超聲波檢測(cè)第三章ppt課件-展示頁
2025-05-12 18:28本頁面
【正文】 寬表示，單位 mm 探頭種類：漢語拼音縮寫字母代表示 探頭特征：漢語拼音縮寫字母代表示 ２ ) 舉例 P 13 X13 K 2 5 B 14 Z K值為２ K值斜探頭 矩形晶片 13X13mm 鋯鈦酸鉛陶瓷 頻率 13 X13直探頭 圓形晶片直徑為 14mm 鈦酸鋇陶瓷 頻率 試塊的用途 超聲波檢測(cè)靈敏度是一個(gè)重要參數(shù)，因此在超聲波檢測(cè)前，常用試塊上某一特 定的人工反射體來調(diào)整檢測(cè)和校驗(yàn)靈敏度。點(diǎn)聚焦理想焦點(diǎn)為一點(diǎn)，其聲透鏡為球面；線 聚焦理想焦點(diǎn)為一條線，其聲透鏡為柱面。 根椐工件因選擇合適的工作頻率、晶 片尺寸和探測(cè)深度。根據(jù) 入射角不同分為縱波雙晶探頭和橫波 雙晶探頭。 探頭的種類和結(jié)構(gòu) 2) 斜探頭 接口 外殼 電纜線 阻尼塊 壓電晶片 斜楔 斜探頭可分為縱波斜探頭（ aLa1） ,橫波斜探頭（ aL=a1~aII）和表面波探頭 (aL≧ aII) 橫波斜探頭是利用橫波探傷，主要是用于檢測(cè)與探測(cè)面垂直或成一定角度的缺陷，如焊接汽輪機(jī)葉輪等。主要用于探測(cè)與探測(cè)面平行的缺陷。使壓電材料的 壓電效應(yīng)消失的溫度稱為壓電材料的居里溫度，用Ｔ c表示。Ｋ p越大，低頻諧振波增多，發(fā)射脈沖變寬，導(dǎo)致分辨率下降，盲區(qū)增大。 當(dāng)晶片振動(dòng)時(shí)，同時(shí)產(chǎn)生厚度和徑向兩個(gè)方向的變形，因此機(jī)電耦合系數(shù)分為厚度方向Ｋ t和徑向Ｋ p。Ｋ p越大，低頻諧振波增多，發(fā)射脈沖變寬，導(dǎo)致分辨率下降，盲區(qū)增大。 ?壓電材料的主要性能參數(shù) 4) 機(jī)電耦合系數(shù) 機(jī)電耦合系數(shù)Ｋ，表示壓電材料機(jī)械難（聲能）與電能之間的轉(zhuǎn)換效率 當(dāng)晶片振動(dòng)時(shí)，同時(shí)產(chǎn)生厚度和徑向兩個(gè)方向的變形，因此機(jī)電耦合系數(shù)分為厚度方向Ｋ t和徑向Ｋ p。 AtC??式中 C—— 電容器電容 t—— 電容器極板距離 A—— 電容器極板面積 介電常數(shù) 越大電容器存貯的電量越大。 g33值越大，接收性能越好，接收靈敏度越高。 D33值越大，發(fā)射性能越好，發(fā)射靈敏度越高。 Ａ Ｂ － ＋ ＋ — a)石英晶體 b)正壓電效應(yīng) c)負(fù)壓電效應(yīng) 壓電材料的主要性能參數(shù) 1) 壓電應(yīng)變常數(shù) 壓電應(yīng)變常數(shù)表示在壓電晶體上施加單位電壓時(shí)所產(chǎn)生的應(yīng)變大小。第三章 儀器、探頭和試塊 １、超聲波探傷儀 ２、超聲波探頭 ３、超聲波試塊 超聲波探頭 １、壓電效應(yīng) １） 正壓電效應(yīng) 晶體材料在外力拉壓作用下，產(chǎn)生交變電場(chǎng)的效應(yīng)稱為正壓電效應(yīng)。 ２）負(fù)壓電效應(yīng) 晶體材料在交變電場(chǎng)作用下，產(chǎn)生伸縮變形的效應(yīng)稱為負(fù)壓電效應(yīng)。 )/(33 VmUtd??式中 Ｕ —— 施加在壓電晶片兩面的應(yīng)力 Δt—— 晶片在厚度方向的變形量 壓電應(yīng)變常數(shù) d33是衡量壓電晶體材料發(fā)射靈敏度高低的重要參數(shù)。 2) 壓電電壓常數(shù) 壓電電壓常數(shù)表示作用在壓電晶體上單位應(yīng)力所產(chǎn)生的電壓梯度大小 )/(33 NVpUg p?式中 P—— 施加在壓電晶片兩面的應(yīng)力 Ｕ p—— 晶片表面產(chǎn)生的電壓梯度，即電壓Ｕ與晶片厚度 t之比， Ｕ p ＝Ｕ／ｔ 壓電電壓常數(shù) g33是衡量壓電晶體材料接收靈敏度高低的重要參數(shù)。 壓電材料的主要性能參數(shù) 3) 介電常數(shù) 介電常數(shù)表示在壓電晶體上施加單位電壓時(shí)所產(chǎn)生的應(yīng)變大小。越小電容器放電時(shí)間越快頻率越高。Ｋ
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