電力電子半導(dǎo)體器件scr-展示頁
2025-05-09 01:43本頁面
【正文】 VDRM ≈ 90% V DSM ３．反向不重復(fù)峰值電壓 VRSM 門極開路，加在 SCR陽極反向電壓上升到反向伏安特性曲線急劇彎曲處所對應(yīng)的電壓值。不能重復(fù)，每次持續(xù)時間不大于10ms的脈沖電壓。 3．關(guān)斷時，過早施加正向電壓，會引起誤導(dǎo)通。 說明： 1．開通時間 ton隨門極電流增大而減??；陽極電壓提高，可使內(nèi)部正反饋加速，上升時間、延遲時間顯著縮短。 三、動態(tài)特性： P(功耗） iA IA A 0 0 0 UAK td tr ts ton trr tGr toff 開通損耗 通態(tài)損耗 關(guān)斷損耗 斷態(tài)損耗 td: 延遲時間 tr: 上升時間 （局部導(dǎo)通 ) ts: 擴展時間 （全導(dǎo)通） trr: 反向恢復(fù)時間 非平衡少子耗散時間 tGr: 門極恢復(fù)時間 正向阻斷恢復(fù)時間 ① 開通時間： ton = td + tr 普通 SCR， td為： —； tr 為： —3us； IG越大， ton越小。 ②觸發(fā)電壓、電流應(yīng)大于 VGT和 IGT，方可保證正常觸發(fā)。 2．關(guān)斷條件：陽極電壓減小 /反向，使陽極電流減小到維持電流 以下， IAIH時，管子自動關(guān)斷。 ——控制困難，過大的 du/dt會損壞管子。 ——會引起局部過熱，易擊穿，不易控制。 ——光觸發(fā)晶閘管 1．晶閘管導(dǎo)通的幾種情況： ① 門極觸發(fā)：Ａ－Ｋ極之間加正向電壓；Ｇ－Ｋ極間加正向 電壓和電流。 ⑤光觸發(fā)：光照射下，產(chǎn)生電子空穴對，形成觸發(fā)電流。 ——控制困難，過大的 du/dt會損壞管子。 ——會引起局部過 熱，易擊穿，不易控制。 1．晶閘管導(dǎo)通的幾種情況： ①門極觸發(fā)：Ａ－Ｋ極之間加正向電壓；Ｇ－Ｋ極間加正向電壓 和電流。 ② IG0時， α1 、 α2 隨射極電流 增大而上升，當(dāng) α1 +α2 ≈1時， IA迅速增大，正向?qū)ā? 等效電路：由 PNP和 NPN兩個晶體管互聯(lián)，內(nèi)部正反饋連接。 一、結(jié)構(gòu)：四層 PNPN結(jié)構(gòu)，三端器件 符號 正向阻斷： A—K接正電壓， J2反偏，漏電流很小。第三章 晶閘管 167。 普通晶閘管 Thyristor 硅可控整流器，可控硅， SCR。 反向阻斷： A—K接負電壓， J1， J3反偏，漏電流很小。 正反饋過程 令：兩個晶體管共基極電流放大數(shù) α1 、 α2 J2結(jié)反向漏電流為 IC0 則： 共基極電流放大系數(shù) α1 、 α2 與發(fā)射極電流變化關(guān)系： ① IG=0時， α1 、 α2 約為 0， IA≈ IC0，晶閘管正向阻斷。 *此時，即使再為 0，晶閘管仍繼續(xù)導(dǎo)通 ——半控型器件。 ——通用方法 ②陽極電壓作用：陽極電壓上升到相當(dāng)數(shù)值時， J3結(jié)擊穿， IB2 增大，由正反饋作用導(dǎo)致導(dǎo)通。 ③ du/dt作用：陽極電壓上升速率快， J3結(jié)電容 C產(chǎn)生位移電流 導(dǎo)致射極電流增大，引起導(dǎo)通。 ④溫度作用：結(jié)溫增高，漏電流增大，引起導(dǎo)通。 ——光觸發(fā)晶閘管 ⑤ 光觸發(fā)：光照射下，產(chǎn)生電子空穴對，形成觸發(fā)電流。 ——通用方法 ② 陽極電壓作用：陽極電壓上升到相當(dāng)數(shù)值時， J3結(jié)擊穿， IB2增大，由正反饋作用導(dǎo)致導(dǎo)通。 ③ du/dt作用：陽極電壓上升速率快， J3結(jié)電容 C產(chǎn)生位移電流 導(dǎo)致射極電流增大，引起導(dǎo)通。 ④ 溫度作用：結(jié)溫增高，漏電流增大，引起導(dǎo)通。 二、特性 1．陽極伏安特性： VAK—IA關(guān)系 VBO：正向轉(zhuǎn)折電壓 VRSM：反向轉(zhuǎn)折電壓 導(dǎo)通狀態(tài) 阻斷狀態(tài) 反向擊穿 2．門極伏安特性： VG—IG關(guān)系（ P3結(jié)二極管伏安特性） IGT VGT PGM 可靠觸發(fā)區(qū) 不可觸發(fā)區(qū) 不可靠觸發(fā)區(qū) VGD：門極不觸發(fā)電壓
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