【正文】 光子 ??＝ h? 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) 氣體原子的激發(fā)和電離 激發(fā)態(tài) 原子能級 諧振能級 （受激原子自發(fā)地直接過渡到 基態(tài)，并產(chǎn)生光子輻射。） 亞穩(wěn)能級 （不能自發(fā)地通過光輻射向基態(tài)躍遷。 它是指每個電子在沿電場反方向運行單位距離的過程中 ， 與氣體原子發(fā)生碰撞電離的次數(shù) 。它是指一個正離子沿電場方向運行單位路程所產(chǎn)生的碰撞電離次數(shù)。它是指每個正離子打上陰極表面時，產(chǎn)生的二次電子發(fā)射數(shù)。 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) 影響氣體放電著火電壓的因素 pd值的作用 巴邢定律表明 ， 當(dāng)其它因素不變時 ， pd值的變化對著火電壓的變化起了決定性的作用 。 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) 氣體種類和成分的影響 ?值和擊穿電壓 Ub值，都與氣體的性質(zhì) (種類和氣壓 )有關(guān)，并主要由電子與一定氣體粒子發(fā)生碰撞的過程來決定。 如果碰撞時電子還未達到足以使氣體電離的速度，電子與這種氣體粒子碰撞損失的平均能量較大，那么這種氣體被擊穿所需要的電場強度就大，相應(yīng)地要求擊穿電位也高。實驗指出，混合氣體的擊穿現(xiàn)象往往與純粹氣體完全不同。這種現(xiàn)象就是放電中潘寧效應(yīng)的結(jié)果。 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) 潘寧電離： 設(shè) A、 B為不同種類的原子 ， 原子 A的亞穩(wěn)激發(fā)電位大于原子 B的電離電位 ， 亞穩(wěn)原子 A* 與基態(tài)原子 B碰撞時 ， 使 B電離 ， 變?yōu)榛鶓B(tài)正離子 B+（ 或激發(fā)態(tài)正離子 B+*） ， 而亞穩(wěn)原子 A*降低到較低能態(tài) ， 或變?yōu)榛鶓B(tài)原子 A， 此過程稱為潘寧電離 ， 可用符號表示為： A*+B?A+B+（ 或 B+*） +e 由于亞穩(wěn)原子具有較長的壽命 ， 其平均壽命是 104?102s （ 而一般激發(fā)態(tài)原子的壽命為 108?107s） ， 因此潘寧電離的幾率較高 ， 使得基本氣體的有效電離電位明顯降低 。 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) 使用輔助電離源來加快帶電粒子的形成，也可以使著火電壓降低。 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) 正常輝光放電的基本特征： (1) 放電時，在放電空間呈現(xiàn)明暗相間、有一定分布規(guī)律的光區(qū)。在陰極位降區(qū)中產(chǎn)生電子繁流過程，滿足放電自持條件，故它是維持輝光放電必不可少的部分。電壓一般在幾十到幾百伏。電流密度為 ?A/cm至 mA/cm數(shù)量級。 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) 正常輝光放電的光區(qū)分布： (1)阿斯頓暗區(qū) 它是緊靠陰極的一層很薄的暗區(qū)。由于沒有受激原子，因而是暗區(qū)。電子在通過阿斯頓暗區(qū)以后，從電場中獲得了一定的能量，足以產(chǎn)生激發(fā)碰撞，使氣體發(fā)光。 Vc輝光放電的光區(qū)分布光 強電 位場 強空間電荷密度阿斯頓暗區(qū)陰極輝區(qū)陰極暗區(qū)負輝區(qū)法拉第暗區(qū)正柱區(qū)陽極暗區(qū)陽極輝區(qū)IEZn_n+V四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) (3)陰極暗區(qū) 電子離開明極后，到這里獲得的能量愈來愈大，甚至超過了激發(fā)幾率的最大值，于是激發(fā)減少，發(fā)光減弱。產(chǎn)生電離后，電子以較快的速度離開，這里就形成很強的正空間電荷的堆積，從而引起電場畸變。 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) (4)負輝區(qū) 進入負輝區(qū)的電子可以分為兩類 : 快電子和慢電子。另外，在陰極暗區(qū)，因離子濃度很高，它們會向負輝區(qū)擴散，因而負輝區(qū)中，電子和正離子的濃度都很大，而電場很弱，幾乎是無場空間。負輝區(qū)中電子和正離子濃度比正柱區(qū)中約大 20倍。由于電子在負輝區(qū)中損失了很多能量，進入這個區(qū)域以后，便沒有足夠的能量來產(chǎn)生激發(fā)，所以是暗區(qū)。 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) （ 6）正柱區(qū) 在正柱區(qū)，任何位置上電子密度和正離子密度相等，放電電流主要是電子流。 輝光放電的各發(fā)光區(qū)中，發(fā)光強度以負輝區(qū)最強，正柱區(qū)居中，陰極光層和陽極輝光最弱。 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) PDP的發(fā)光效率不高的原因： 雖然正柱區(qū)的強度不如負輝區(qū)強，但它的發(fā)光區(qū)域最大， 因此對光通量的貢獻也最大。而 PDP由于其放電單元的空間通常很?。姌O間隙約 100?m），放電時只出現(xiàn)陰極位降區(qū)和負輝區(qū)，所以通常利用的是負輝區(qū)的發(fā)光。 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) NeXe混合氣體放電的主要電離過程包括電子碰撞電離和潘寧電離。 ? 最終使著火電壓增高還是降低，要看這兩方面的影響哪個是主要的。 四川虹歐顯示器件有限公司 氣體放電物理基礎(chǔ) NeXe混合氣體放電能量轉(zhuǎn)移簡圖 Ne 2+Ne 2*Ne+Ne*NemXe+Xe 2+Xe*XemXe 2VXe 2U電子碰撞激發(fā)或電離潘寧電離或電荷交換輻射轉(zhuǎn)移兩體或三體碰撞離解復(fù)合1 4 7 n m173nm1 5 0 n m8 2 8 n mXe**四川虹歐顯示器件有限公司 彩色 PDP發(fā)展與特點 1995 富士通 、 NEC、 先鋒 、 三菱 、 松下 、 日立等開發(fā) 42英寸彩色PDP。 1997 基于對 TFT－ LCD量產(chǎn)技術(shù)的經(jīng)驗和 PDP制作工序比 LCD少許多的考慮 ， 非常樂觀地估計 2023年 PDP的售價可降到每英寸 1萬日元 。 1999 出現(xiàn)技術(shù)合作與整合的策略 ， 如富士通公司與日立制作所合并成立富士通日立等離子體公司 ， 三菱公司也宣布停止量產(chǎn)并與臺灣中華映管公司技術(shù)合作 。 2023 新的量產(chǎn)廠開始正式運作 ， 使得 PDP產(chǎn)品不論在尺寸的規(guī)格與品質(zhì)及價格上都有相當(dāng)?shù)母偁幜?。 2023 韓日成功舉辦足球世界杯 ， 并以此為契機宣傳 PDP電視 ， 2023年下半年 ， PDP銷量猛增 。 2023 鑒于日本經(jīng)濟的長期疲弱 ， 日本政府對 PDP產(chǎn)業(yè)給予相當(dāng)支持 ，為了進一步降低 PDP電視的成本 ， 統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn) ， 日本政府一直在促使各大廠家能夠聯(lián)手合作 ， 優(yōu)勢互補 。 2023 新的量產(chǎn)廠開始正式運作 ， 使得 PDP產(chǎn)品不論在尺寸的規(guī)格與品質(zhì)及價格上都有相當(dāng)?shù)母偁幜?。 2023 韓日成功舉辦足球世界杯 ， 并以此為契機宣傳 PDP電視 ， 2023年下半年 ， PDP銷量猛增 。 2023 鑒于日本經(jīng)濟的長期疲弱 ， 日本政府對 PDP產(chǎn)業(yè)給予相當(dāng)支持 ，為了進一步降低 PDP電視的成本 ， 統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn) ， 日本政府一直在促使各大廠家能夠聯(lián)手合作 ， 優(yōu)勢互補 。日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省旗下的NEDO(新能源和工業(yè)技術(shù)發(fā)展組織 ) 為 APDC提供約 日元科研補助金 。 ADPC采用集中研發(fā)和分散研發(fā) 2種方式，集中研發(fā)設(shè)在富士通公司明石工廠，富士通研究所 Shinoda博士擔(dān)任研發(fā)總負責(zé)人。 （ 2） 采用逐行驅(qū)動技術(shù) ， 而原來的 ALiS技術(shù)則是隔行驅(qū)動 。 （ 3） 同時具有高分辨率和高亮度 ， 在 50英寸以上 PDP中亮度最高 。 平均亮度等級為256級 ， 亮度層次變化更加平滑 。 亮度和對比度提高 20%， 暗場灰度細節(jié)得到更好再現(xiàn) 。 后板： 尋址電極寬度 w3 ， 后板介質(zhì)層厚度 t2 ， 障壁高度 h和寬度 wb 。 從圖中我們可以看出 著火電壓 Uf直接與 間隙 g1相關(guān)，但隨著著火電壓降低，熄滅電壓降低越來越慢，結(jié)果造成工作電壓馀度 ?Us降低 四川虹歐顯示器件有限公司 PDP結(jié)構(gòu)設(shè)計 放電間隙對平均放電電