核磁共振譜、紅外光譜和質(zhì)-文庫(kù)吧資料
2024-08-17 16:31本頁(yè)面
【正文】 C H 3C H 3C HC H 3A結(jié)構(gòu)為： C H 3C HC H 3C HC H 3C H 335 例 3：有一化合物分子式為 C9H12O， 1HNMR為： 推測(cè)結(jié)構(gòu)。 它們的峰面積比一般等于二項(xiàng)式 (a+b)m的展開(kāi)式各系數(shù)之比， m=分裂峰數(shù) –1 32 分裂峰數(shù) 分裂峰的相對(duì)強(qiáng)度 1 (a+b)0 1 2 (a+b)1 1︰ 1 3 (a+b)2 1︰ 2︰ 1 4 (a+b)3 1︰ 3︰ 3︰ 1 5 (a+b)4 1︰ 4︰ 6︰ 4︰ 1 6 (a+b)5 1︰ 5︰ 10︰ 10︰ 5︰ 1 5. 1HNMR譜圖分析 例 1：某化合物 A分子式為 C8H10， 1HNMR為： δH ( t ,3H ) ( q ,2H ) ( b ,5H )ppm 推測(cè) A的結(jié)構(gòu)。 例：見(jiàn) 圖 C H 3 C H 2 B rb aHb： 三重峰， 3H Ha： 四重峰， 2H HC C H b CH ca注意： Hb有兩種相鄰氫， Jba≠ Jbc 不遵守 n+1規(guī)律，出現(xiàn)多重峰。 29 偶合常數(shù)只與化學(xué)鍵性質(zhì)有關(guān)而與外加磁場(chǎng)強(qiáng)度或核磁共振儀所用的射頻無(wú)關(guān)。 28 C CH aH b發(fā)生偶合 C CH aH a不發(fā)生偶合 C CH aCH b不發(fā)生偶合 2). 偶合常數(shù) 偶合 –分裂的一組峰中，兩個(gè)相鄰峰之間的距離稱為偶合常數(shù)，用字母 J表示，其單位為赫茲（ Hz），氫核 a與 b偶合常數(shù)叫 Jab， 氫核 b與 a偶合常數(shù)叫 Jba， Jab= Jba J = △ δ 所用儀器頻率 Jab：表示質(zhì)子 a被質(zhì)子 b裂分。 27 H b氫核 b 被氫核 a裂分 1個(gè)氫核 a自旋存在 2種組合 3個(gè)氫核 a自旋存在 4種組合 把分子中位置相近的質(zhì)子之間自旋的相互影響稱為自旋 自旋偶合。 ④ 2個(gè) Ha的磁矩與外加磁場(chǎng)反向平行， 1個(gè) Ha的磁矩都與外加磁場(chǎng)同向平行。 ② 3個(gè) Ha的磁矩都與外加磁場(chǎng)反向平行。 26 b. 氫核 b 的共振吸收峰受氫核 a影響發(fā)生裂分的情況： 若沒(méi)有 Ha， Hb 在外加磁場(chǎng)強(qiáng)度 H′時(shí)發(fā)生自旋反轉(zhuǎn)。 這兩個(gè)峰的面積比為 1:1， Ha的化學(xué)位移按兩個(gè)峰的中點(diǎn)計(jì)算。 若有 Hb時(shí)， Hb的磁矩可與外加磁場(chǎng)同向平行或反向平行，這兩種機(jī)會(huì)相等。 a. 氫核 a的共振吸收峰受氫核 b影響發(fā)生裂分的情況： 氫核 a除受到外加磁場(chǎng)、 氫核 a周圍電子的屏蔽效應(yīng)外，還受到相鄰 C1上的氫核 b自旋產(chǎn)生的磁場(chǎng)的影響。 6). 常見(jiàn)化合物的化學(xué)位移范圍 23 R C H201234567891 01 11 21 3T M SO C H C H2C H2C H2C H2C H2XC H2OC H2N O2C C HA r HRCHORCO HO4. 自旋裂分 1). 相鄰氫的偶合 例： 1， 1二氯乙烷，分子中有 2種氫，它的譜圖中應(yīng)出現(xiàn) 2組峰。 峰面積用電子積分儀來(lái)測(cè)量，在譜圖上通常用階梯曲線來(lái)表示，階梯曲線就是積分曲線。 例： C CHHB rH有三種不等價(jià)質(zhì)子 HHHHC H 3Habc cdd有四種不等價(jià)質(zhì)子 22 5). 積分曲線 在 1HNMR譜圖中，有幾組峰表示樣品中有幾種質(zhì)子。 21 有機(jī)分子中有幾種質(zhì)子，在譜圖上就出現(xiàn)幾組峰。 例： C H 3 C H 2 C H 31 2 3將 C1上的一個(gè) H被 Cl取代得 C l C H 2 C H 2 C H 3將 C3上的一個(gè) H被 Cl取代得 C H 3 C H 2 C H 2 C l所以兩個(gè)甲基上的 6個(gè) H是等價(jià)的。 20 4). 等價(jià)質(zhì)子和不等價(jià)質(zhì)子 不等價(jià)質(zhì)子：化學(xué)位移不同的質(zhì)子 (不同化學(xué)環(huán)境的質(zhì)子 )。 例 3： HHHH HHH HHHHHHHHHHHδ= ppm δ=－ 環(huán)內(nèi)質(zhì)子處于屏蔽區(qū)。 18 c. 叁鍵 CCHHHo 氫處于屏蔽區(qū)，化學(xué)位移 δ值一般在 。苯環(huán)上的質(zhì)子在環(huán)外，處于去屏蔽區(qū)，因此，苯環(huán)上的質(zhì)子出現(xiàn)在低場(chǎng)，化學(xué)位移 δ值較大，一般 δ=7~8 ppm。 注意： 0 1 2 3 4 5 10 9 8 7 6 11 12 δ（ ppm） 移向高場(chǎng)（屏蔽） 移向低場(chǎng)（去屏蔽） 16 3).影響化學(xué)位移的因素 ① 誘導(dǎo)效應(yīng) 例： C H3 F C H 3 C l C H 3 B r C H 3 I鹵素原子電負(fù)性增大 氫的屏蔽效應(yīng)減小 δ（ ppm） 例： C H3 C lC H C l 3 C H 2 C l 2δ（ ppm） ② 結(jié)構(gòu)對(duì)化學(xué)位移的影響 芳環(huán)、雙鍵和叁鍵化合物的各向異性。由于數(shù)字太小，所以乘以106，單位用 ppm表示。 這樣在有機(jī)分子中加入少量的 TMS， 則 有機(jī)分子的質(zhì)子信號(hào)都在 TMS信號(hào)的左邊出現(xiàn) 。高磁場(chǎng) 低磁場(chǎng) 有屏蔽 無(wú)屏蔽 14 2). 化學(xué)位移 定義：由于氫質(zhì)子在分子中的環(huán)境不同，屏蔽效應(yīng)不同，
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