【正文】 儲單元個數(shù) 每個存儲單元的位數(shù) 常用單位： MB、 GB、 TB 其中： 1kB=210B 1M=210kB=220B 1GB=210MB=230B 1TB=210GB=240B 2. 存取時間 存取時間 又稱存儲器訪問時間 。 (2) 集成度高 ， 功耗低 。 如圖 1024 1位的 MOS ROM電路。 (2) EPROM通過紫外線光源擦除 (編程后，窗口應(yīng)貼上不透光膠紙 )。 特點： (1) 固有的非易失性 它不同于靜態(tài) RAM，不需要備用電池來確保數(shù)據(jù)存留，也不需要磁盤作為動態(tài) RAM的后備存儲器。 (4) 劃分 RAM、 ROM區(qū)，地址分配，畫出 地址分配圖。究竟輸出(Y0~Y7)中是哪個有效，則由選擇輸入 C、 B及 A三端狀態(tài) 決定。 34H 12H 字節(jié)變量 78H 56H 字節(jié)變量 (1) 偶數(shù)存儲體與 8086的 D0～ D7相連。 A13~A1 CE 6264 3 偶體 CE 2732 2 偶體 CE 2732 1 偶體 CE 6264 3 奇體 CE 2732 1 奇體 CE 2732 2 奇體 amp。 Y7 A B C G2A G2B 74LS138 G1 Y0 Y1 b. 每組的地址區(qū)間是確定的、唯一的。 3. 存儲器的地址分配和選片問題。 圖 E2PROM結(jié)構(gòu)示意圖 +VG +VD 五、 Flash存儲器 閃速存儲器 （ Flash Memory） 是一種新型的半導(dǎo)體存儲器 ， 由于它具有可靠的 非易失性 、 電擦除性 以及 低成本 ， 對于需要實施代碼或數(shù)據(jù)更新的嵌入式應(yīng)用是一種理想的存儲器 ， 而且它在固有性能和成本方面有較明顯的優(yōu)勢 。 (3) 只能使用一次，一旦進行了編程不能擦除片內(nèi)信息。 (3) 可由二極管和三極管電路組成。因此，共需地址線 13條，即 A12~A0；數(shù)據(jù)線 8條即 I/O8~I/O WE、 OE、 CECE2的共同作用決定了 SRAM 6264的操作方式，如表 。 3. 地址寄存器 用于存放 CPU訪問存儲單元的地址，經(jīng)譯碼驅(qū)動后指向相應(yīng)的存儲單元。 特點 ： CPU不能直接訪問 ， 配備專門設(shè)備才能進行交換信息 ， 容量大 ，存取速度慢 。 記憶單元是一種能表示二進制 “ 0 ”和“ 1”的狀態(tài)并具有記憶功能的 物理器件 ， 如電容 、 雙穩(wěn)態(tài)電路等 。 AB 地 址 寄 存 器 MAR 地 址 譯 碼 器 存 儲 體 M 讀 寫 驅(qū) 動 器 數(shù) 據(jù) 寄 存 器 MDR DB … … 控制邏輯 啟動 片選 讀 /寫 圖 存儲器的基本組成 1. 存儲體 基本存儲電路是組成存儲器的基礎(chǔ)和核心，它用于存放一位二進制信息 “ 0”或 “ 1”。 指啟動一次存儲器操作到完成該操作所需的時間 tA。 典型的動態(tài) RAM芯片 一種典型的 DRAM如 Intel 2164。 10條地址信號線分成兩組，分別經(jīng)過 X和 Y譯碼，各產(chǎn)生 32條選擇線。 (3) E2PROM電可擦除。 (2) 經(jīng)濟的高密度 Intel的 1M位閃速存儲器的成本按每位計要比靜態(tài) RAM低一半以上。 一般指存儲器的 WE、 OE、 CS等與 CPU的 RD、 WR等相連 ， 不同的存儲器和 CPU連接時其使用的控制信號也不完全相同 。CBA=000時， Y0有效， CBA=001時， Y1有效，依此類推。 (2) 奇數(shù)存儲體與 8086中 D8～ D15相連。 amp。 存儲器的地址范圍為 : 04000H~07FFFH 全 0 ~ 全 1 1 0 0 3組 02022H~03FFFH 全 0 ~ 全 1 1 0 0 0 2組 00000H~01FFFH 全 0 ~ 全 1 0 0 0 0 1組 地址范圍 A12…… A1A0 A13 A14 A15 A16 A17 A18 A19 芯片 注：高位地址線 A1 A1 A17未使用表示取 0、 1均可，此處用 0代替，所以每塊芯片將同時有 23=8個重疊區(qū)。 a. 譯碼電路復(fù)雜。 一般選高速存儲器 ， 避免需要在 CPU有關(guān)時序中插入 TW， 降低 CPU速度 ， 增加 WAIT信號產(chǎn)生電路 。 E2PROM的另一個優(yōu)點是 擦除可以按字節(jié)分別進行 （ 不像 EPROM擦除時把整個片子的內(nèi)容全變?yōu)?“ 1”） 。 (2) 用戶根據(jù)自己需要對其進行設(shè)置 (編程 )。 (2) 用于產(chǎn)品批量生產(chǎn)。 圖 SRAM 6264芯片的引腳圖，其容量為 8K 8位，即共有 8K（ 213）個單元，每單元 8位。 A0 A1 A2 A3 A4 X0 X31 ... W0,0 W31,0 W0,31 W31,31 Y0 Y31 基本存儲電路 R/W控制 Y(列 )地址譯碼及 I/O控制 數(shù)據(jù)輸入 數(shù)據(jù)輸出 A5 A6 A7 A8 A9 … X (行 ) 地 址 譯 碼 器 圖 雙譯碼結(jié)構(gòu)示意圖 單譯碼方式 主要用于容量小的存儲器， 雙譯碼方式 可大大減少譯碼輸出選擇線的數(shù)目，適用于大容量的存儲器。 2. 外存儲器 ( 外存 ) 功能 ：存儲當(dāng)前不參加運行的程序和數(shù)據(jù)。 一個記憶單元能夠存儲二進制的一位 。若干記憶單元（或稱基本存儲電路）組成一個存儲單元，一個存儲單元一般存儲一個字節(jié)，即存放 8位二進制信息，存儲體是存儲單元的集合體。 3. 存取周期 存取周期 是連續(xù)啟動兩次獨立的存儲器操作所需的最小的時間間隔 TC， 一般TC≥tA 。 2164是 64K 1位的DRAM芯片 ， 片內(nèi)含有 64K個存儲單元 ， 所以 ， 需要 16位地址線尋址 。 X譯碼輸出選中某一行，但這一行中，哪一個能輸出與 I/O電路相連，還取決于 Y譯碼輸出，故每次只選中一個單元。 典型的 EPROM芯片 常 用