微機(jī)接口第六章存儲(chǔ)器-文庫(kù)吧資料
2025-06-01 08:16本頁(yè)面
【正文】 半以上。 ※ 閃速存儲(chǔ)器可以被擦除和重新編程幾十萬次而不會(huì)失效。 ※ 閃速存儲(chǔ)器可實(shí)現(xiàn)大規(guī)模電擦除。 E2PROM的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是 擦除可以按字節(jié)分別進(jìn)行 （ 不像 EPROM擦除時(shí)把整個(gè)片子的內(nèi)容全變?yōu)?“ 1”） 。 2764結(jié)構(gòu)框圖 VCC PGM NC A8 A9 A11 OE A10 CE D7 D6 D5 D4 D3 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 2764 VPP A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND 封裝及引腳 2764封裝圖 ? A0～ A12 地址輸入， 213=8192=8K ? D0～ D7 雙向數(shù)據(jù)線 ? VPP 編程電壓輸入端 ? OE 輸出允許信號(hào) ? CE 片選信號(hào) ? PGM 編程脈沖輸入端，讀數(shù)據(jù) 時(shí)， PGM=1 操作方式 讀 輸出禁止 備用 (功率下降 ) 編程禁止 編程 Intel 編程 校驗(yàn) Intel 標(biāo)識(shí)符 CE OE PGM A9 Vpp Vcc 輸出 L L H H L L L L L H X X H H L L H H X X L L H H X X X X X X X H Vcc Vcc Vcc Vcc Vcc Vcc Vcc Vcc Vcc Vcc Vcc Vpp Vpp Vpp Vpp Vcc DOUT 高阻 高阻 高阻 DIN DIN DOUT 編碼 2764操作方式 2764中第 26腳為 NC， 若改為 A13， 則為27128芯片封裝圖 ， 27128是一塊 16K 8bit的 EPROM芯片 ， 其操作與 2764相同 。 Intel2764 芯 片 是 一 塊 8K 8bit 的EPROM芯片 ， 如圖所示： 允許輸出和片選邏輯 CE A0~A12 Y譯碼 X譯碼 輸出緩沖 Y門 8K?8位 存儲(chǔ)矩陣 … OE 數(shù)據(jù)輸出 ... (3) E2PROM電可擦除。 圖 EPROM的基本存儲(chǔ)電路和 FAMOS結(jié)構(gòu) P P S D SIO2 SIO2 +++ N基底 源極 漏極 多晶硅浮置柵 字選線 浮置柵 場(chǎng)效應(yīng)管 位線 (a) EPROM的基本存儲(chǔ)結(jié)構(gòu) (b) 浮置柵雪崩注入型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu) 特點(diǎn)： (1) 可以多次修改擦除。 三、可擦除、可編程 ROM（ EPROM） 在實(shí)際工作中 ， 一個(gè)新設(shè)計(jì)的程序往往需要經(jīng)歷調(diào)試 、 修改過程 ， 如果將這個(gè)程序?qū)懺?ROM和PROM中 ， 就很不方便了 。 (2) 用戶根據(jù)自己需要對(duì)其進(jìn)行設(shè)置 (編程 )。 若準(zhǔn)備寫入 1， 則向位線送高電平 ， 此時(shí)管子截止 ， 熔絲將被保留；若準(zhǔn)備寫入 0， 則向位線送低電平 ， 此時(shí)管子導(dǎo)通 ， 控制電流使熔絲燒斷 ， 不可能再恢復(fù) ， 故只能進(jìn)行一次編程 。 圖 串接了一個(gè)可熔金屬絲 ， 出廠時(shí) ， 所有存儲(chǔ)單元的熔絲都是完好的 。 A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 圖 一種雙極型 ROM的結(jié)構(gòu)圖 存儲(chǔ)單元的工作原理仍為當(dāng)某一行被選中時(shí)，連到存儲(chǔ)管子的基極信號(hào)為“ 1”，各列若有管子與此選擇線相連，則管子導(dǎo)通，輸出為“ 0”，在輸出電路中經(jīng)過反相，實(shí)際輸出為“ 1”；若沒有管子與此選擇線相連，則存儲(chǔ)矩陣輸出為“ 1”，經(jīng)過輸出電路反相，輸出為“ 0”。 A5 A6 A7 A8 A9 A0 A1 A2 A3 A4 VCC …… … 圖 復(fù)合譯碼的 MOS ROM電路 ROM電路 雙極型 ROM的速度比 MOS ROM快，它的取數(shù)時(shí)間約為幾十 ns，可用于速度要求較高的微機(jī)系統(tǒng)中。 10條地址信號(hào)線分成兩組，分別經(jīng)過 X和 Y譯碼，各產(chǎn)生 32條選擇線。 R R R R VCC 1 2 3 4 字線 位 4 位 3 位 2 位 1 輸出數(shù)據(jù)位 圖 二極管 ROM 二極管 ROM陣列 4 3 2 1 位 字 1 2 3 4 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 1 1 0 1 0 用 MOS三極 管取代二極管便構(gòu)成了 MOS ROM陣列 字線 1 字線 2 字線 3 字線 4 字 地 址 譯 碼 器 VDD D4 D3 D2 D1 A1 A0 00 01 10 11 位線1 位線2 位線3 位線4 4 3 2 1 位 字 1 2 3 4 0 0 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 0 1 0 0 D4 D3 D2 D1 圖 MOS管 ROM陣列 從二極管 ROM和 MOS ROM的介紹可知，這種存儲(chǔ)矩陣的內(nèi)容完全取決于芯片制造過程，而一旦制造好以后，用戶是無法變更的。 圖 4 4位的存儲(chǔ)矩陣，地址譯碼采用單譯碼方式，它通過對(duì)所選定的某字線置成低電平來選擇讀取的字。 (2) 用于產(chǎn)品批量生產(chǎn)。 輸出電路 Y 譯碼 存儲(chǔ)矩陣 X 譯 碼 控 制 邏 輯 地 址 碼 隨后由列選通信號(hào) CAS選通 8位列地址并鎖存 ， 16位地址可選中 64K存儲(chǔ)單元中的任何一個(gè)單元 。 為了減少地址線引腳數(shù)目 ， 采用
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