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單晶生長操作規(guī)程講解-wenkub.com

2025-01-07 12:20 本頁面
   

【正文】 E 爐內(nèi)漏水或觀察窗玻璃裂開。 ⑨在熔體結晶 15分鐘時,快速升坩堝并頂起導流筒100mm。 c 停水后水壓無法恢復,或恢復時結晶大于 10分鐘 ①快速提升晶體或籽晶,距液面 150mm。 ②水壓恢復時,爐內(nèi)無嚴重氧化現(xiàn)象,熔體未結晶或已結晶但液面結晶小于 10分鐘且石英坩堝未破裂,按加熱功率開,調(diào)節(jié)功率到熔料功率。 LVd+AKL(dTL /dx)=AKS(dTS / dx) L 結晶潛熱 V 生長速度 d 硅的密度 A 固液界面的截面積 KL 液體熱傳導系數(shù) dTL /dx 臨近界面 KS 固體熱傳導系數(shù) 10 .放肩 ①放到一定的拉速 . ② 恒定降溫方式 . 單晶生長操作規(guī)程講解 : ①轉肩時的大小與拉速( 24mm/min). ② 降低拉速,跟進堝跟比和隨動 . ③ 確認等徑參數(shù),投入自動 . ④ 斷棱和回熔 : ①根據(jù)堝底料的多少判斷是否要收尾 . ② 控制溫度和拉速 . ③ 降功率、停爐冷
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