擴散作業(yè)ppt課件-展示頁
2025-05-08 02:54本頁面
【正文】 溶度 雜質在 111硅中的擴散系數(shù) lnD~1/T的關系 )C(2)C(C)C(2B1B15BB1??????????SSSSCe rf cACe rf cCCe rf cA所以，查出時，計算：當也可用公式41519 ??????BSO LBSCCCC因為A1 A2 A值與 CS/CB的關系曲線 根據(jù)結深的計算公式， ， A的值可用兩種方法求出。 cm, 查圖 ρ~CB知，當 ρ = 8Ω 解 : 由于銻箱法擴散屬于 恒定表面源擴散 ，因此它遵循 余誤差分布 。第二 章 習題解答 電子工程系 王彩琳 某數(shù)字 IC的埋層采用銻箱法擴散，溫度為 1200℃ ，擴散時間為 2h， (1)P型硅襯底的電阻率為 8? cm，求 n+埋層的厚度； (2)忽略襯底摻雜的補償作用，求 n+埋層的平均雜質濃度和方塊電阻 。 根據(jù)題意 , pSi襯底的 ?為 8?cm時 , CB = 1015cm3 ； 查圖 D~T可知 , 當擴散 T=1200℃ ， Sb的 D=3 1013cm2/s。 DtAxj ?C~C4SS??? ACACBB時，當可知，對余誤差分布：查圖當擴散時間為 2h時， n+埋層的厚度為 ： mcmsscmDtAx j? 7 43 6 0 02/6213???????????n+埋層的雜質總量 Q0為： 21531921303 6 0 02/10322)(0??????????????? ?cmcmsscmCDtdxxCQ S?忽略襯底摻雜的補償作用， 所求 n+埋層的平均雜質濃度為： 31942150001)(1)(1?????????????? ?cmcmcmQxCqQxdxxCxCjBnjjn ?所求出 n+埋層的方塊電阻為 ： 電子和空穴遷移率與雜質濃度的關系 jjjCq1Rx1RxRx????????????查圖 C~?可知 , 當 C= 1019cm3,取 ?n=72cm2/s。 cm，其晶體管基區(qū)硼預淀積溫度為 950℃ ，時間為 10min；再分布的 溫度為 1180℃ ，時間為 50min， (1)求預淀積摻入的雜質總量、結深和方塊電
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