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單晶生長(zhǎng)操作規(guī)程講解-展示頁

2025-01-19 12:20本頁面
  

【正文】 ?坩堝質(zhì)量 . ② 潔凈的手套 . ③ 裝料的方法,盡量讓大料在底部,少裝在上口 . ④ 用吸塵器吸走硅渣,灰塵。 單晶生長(zhǎng)操作規(guī)程講解 ,檢漏: . . . Q=(P1P2)XV/TR : 早先: 真空拉晶 常壓拉晶 減壓拉晶 對(duì)目前的爐內(nèi)拉晶壓力要求在 815turo2700 單晶生長(zhǎng)操作規(guī)程講解 : ① 傳導(dǎo) ② 對(duì)流 ③ 輻射 : ①加熱與保溫 ②正確的使用加熱功率,不破壞石英坩堝與石墨坩堝的使用壽命,不破壞其結(jié)構(gòu)。 ④拉晶的時(shí)間越長(zhǎng),拉晶的困難就越大。 位錯(cuò)分為:棱位錯(cuò) 螺行位錯(cuò) 混合位錯(cuò) 單晶生長(zhǎng)操作規(guī)程講解 : ①下降過程中不要急于接觸到高溫(分段下降) . ② 籽晶與熔體要在合適的溫度下充分良好的接觸 . ③ 細(xì)頸( Ф45mm, L=150mm) : 174。 LVd+AKL(dTL /dx)=AKS(dTS / dx) L 結(jié)晶潛熱
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