的離子提供各向異性腐蝕 , 它有兩種不同的模式 : 損傷機理和屏蔽機理 . 損傷機理 屏蔽機理 微負載效應機理 ? 為了保證 Open和 Dense區(qū)相同的 Etch Rate， 維持工藝 Open和Dense區(qū)相同的腐蝕劑和生存物通量是非常重要的。 等離子刻蝕工藝原理介紹 Etch/CSMC 等離子刻蝕工藝原理介紹包含以下幾個方面： ? 等離子體基本概念 ? 等離子刻蝕基本原理 ? 等離子刻蝕應用 概述 ? Plasma就是等離子體 (臺灣一般稱為電漿 ), 由
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