微機(jī)接口第六章存儲(chǔ)器-預(yù)覽頁
【正文】 64K個(gè)存儲(chǔ)單元 ， 所以 ， 需要 16位地址線尋址 。 圖 (a) Intel 2164 DRAM芯片引腳圖 GND Din A7 A5 A4 A3 A6 Dout VCC A0 A1 A2 NC 2164 1 16 8 9 WE RAS CAS A0~A7：地址輸入 CAS：列地址選通 RAS：行地址選通 WE：寫允許 Din：數(shù)據(jù)輸入 Dout： 數(shù)據(jù)輸出 Vcc：電源 GND：地 圖 (b) Intel 2164 DRAM內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖 Dout WE Din CAS RAS A7 … A1 A0 8 位 地 址 鎖 存 器 128 128 矩陣 128個(gè)讀出放大器 1/2列譯碼 128個(gè)讀出放大器 128 128 矩陣 128 128 矩陣 128個(gè)讀出放大器 1/2列譯碼 128個(gè)讀出放大器 128 128 矩陣 4選1 I/O門控 輸出緩沖器 行時(shí) 鐘緩 沖器 列時(shí) 鐘緩 沖器 寫允 許時(shí) 鐘緩 沖器 數(shù)據(jù) 輸入 緩沖 器 包含： (1) 存儲(chǔ)體 (2)外圍電路 a. 地址譯碼器 b. 讀 /寫控制及 I/O電路 c. 片選控制 CS 二、 RAM的組成 只讀存儲(chǔ)器 (ROM) ROM主要由地址譯碼器、存儲(chǔ)矩陣、控制邏輯和輸出電路四部分組成（如圖 ），與 RAM不同之處是 ROM在使用時(shí)只能讀出，不能隨機(jī)寫入。 D7 D0 它包含有 (1) 地址譯碼器 (2) 存儲(chǔ)矩陣 (3) 控制邏輯 (4) 輸出電路 圖 ROM組成框圖 一、掩膜 ROM 特點(diǎn)： (1) 器件制造廠在制造時(shí)編制程序 ,用戶不能修改。位于矩陣交叉點(diǎn)并與位線和被選字線相連的二極管導(dǎo)通，使該位線上輸出電位為低電平，結(jié)果輸出為“ 0”，否則為“ 1”。 X譯碼輸出選中某一行，但這一行中，哪一個(gè)能輸出與 I/O電路相連，還取決于 Y譯碼輸出，故每次只選中一個(gè)單元。 二、可編程 ROM (PROM) 可編程 ROM（ PROM） 是一種 允許用戶編程一次的 ROM， 其存儲(chǔ)單元通常用二極管或三極管實(shí)現(xiàn) 。 圖 熔絲式 PROM的基本存儲(chǔ)結(jié)構(gòu) 特點(diǎn)： (1) 出廠時(shí)里面沒有信息。 EPROM是一種 可以多次進(jìn)行擦除和重寫的 ROM。 典型的 EPROM芯片 常 用 的 典 型 EPROM 芯 片 有 ： 2716（ 2K 8） 、 2732（ 4K 8） 、 2764（ 8K 8） 、27128（ 16K 8） 、 27256（ 32K 8） 、 27512（ 64K 8） 等 。 注意 : 四、電可擦除可編程 ROM（ EEPROM） E2PROM是一種 在線 （ 即不用拔下來 ） 可編程只讀存儲(chǔ)器 ， 它能像 RAM那樣隨機(jī)地進(jìn)行改寫 ， 又能像 ROM那樣在掉電的情況下所保存的信息不丟失 ， 即 E2PROM兼有 RAM和 ROM的雙重功能特點(diǎn) ， 如圖 。 ※ 閃速存儲(chǔ)器的擦除功能可迅速清除整個(gè)器件中所有內(nèi)容。閃速存儲(chǔ)器的成本僅比容量相同的動(dòng)態(tài) RAM稍高，但卻節(jié)省了輔助存儲(chǔ)器（磁盤）的額外費(fèi)用和空間。用戶不必再擔(dān)心工作條件變壞時(shí)磁盤會(huì)發(fā)生故障。 2. CPU的時(shí)序和存儲(chǔ)器芯片存取速度的配合 選擇存儲(chǔ)器芯片要盡可能 滿足 CPU取指令和讀寫存儲(chǔ)器的時(shí)序要求 。 (2) 整機(jī)存儲(chǔ)容量在整個(gè)存儲(chǔ)空間的位置。 4. 控制信號(hào)的連接 (二 ) 片選信號(hào)的產(chǎn)生 單片的存儲(chǔ)器芯片的容量是有限的 ， 整機(jī)的存儲(chǔ)器由若干芯片組成 ， 應(yīng)考慮到： 1. 地址的分配。 1. 低位片內(nèi)選址 2. 高位選擇芯片 (片選 ) 1. 線選法： CPU中用于 “ 選片 ” 的高位地址線 (即存儲(chǔ)器芯片未用完地址線 )若一根連接一組芯片的片選端 ， 該根線經(jīng)反相后 ， 連接另一組芯片的片選端 ， 這樣一條線可選中兩組芯片 ，這種方法稱之為 線選法 。 全譯碼法中，對(duì)剩余的全部高位地址線進(jìn)行譯碼稱為 全譯碼法。前一例采用門電路譯碼，后例采用 3~8譯碼器譯碼。單片 2764（ 8K 8位， EPROM）在高位地址 A19~A13=0001110時(shí)被選中 。 特點(diǎn)： (局部譯碼法 )： 圖 4. 22所示的電路，采用部分譯碼對(duì) 4個(gè) 2732芯片（ 4K 8位，EPROM）進(jìn)行尋址。 (1) 字的地址： 字的高字節(jié)放高地址 ， 低字節(jié)放低 地址 ， 低字節(jié)的地址作為字的地址 (2) 字的存放方式 ： a. 非規(guī)則存放 : 若一個(gè)字從奇數(shù)地址開始存放 b. 規(guī)則存放 : 若一個(gè)字從偶數(shù)地址開始存放 (3) 字的存放原則 ： 規(guī)則存放 二、簡(jiǎn)單的 8086存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的設(shè)計(jì) 圖 字的規(guī)則存放和非規(guī)則存放 字的規(guī)則存放 字的非規(guī)則存放 存儲(chǔ)器 地址 00200H 00201H 00202H 00203H 00204H 00205H 00206H (3) A1～ A19用來同時(shí)訪問兩個(gè)存儲(chǔ)體的字節(jié)單元。 ROM芯片 ， 8K字用 4片 2732芯片組成 ， 片內(nèi)用 12根地址線 A1~A12尋址 。 由于 ROM芯片容量為 4K 8位， 可用 A13和 Y0輸出進(jìn)行二次譯碼 ， 來選擇兩組 ROM芯片 ， 如圖 。 amp。 Y7 WR RD RD RD A13~A1 A12~A1 A12~A1 A12~A1 A12~A1 WR RD RD RD D7~D0 D15~D8 圖 8086 CPU與存儲(chǔ)器連接的舉例 A14 A15 A16 A0 M/IO A14 A15 A16 BHE A1
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