半導(dǎo)體復(fù)習(xí)參考試題-展示頁
2025-04-26 00:00本頁面
【正文】 ）。二、選擇題1. 施主雜質(zhì)電離后向半導(dǎo)體導(dǎo)帶提供（ B ），受主雜質(zhì)電離后向半導(dǎo)體價(jià)帶提供（ A ），本征激發(fā)后向半導(dǎo)體提供（ AB）。在絕對(duì)零度時(shí)，的能級(jí)（沒有）電子占據(jù)；而的能級(jí)（完全被）電子占據(jù)。費(fèi)米能級(jí)標(biāo)志了（電子填充能級(jí)）的水平。 12. 半導(dǎo)體的陷阱中心使其中心光電導(dǎo)靈敏度（提高），并使其光電導(dǎo)衰減規(guī)律（延長(zhǎng)衰減時(shí)間）。10. 一種晶體中導(dǎo)帶底電子能量E與波矢K的關(guān)系為，其中為導(dǎo)帶底能量，A是常數(shù)，則電子的有效質(zhì)量：（）。內(nèi)層電子形成的能帶（窄），曲線曲率（小），（?。裕ù螅?。在能帶底部，為(正)值，即；在能帶頂部，為(負(fù))值，即。9. 有效質(zhì)量是（半導(dǎo)體內(nèi)部勢(shì)場(chǎng)）作用的概括。在布里淵區(qū)的（111方向）邊界L點(diǎn)處，簡(jiǎn)約布里淵區(qū)一共有（8）個(gè)這樣的能谷。7. GaAs屬于（直接）帶隙半導(dǎo)體。6. Ge屬于（間接）帶隙半導(dǎo)體。5. Si屬于（間接）帶隙半導(dǎo)體。3. 玻爾茲曼分布適用于（非簡(jiǎn)并）半導(dǎo)體，對(duì)于能量為E的一個(gè)量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為（），費(fèi)米分布適用于（簡(jiǎn)并）半導(dǎo)體，對(duì)于能量為E的一個(gè)量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為（），當(dāng)EF滿足（）時(shí)，必須考慮該分布。一、填空題1. 自由電子的能量與波數(shù)的關(guān)系式為（），孤立原子中的電子能量（大小為的分立能級(jí)），晶體中的電子能量為（電子共有化運(yùn)動(dòng)）所形成的（準(zhǔn)連續(xù)）的能帶。2. 溫度一定時(shí)，對(duì)于一定的晶體，體積大的能帶中的能級(jí)間隔（?。?，對(duì)于同一塊晶體，當(dāng)原子間距變大時(shí)，禁帶寬度（變?。?. 半導(dǎo)體材料中的（能帶結(jié)構(gòu)（直接復(fù)合））、（雜質(zhì)和缺陷等復(fù)合中心（間接復(fù)合））、（樣品形狀和表面狀態(tài)（表面復(fù)合））等會(huì)影響非平衡載流子的壽命，壽命值的大小反映了材料晶格的（完整性），是衡量材料的一個(gè)重要指標(biāo)。導(dǎo)帶極小值位于布里淵區(qū)的（100方向）上由布里淵區(qū)中心點(diǎn)Г到邊界X點(diǎn)的（）處，導(dǎo)帶極值附近的等能面是（長(zhǎng)軸沿100方向的旋轉(zhuǎn)橢球面），在簡(jiǎn)約布里淵區(qū)，共有（6）個(gè)這樣的等能面。導(dǎo)帶極小值位于布里淵區(qū)的（111方向）上由布里淵區(qū)邊界L點(diǎn)處，導(dǎo)帶極值附近的等能面是（長(zhǎng)軸沿111方向的旋轉(zhuǎn)橢球面），在簡(jiǎn)約布里淵區(qū)，共有（4）個(gè)這樣的等能面。導(dǎo)帶極小值位于布里淵區(qū)中心點(diǎn)Г處，極值附近的等能面是（球面），在簡(jiǎn)約布里淵區(qū)，共有（1）個(gè)這樣的等能面。8. Si、Ge和GaAs能帶結(jié)構(gòu)的共同點(diǎn)：1)禁帶寬度具有負(fù)溫度系數(shù)2)價(jià)帶頂位于布里淵區(qū)中心，k=0處，等能面不是球面，有輕重空穴之分。由于晶體內(nèi)部的各向異性，在空間的三個(gè)主軸上，有效質(zhì)量可以表示為（、一般情況下，是不等的）。在關(guān)系的拐點(diǎn)處，（），說明此處電子（不受外電場(chǎng)作用，電子從外場(chǎng)獲得的能量，全部釋放給晶格）。外層電子能帶（寬），（大），所以（?。?，共有化運(yùn)動(dòng)強(qiáng)，在外力作用下，可以獲得更大的加速度。，其中和B是常數(shù)，則電子速度：（）。13. 當(dāng)系統(tǒng)處于熱平衡狀態(tài)，也不對(duì)外做功的情況下，系統(tǒng)（每增加一個(gè)電子）所引起系統(tǒng)自由能的變化，等于系統(tǒng)的化學(xué)勢(shì)，也就是等于系統(tǒng)的費(fèi)米能級(jí)。它主要受（摻雜濃度）、（摻雜種類）和（溫度）的影響。隨著溫度的升高，電子占據(jù)的能級(jí)概率（增大），空穴占據(jù)的能級(jí)概率（增大）。A. 空穴 B. 電子2. 室溫下，半導(dǎo)體Si摻硼的濃度為1014cm3，費(fèi)米能級(jí)（B）；1015cm3的磷，費(fèi)米能級(jí)（A）；將該半導(dǎo)體升溫至570K，費(fèi)米能級(jí)（C）。A. 變大 B. 不變 C. 變小4. 最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在（ D ）附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（C ）附近。A. 濃度梯度 B. 電場(chǎng) C. 光照 6. 最小電導(dǎo)率出現(xiàn)在（ B）型半導(dǎo)體。A. 電子在晶體中各處出現(xiàn)的幾率相同。C. 電子在晶體各原胞對(duì)應(yīng)點(diǎn)出現(xiàn)的幾率相同。8. 本征半導(dǎo)體是指（D）的半導(dǎo)體。A. 點(diǎn)陣中的金屬原子間隙 B. 一種在禁帶中引入施主的點(diǎn)缺陷C. 點(diǎn)陣中的點(diǎn)陣中的金屬原子空位 D. 一種在禁帶中引入受主的位錯(cuò)10. 若某半導(dǎo)體導(dǎo)帶中電子出現(xiàn)幾率為零，則此半導(dǎo)體必定（A）。A. 高可靠性 B. 高頻 C. 大功率 D. 高電壓12. 半導(dǎo)體的載流子擴(kuò)散系數(shù)大小決定于其（D）。A. GaAs B. GaP C. Si D. Ge14. 若用N取代GaP中的一部分P，半導(dǎo)體的禁帶寬度（A）；若用As則禁帶寬度（C）。A. 100方向邊界處 B. 111方向邊界處 C. 110方向邊界處 16. 重空穴指的是（C）。A. 等于空穴占據(jù)（）能級(jí)的幾率 B. 等于空穴占據(jù)（）能級(jí)的幾率C. 大于電子占據(jù)的幾率 D. 大于空穴占據(jù)的幾率18. 對(duì)于只含一種雜質(zhì)的非簡(jiǎn)并n型半導(dǎo)體，費(fèi)米能級(jí)隨溫度升高而（D）。A. 本征半導(dǎo)體 B. 金屬 C. 化合物半導(dǎo)體 D. 摻雜半導(dǎo)體20. 公式中的是載流子的（C）。A. 無雜質(zhì)污染 B. 受宇宙射線輻射 C. 化學(xué)配比合理 D. 晶體完整性好22. 在光電轉(zhuǎn)換過程中，Si比GaAs量子效率低，因?yàn)槠洌―）。A．金屬． B．本征半導(dǎo)體C．摻雜半導(dǎo)體 D. 高純化合物半導(dǎo)體C．平均自由時(shí)間 D．?dāng)U散系數(shù)24．在硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu)中，在布里淵中心存在兩個(gè)極大值重合的價(jià)帶，外面的能帶（ B ）， 對(duì)應(yīng)的有效質(zhì)量（ C ），稱該能帶中
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