【正文】 C H 3C HC H 3C HC H 3C H 335 例 3：有一化合物分子式為 C9H12O， 1HNMR為： 推測結(jié)構(gòu)。 它們的峰面積比一般等于二項式 (a+b)m的展開式各系數(shù)之比， m=分裂峰數(shù) –1 32 分裂峰數(shù) 分裂峰的相對強度 1 (a+b)0 1 2 (a+b)1 1︰ 1 3 (a+b)2 1︰ 2︰ 1 4 (a+b)3 1︰ 3︰ 3︰ 1 5 (a+b)4 1︰ 4︰ 6︰ 4︰ 1 6 (a+b)5 1︰ 5︰ 10︰ 10︰ 5︰ 1 5. 1HNMR譜圖分析 例 1：某化合物 A分子式為 C8H10， 1HNMR為： δH ( t ,3H ) ( q ,2H ) ( b ,5H )ppm 推測 A的結(jié)構(gòu)。 例：見 圖 C H 3 C H 2 B rb aHb： 三重峰， 3H Ha： 四重峰， 2H HC C H b CH ca注意： Hb有兩種相鄰氫， Jba≠ Jbc 不遵守 n+1規(guī)律，出現(xiàn)多重峰。 29 偶合常數(shù)只與化學(xué)鍵性質(zhì)有關(guān)而與外加磁場強度或核磁共振儀所用的射頻無關(guān)。 28 C CH aH b發(fā)生偶合 C CH aH a不發(fā)生偶合 C CH aCH b不發(fā)生偶合 2). 偶合常數(shù) 偶合 –分裂的一組峰中，兩個相鄰峰之間的距離稱為偶合常數(shù)，用字母 J表示，其單位為赫茲（ Hz），氫核 a與 b偶合常數(shù)叫 Jab， 氫核 b與 a偶合常數(shù)叫 Jba， Jab= Jba J = △ δ 所用儀器頻率 Jab：表示質(zhì)子 a被質(zhì)子 b裂分。 27 H b氫核 b 被氫核 a裂分 1個氫核 a自旋存在 2種組合 3個氫核 a自旋存在 4種組合 把分子中位置相近的質(zhì)子之間自旋的相互影響稱為自旋 自旋偶合。 ④ 2個 Ha的磁矩與外加磁場反向平行， 1個 Ha的磁矩都與外加磁場同向平行。 ② 3個 Ha的磁矩都與外加磁場反向平行。 26 b. 氫核 b 的共振吸收峰受氫核 a影響發(fā)生裂分的情況： 若沒有 Ha， Hb 在外加磁場強度 H′時發(fā)生自旋反轉(zhuǎn)。 這兩個峰的面積比為 1:1， Ha的化學(xué)位移按兩個峰的中點計算。 若有 Hb時， Hb的磁矩可與外加磁場同向平行或反向平行，這兩種機會相等。 a. 氫核 a的共振吸收峰受氫核 b影響發(fā)生裂分的情況： 氫核 a除受到外加磁場、 氫核 a周圍電子的屏蔽效應(yīng)外，還受到相鄰 C1上的氫核 b自旋產(chǎn)生的磁場的影響。 6). 常見化合物的化學(xué)位移范圍 23 R C H201234567891 01 11 21 3T M SO C H C H2C H2C H2C H2C H2XC H2OC H2N O2C C HA r HRCHORCO HO4. 自旋裂分 1). 相鄰氫的偶合 例： 1， 1二氯乙烷，分子中有 2種氫，它的譜圖中應(yīng)出現(xiàn) 2組峰。 峰面積用電子積分儀來測量，在譜圖上通常用階梯曲線來表示，階梯曲線就是積分曲線。 例： C CHHB rH有三種不等價質(zhì)子 HHHHC H 3Habc cdd有四種不等價質(zhì)子 22 5). 積分曲線 在 1HNMR譜圖中，有幾組峰表示樣品中有幾種質(zhì)子。 21 有機分子中有幾種質(zhì)子，在譜圖上就出現(xiàn)幾組峰。 例： C H 3 C H 2 C H 31 2 3將 C1上的一個 H被 Cl取代得 C lC H 2 C H 2 C H 3將 C3上的一個 H被 Cl取代得 C H 3 C H 2 C H 2 C l所以兩個甲基上的 6個 H是等價的。 20 4). 等價質(zhì)子和不等價質(zhì)子 不等價質(zhì)子：化學(xué)位移不同的質(zhì)子 (不同化學(xué)環(huán)境的質(zhì)子 )。 例 3： HHHH HHH HHHHHHHHHHHδ= ppm δ=－ 環(huán)內(nèi)質(zhì)子處于屏蔽區(qū)。 18 c. 叁鍵 CCHHHo 氫處于屏蔽區(qū)，化學(xué)位移 δ值一般在 。苯環(huán)上的質(zhì)子在環(huán)外，處于去屏蔽區(qū)，因此，苯環(huán)上的質(zhì)子出現(xiàn)在低場，化學(xué)位移 δ值較大，一般 δ=7~8 ppm。 注意： 0 1 2 3 4 5 10 9 8 7 6 11 12 δ（ ppm） 移向高場（屏蔽） 移向低場（去屏蔽） 16 3).影響化學(xué)位移的因素 ① 誘導(dǎo)效應(yīng) 例： C H3 F C H 3 C l C H 3 B r C H 3 I鹵素原子電負(fù)性增大 氫的屏蔽效應(yīng)減小 δ（ ppm） 例： C H3 C lC H C l 3 C H 2 C l 2δ（ ppm） ② 結(jié)構(gòu)對化學(xué)位移的影響 芳環(huán)、雙鍵和叁鍵化合物的各向異性。由于數(shù)字太小，所以乘以106，單位用 ppm表示。 這樣在有機分子中加入少量的 TMS， 則 有機分子的質(zhì)子信號都在 TMS信號的左邊出現(xiàn) 。高磁場 低磁場 有屏蔽 無屏蔽 14 2). 化學(xué)位移 定義：由于氫質(zhì)子在分子中的環(huán)境不同，屏蔽效應(yīng)不同，它們的共振吸收位置出現(xiàn)在不同磁場強度，用來 表示這種不同位置的量叫化學(xué)位移。去屏蔽使吸收移向低場。而有機分子中的質(zhì)子，由于屏蔽效應(yīng)，必須在外加磁場強度略大于 Ho時才發(fā)生共振。 這樣使氫核受到外加磁場的影響要比實際外加磁場強度小，這種效應(yīng)叫屏蔽效應(yīng)。 獨立質(zhì)子和有機分子中的氫不同，在有機分子中，原子以化學(xué)鍵相連，不可能單獨存在，在原子的周圍總有電子運動。 目前常用的儀器有 60MHz、 90MHz、 100MHz、 400MHz、 600MHz，兆赫數(shù)越大，分辨率越高。當(dāng)磁場強度增加到一定值時： hν 2