單晶生長(zhǎng)操作規(guī)程講解(完整版)
【正文】 生長(zhǎng)操作規(guī)程講解 ： ①轉(zhuǎn)肩時(shí)的大小與拉速（ 24mm/min). ② 降低拉速，跟進(jìn)堝跟比和隨動(dòng) . ③ 確認(rèn)等徑參數(shù)，投入自動(dòng) . ④ 斷棱和回熔 ： ①根據(jù)堝底料的多少判斷是否要收尾 . ② 控制溫度和拉速 . ③ 降功率、停爐冷卻 . ④ 整個(gè)拉晶過(guò)程的記錄。 c 停水后水壓無(wú)法恢復(fù)，或恢復(fù)時(shí)結(jié)晶大于 10分鐘 ①快速提升晶體或籽晶，距液面 150mm。 E 爐內(nèi)漏水或觀察窗玻璃裂開(kāi)。 ⑨在熔體結(jié)晶 15分鐘時(shí)，快速升坩堝并頂起導(dǎo)流筒100mm。 ②水壓恢復(fù)時(shí)，爐內(nèi)無(wú)嚴(yán)重氧化現(xiàn)象，熔體未結(jié)晶或已結(jié)晶但液面結(jié)晶小于 10分鐘且石英坩堝未破裂，按加熱功率開(kāi)，調(diào)節(jié)功率到熔料功率。 ④拉晶的時(shí)間越長(zhǎng)，拉晶的困難就越大。 單晶生長(zhǎng)操作規(guī)程講解 ： ①自然對(duì)流 . ② 強(qiáng)迫對(duì)流 旋流 . ③ 強(qiáng)迫對(duì)流 逆流 . ④ 表面張力對(duì)流 . （無(wú)位錯(cuò)單晶生長(zhǎng)技術(shù)） 位錯(cuò)的特性：位錯(cuò)是一種線性缺陷，是由幾個(gè)原子大小的線性管道，位錯(cuò)線附近原子發(fā)生嚴(yán)重錯(cuò)排和畸變。 ③啟動(dòng)堝轉(zhuǎn)，設(shè)定為 2轉(zhuǎn) /分，打開(kāi)堝轉(zhuǎn)前，確保堝轉(zhuǎn)電位器處于零位。
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