微機(jī)接口第六章存儲(chǔ)器-全文預(yù)覽
【正文】 浮置柵雪崩注入型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu) 特點(diǎn)： (1) 可以多次修改擦除。 (2) 用戶根據(jù)自己需要對(duì)其進(jìn)行設(shè)置 (編程 )。 圖 串接了一個(gè)可熔金屬絲 ， 出廠時(shí) ， 所有存儲(chǔ)單元的熔絲都是完好的 。 A5 A6 A7 A8 A9 A0 A1 A2 A3 A4 VCC …… … 圖 復(fù)合譯碼的 MOS ROM電路 ROM電路 雙極型 ROM的速度比 MOS ROM快，它的取數(shù)時(shí)間約為幾十 ns，可用于速度要求較高的微機(jī)系統(tǒng)中。 R R R R VCC 1 2 3 4 字線 位 4 位 3 位 2 位 1 輸出數(shù)據(jù)位 圖 二極管 ROM 二極管 ROM陣列 4 3 2 1 位 字 1 2 3 4 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 1 1 0 1 0 用 MOS三極 管取代二極管便構(gòu)成了 MOS ROM陣列 字線 1 字線 2 字線 3 字線 4 字 地 址 譯 碼 器 VDD D4 D3 D2 D1 A1 A0 00 01 10 11 位線1 位線2 位線3 位線4 4 3 2 1 位 字 1 2 3 4 0 0 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 0 1 0 0 D4 D3 D2 D1 圖 MOS管 ROM陣列 從二極管 ROM和 MOS ROM的介紹可知，這種存儲(chǔ)矩陣的內(nèi)容完全取決于芯片制造過程，而一旦制造好以后，用戶是無法變更的。 (2) 用于產(chǎn)品批量生產(chǎn)。 輸出電路 Y 譯碼 存儲(chǔ)矩陣 X 譯 碼 控 制 邏 輯 地 址 碼 為了減少地址線引腳數(shù)目 ， 采用行和列兩部分地址線各 8條 ， 內(nèi)部設(shè)有行 、 列地址鎖存器 。 特點(diǎn)： (1) 每次讀出后 ， 內(nèi)容被破壞 ， 要采取恢復(fù)措施 ， 即需要刷新 ， 外圍電路復(fù)雜 。 圖 SRAM 6264芯片的引腳圖，其容量為 8K 8位，即共有 8K（ 213）個(gè)單元，每單元 8位。 特點(diǎn)： (1) 不需要刷新，簡(jiǎn)化外圍電路。 4. 可靠性 可靠性指存儲(chǔ)器對(duì)電磁場(chǎng)及溫度等變化的抗干擾能力 。 6. 控制邏輯 接收來自 CPU的啟動(dòng)、片選、讀 /寫及清除命令，經(jīng)控制電路綜合和處理后，產(chǎn)生一組時(shí)序信號(hào)來控制存儲(chǔ)器的讀 /寫操作。 A0 A1 A2 A3 A4 X0 X31 ... W0,0 W31,0 W0,31 W31,31 Y0 Y31 基本存儲(chǔ)電路 R/W控制 Y(列 )地址譯碼及 I/O控制 數(shù)據(jù)輸入 數(shù)據(jù)輸出 A5 A6 A7 A8 A9 … X (行 ) 地 址 譯 碼 器 圖 雙譯碼結(jié)構(gòu)示意圖 單譯碼方式 主要用于容量小的存儲(chǔ)器， 雙譯碼方式 可大大減少譯碼輸出選擇線的數(shù)目，適用于大容量的存儲(chǔ)器。譯碼器輸出驅(qū)動(dòng) N根字線中的一根，每根字線由 M位組成。 2. 譯碼驅(qū)動(dòng)電路 該電路實(shí)際上包含譯碼器和驅(qū)動(dòng)器兩部分。 由于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器具有存取速度快 、集成度高 、 體積小 、 功耗低 、 應(yīng)用方便等優(yōu)點(diǎn) ，在此我們只討論 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 。 2. 外存儲(chǔ)器 ( 外存 ) 功能 ：存儲(chǔ)當(dāng)前不參加運(yùn)行的程序和數(shù)據(jù)。 存儲(chǔ)器的職能： ? 信息交換中心。 由若干記憶單元組成一個(gè)存儲(chǔ)單元 、 一個(gè)存儲(chǔ)單元能存儲(chǔ)一個(gè) 字 ， 字有 4位 、 8位 、 16位等稱之為字長(zhǎng) ， 字長(zhǎng)為 8時(shí) ， 稱一個(gè)字節(jié) 。? 存儲(chǔ)器概述 ? 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 ? 存儲(chǔ)器與 CPU的連接 ? 存儲(chǔ)器的工作原理 本章內(nèi)容 ? 了解存儲(chǔ)器的工作原理和外部特性 ? 掌握微機(jī)中存儲(chǔ)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu) ? 學(xué)會(huì)利用現(xiàn)有的存儲(chǔ)器芯片構(gòu)成所需內(nèi)存系統(tǒng)。 一個(gè)記憶單元能夠存儲(chǔ)二進(jìn)制的一位 。 ? 寫操作，破壞性。 特點(diǎn) ： CPU可以直接訪問并與其交換信 息 ， 容量小 ， 存取速度快 。 一般把半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片作為內(nèi)存 。若干記憶單元（或稱基本存儲(chǔ)電路）組成一個(gè)存儲(chǔ)單元，一個(gè)存儲(chǔ)單元一般存儲(chǔ)一個(gè)字節(jié)，即存放 8位二進(jìn)制信息，存儲(chǔ)體是存儲(chǔ)單元的集合體。 (1) 單譯碼方式 單譯碼方式是一個(gè) “ N中取 1”的譯碼器，如圖。當(dāng)字選擇線的根數(shù) N很大時(shí)， N=2p中的 p必然也大，這時(shí)可將 p分成兩部分，如： N=2p=2q+r=2q 2r=X Y，這樣便將對(duì) N的譯碼分別由 X譯碼和 Y譯碼兩部分完成。 5. 數(shù)據(jù)寄存器 用于暫時(shí)存放從存儲(chǔ)單元讀出的數(shù)據(jù)，或從CPU或 I/O端口送出的要寫入存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)。 3. 存取周期 存取周期 是連續(xù)啟動(dòng)兩次獨(dú)立的存儲(chǔ)器操作所需的最小的時(shí)間間隔 TC， 一般TC≥tA 。 圖 六管靜態(tài) RAM基本存儲(chǔ)電路 Y地址譯碼 Vcc V7 I / O V8 I / O V3 V4 V5 V2 V6 A V1 B Di Di X地址譯碼 圖中 V1V2是工作管 ， V3V4是負(fù)載管 ， V5V6是控制管 ，V7V8也是控制管 ， 它們?yōu)橥涣芯€上的存儲(chǔ)單元共用 。 典型的靜態(tài) RAM芯片如Intel 6116 （ 2K 8 位 ） ， 6264 （ 8K 8 位 ） ， 62128（ 16K 8位 ） 和 62256（ 32K 8位 ） 等 。 二、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 DRAM 刷新放大器 數(shù)據(jù) I/O線 T1 CS 行選擇信號(hào) 圖 單管 DRAM基本存儲(chǔ)元電路 T2 列選擇 信號(hào) 圖 RAM的基本存儲(chǔ)電路，由 MOS晶體管和一個(gè)電容 CS組成。 2164是 64K 1位的DRAM芯片 ， 片內(nèi)含有
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