半導(dǎo)體器件習(xí)題及參考答案-展示頁(yè)
2025-07-13 22:18本頁(yè)面
【正文】 衡下，內(nèi)建電勢(shì)EB結(jié)，Vbi＝；CB結(jié)，Vbi＝；W＝WB－xneb－xncb＝ （b） （c）2 推導(dǎo)基區(qū)雜質(zhì)濃度為時(shí)的基區(qū)內(nèi)建電場(chǎng)公式及基區(qū)少子濃度分布表達(dá)式。m時(shí)，第三章1 一個(gè)p+np晶體管，其發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)的雜質(zhì)濃度分別是51018，1016，1015cm－3，器件截面積為3mm2。解：P＋n，正向注入：，得：4一個(gè)硅p+n單邊突變結(jié)，ND＝1015cm－3，求擊穿時(shí)的耗盡層寬度，若n區(qū)減小到5μm，計(jì)算此時(shí)擊穿電壓。＋，I＝，－，I＝*1016A3 對(duì)于理想的硅p+n突變結(jié)，ND＝1016cm－3，在1V正向偏壓下，求n型中性區(qū)內(nèi)存貯的少數(shù)載流子總量。2 一個(gè)理想的pn結(jié)，ND＝1018cm－3，NA＝1016cm－3，τp＝τn＝10－6s，10－5cm－2，計(jì)算300K下飽和電流的理論值，177。第二章1 一個(gè)硅p－n擴(kuò)散結(jié)在p型一側(cè)為線性緩變結(jié)，a=1019cm4，n型一側(cè)為均勻摻雜，雜質(zhì)濃度為31014cm－3，求零偏壓下的總耗盡層寬度、內(nèi)建電勢(shì)和最大電場(chǎng)強(qiáng)度。解：x＝0處E連續(xù)得xn＝x總=xn+xp= ,負(fù)號(hào)表示方向?yàn)閚型一側(cè)指向p型一側(cè)。解：Dp＝9cm2/s，Dn＝6cm2/s，
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