高三化學(xué)總復(fù)習(xí)晶體結(jié)構(gòu)2-文庫吧資料
2024-11-27 03:02本頁面
【正文】 12 12 30 30 4＋ 4－ 6 6＋ 8－ 12 8＋ 6－ 12 12＋ 20－ 30 20＋ 12－ 30 規(guī) 律 1 總結(jié)歸納，敘述規(guī)律。 (2)石墨晶體每一層內(nèi)碳原子數(shù)與碳一碳化學(xué)鍵之比是 ； （ 3） ng碳原子可構(gòu)成 個正六邊形。其成鍵方式圖為： 由圖可以看出：每個 C— C單鍵為 2個碳原子所擁有，故每個碳原子占有2 1/2=1條 C－ C單鍵，分子中共有1 60=60條 C— C單鍵；每個 C=C雙鍵為 2個碳原子所擁有，故每個碳原子占有 1 1/2=1/2條 C=C雙鍵，分子中共有 1/2 60=30條 C=C雙鍵。 (3)一個晶胞的體積是多少 ？ (4)金晶體的密度是多少？ 4 在立方體各個面的對角線上 3個金原子彼此兩兩相切 （三）晶體中點(diǎn)、線、面的關(guān)系 [例 1] C60是碳單質(zhì)家族中的新成員，已知每個碳原子與其它三個碳原子相連。金原子的直徑為 d， 用 NA表示阿伏加德羅常數(shù)， M表示金的摩爾質(zhì)量。 （ 1） FexO中的 x值（精確至 ）為 ； （ 2）晶體雖的 Fen+分別為 Fe2+和 Fe3+， 在 Fe2+和 Fe3+的總數(shù)中， Fe2+所占分?jǐn)?shù) （用小數(shù)表示）為 ； （ 3）此晶體的化學(xué)式為 ； （ 4）與某個 Fe2+或 Fe3+距離最近且距離相等的 O2－ 離子圍成的空間幾何形狀是 ； （ 5）在晶體中鐵元素的離子間最短距離為 m。a 3) （二）晶體密度、粒子間距離的計(jì)算 [例 2]右圖為 NaCl晶胞結(jié)構(gòu) ,已知 FexO晶體晶胞結(jié)構(gòu)為 NaCl型，由于晶體缺陷， x值小于 1。 （ 3） 若 NaCl晶體的密度為 ρg/cm3， 則 NaCl晶體中 Na＋ 與 Na十 之間的最短距離是多少 ？ 8 1/8＋ 6 1/2＝ 4 1＋ 12 1／ 4＝ 4ρ＝ m/V＝ n 試回答： （ 1） 一個 NaCl晶胞中有 個Na＋ ， 有 個 Cl－ 。NaMgAl 物質(zhì)熔沸點(diǎn)的一般規(guī)律 不同晶型的熔沸點(diǎn)： 原子晶體 離子晶體 分子晶體 （ 金屬晶體的熔沸點(diǎn)有的很高 ， 如鎢 、 鉑等；有的則很低 ，如汞等 ） [例 1]右圖為 NaCl晶胞的結(jié)構(gòu)示意圖 。 同系物熔沸點(diǎn)的比較 2）同分異構(gòu)體：支鏈越多沸點(diǎn)越低 正戊烷 異戊烷 新戊烷 金屬晶體：比較金屬鍵，熔沸點(diǎn)同族從上到下減小，同周期 從左到右增大。 CF4 CCl4 CBr4 CI4。 例：下列性質(zhì)適合分子晶體的是（ ） B C 1070℃ ，易溶于水，水溶液能導(dǎo)電； ℃ ，液態(tài)不導(dǎo)電，水溶液能導(dǎo)電； CS2， 熔點(diǎn) ℃ ，沸點(diǎn) ℃ ℃ ，質(zhì)軟，導(dǎo)電，密度 例 2:據(jù)下列物質(zhì)的性質(zhì)，判斷屬于原子晶體是（ ） ，硬度小，熔點(diǎn) 56℃ ，固態(tài)或液態(tài)時不導(dǎo)電； 3410℃ ，導(dǎo)電性好，延展性強(qiáng)； 3550℃ ，不導(dǎo)電，不溶于水及有機(jī)溶劑，質(zhì)硬 800℃ ，易溶于水，熔化時能導(dǎo)電 C 離子晶體：比較離子鍵強(qiáng)弱，離子半徑越小，電荷越多，熔 沸點(diǎn)越高 MgOMgCl2NaClKClKBr 原子晶體：比較共價鍵強(qiáng)弱（看鍵能和鍵長） 金剛石 (C) 水晶 (SiO2) SiC Si 分子晶體：比較分子間力 1）組成和結(jié)構(gòu)相似時，分子量越大熔沸點(diǎn)越高 F2Cl2Br2I2 。頂角和面心的原子是鈦原子，棱的中心和體心的原子是碳原子，則它的化學(xué)式是（ ） 此題給出的是分子簇結(jié)構(gòu)而非晶體結(jié)構(gòu)，故只需數(shù)出原子的數(shù)目即可。某氧化鎳樣品組成為 , 試計(jì)算該晶體中 Ni3+與 Ni2+的離子數(shù)之比 六、晶體常見題型 （一）求晶體化學(xué)式的確定 C 例 1（ 西安市競賽題 ） 右圖所示晶體結(jié)構(gòu)是一種具有優(yōu)良的壓電 、 鐵電 、 電光等功能的晶體材料的最小結(jié)構(gòu)單元（ 晶胞 ） 。mol1). （ 2） 天然的和絕大部分人工制備的晶體都存在各種缺陷，例如在某種 NiO晶體中就存在如右圖所示的缺陷：一個 Ni2+空缺，另有兩個 Ni2+被兩個 Ni3+所取代。 ⑵在上述假設(shè)下，聯(lián)想晶胞結(jié)構(gòu)，并取其一個面來觀察，得如右圖所示關(guān)系：在△ abc中，因 ac= 2 1010m=4R R= 1010m
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