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單晶生長(zhǎng)操作規(guī)程講解-文庫吧在線文庫

2025-02-12 12:20上一頁面

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【正文】 ②待熔體結(jié)晶 15分鐘時(shí),快速提升坩堝并頂起導(dǎo)流筒 100mm。 單晶生長(zhǎng)操作規(guī)程講解 拉晶過程中常見事故和處理 A 停水 a 發(fā)生停水時(shí),立即檢查(自動(dòng)打開的)或打開停水爐子的事故水進(jìn)水閥。單晶生長(zhǎng)操作規(guī)程講解 : 裝好爐的幾個(gè)關(guān)鍵問題: : ?防止雜質(zhì)影響單晶位錯(cuò)的產(chǎn)生 . ② 使氧化物通暢的排除 . : ?間隙 ②是否使?fàn)t子與其他石墨件絕緣 : ?坩堝質(zhì)量 . ② 潔凈的手套 . ③ 裝料的方法,盡量讓大料在底部,少裝在上口 . ④ 用吸塵器吸走硅渣,灰塵。 LVd+AKL(dTL /dx)=AKS(dTS / dx) L 結(jié)晶潛熱 V 生長(zhǎng)速度 d 硅的密度 A 固液界面的截面積 KL 液體熱傳導(dǎo)系數(shù) dTL /dx 臨近界面 KS 固體熱傳導(dǎo)系數(shù) 10 .放肩 ①放到一定的拉速 . ② 恒定降溫方式 . 單晶
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