微機(jī)接口第六章存儲(chǔ)器-免費(fèi)閱讀
【正文】 amp。 由于 ROM芯片容量為 4K 8位， 可用 A13和 Y0輸出進(jìn)行二次譯碼 ， 來(lái)選擇兩組 ROM芯片 ， 如圖 。 (3) A1～ A19用來(lái)同時(shí)訪問(wèn)兩個(gè)存儲(chǔ)體的字節(jié)單元。 (1) 字的地址： 字的高字節(jié)放高地址 ， 低字節(jié)放低 地址 ， 低字節(jié)的地址作為字的地址 (2) 字的存放方式 ： a. 非規(guī)則存放 : 若一個(gè)字從奇數(shù)地址開始存放 b. 規(guī)則存放 : 若一個(gè)字從偶數(shù)地址開始存放 (3) 字的存放原則 ： 規(guī)則存放 二、簡(jiǎn)單的 8086存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的設(shè)計(jì) 圖 字的規(guī)則存放和非規(guī)則存放 字的規(guī)則存放 字的非規(guī)則存放 存儲(chǔ)器 地址 00200H 00201H 00202H 00203H 00204H 00205H 00206H 單片 2764（ 8K 8位， EPROM）在高位地址 A19~A13=0001110時(shí)被選中 。 全譯碼法中，對(duì)剩余的全部高位地址線進(jìn)行譯碼稱為 全譯碼法。 4. 控制信號(hào)的連接 (二 ) 片選信號(hào)的產(chǎn)生 單片的存儲(chǔ)器芯片的容量是有限的 ， 整機(jī)的存儲(chǔ)器由若干芯片組成 ， 應(yīng)考慮到： 1. 地址的分配。 2. CPU的時(shí)序和存儲(chǔ)器芯片存取速度的配合 選擇存儲(chǔ)器芯片要盡可能 滿足 CPU取指令和讀寫存儲(chǔ)器的時(shí)序要求 。閃速存儲(chǔ)器的成本僅比容量相同的動(dòng)態(tài) RAM稍高，但卻節(jié)省了輔助存儲(chǔ)器（磁盤）的額外費(fèi)用和空間。 注意 : 四、電可擦除可編程 ROM（ EEPROM） E2PROM是一種 在線 （ 即不用拔下來(lái) ） 可編程只讀存儲(chǔ)器 ， 它能像 RAM那樣隨機(jī)地進(jìn)行改寫 ， 又能像 ROM那樣在掉電的情況下所保存的信息不丟失 ， 即 E2PROM兼有 RAM和 ROM的雙重功能特點(diǎn) ， 如圖 。 典型的 EPROM芯片 常 用 的 典 型 EPROM 芯 片 有 ： 2716（ 2K 8） 、 2732（ 4K 8） 、 2764（ 8K 8） 、27128（ 16K 8） 、 27256（ 32K 8） 、 27512（ 64K 8） 等 。 圖 熔絲式 PROM的基本存儲(chǔ)結(jié)構(gòu) 特點(diǎn)： (1) 出廠時(shí)里面沒(méi)有信息。 X譯碼輸出選中某一行，但這一行中，哪一個(gè)能輸出與 I/O電路相連，還取決于 Y譯碼輸出，故每次只選中一個(gè)單元。 D7 D0 它包含有 (1) 地址譯碼器 (2) 存儲(chǔ)矩陣 (3) 控制邏輯 (4) 輸出電路 圖 ROM組成框圖 一、掩膜 ROM 特點(diǎn)： (1) 器件制造廠在制造時(shí)編制程序 ,用戶不能修改。 2164是 64K 1位的DRAM芯片 ， 片內(nèi)含有 64K個(gè)存儲(chǔ)單元 ， 所以 ， 需要 16位地址線尋址 。 典型的靜態(tài) RAM芯片如Intel 6116 （ 2K 8 位 ） ， 6264 （ 8K 8 位 ） ， 62128（ 16K 8位 ） 和 62256（ 32K 8位 ） 等 。 3. 存取周期 存取周期 是連續(xù)啟動(dòng)兩次獨(dú)立的存儲(chǔ)器操作所需的最小的時(shí)間間隔 TC， 一般TC≥tA 。當(dāng)字選擇線的根數(shù) N很大時(shí)， N=2p中的 p必然也大，這時(shí)可將 p分成兩部分，如： N=2p=2q+r=2q 2r=X Y，這樣便將對(duì) N的譯碼分別由 X譯碼和 Y譯碼兩部分完成。若干記憶單元（或稱基本存儲(chǔ)電路）組成一個(gè)存儲(chǔ)單元，一個(gè)存儲(chǔ)單元一般存儲(chǔ)一個(gè)字節(jié)，即存放 8位二進(jìn)制信息，存儲(chǔ)體是存儲(chǔ)單元的集合體。 特點(diǎn) ： CPU可以直接訪問(wèn)并與其交換信 息 ， 容量小 ， 存取速度快 。 一個(gè)記憶單元能夠存儲(chǔ)二進(jìn)制的一位 。 由若干記憶單元組成一個(gè)存儲(chǔ)單元 、 一個(gè)存儲(chǔ)單元能存儲(chǔ)一個(gè) 字 ， 字有 4位 、 8位 、 16位等稱之為字長(zhǎng) ， 字長(zhǎng)為 8時(shí) ， 稱一個(gè)字節(jié) 。 2. 外存儲(chǔ)器 ( 外存 ) 功能 ：存儲(chǔ)當(dāng)前不參加運(yùn)行的程序和數(shù)據(jù)。 2. 譯碼驅(qū)動(dòng)電路 該電路實(shí)際上包含譯碼器和驅(qū)動(dòng)器兩部分。 A0 A1 A2 A3 A4 X0 X31 ... W0,0 W31,0 W0,31 W31,31 Y0 Y31 基本存儲(chǔ)電路 R/W控制 Y(列 )地址譯碼及 I/O控制 數(shù)據(jù)輸入 數(shù)據(jù)輸出 A5 A6 A7 A8 A9 … X (行 ) 地 址 譯 碼 器 圖 雙譯碼結(jié)構(gòu)示意圖 單譯碼方式 主要用于容量小的存儲(chǔ)器， 雙譯碼方式 可大大減少譯碼輸出選擇線的數(shù)目，適用于大容量的存儲(chǔ)器。 4. 可靠性 可靠性指存儲(chǔ)器對(duì)電磁場(chǎng)及溫度等變化的抗干擾能力 。 圖 SRAM 6264芯片的引腳圖，其容量為 8K 8位，即共有 8K（ 213）個(gè)單元，每單元 8位。 為了減少地址線引腳數(shù)目 ， 采用行和列兩部分地址線各 8條 ， 內(nèi)部設(shè)有行 、 列地址鎖存器 。 (2) 用于產(chǎn)品批量生產(chǎn)。 A5 A6 A7 A8 A9 A0 A1 A2 A3 A4 VCC …… … 圖 復(fù)合譯碼的 MOS ROM電路 ROM電路 雙極型 ROM的速度比 MOS ROM快，它的取數(shù)時(shí)間約為幾十 ns，可用于速度要求較高的微機(jī)系統(tǒng)中。 (2) 用戶根據(jù)自己需要對(duì)其進(jìn)行設(shè)置 (編程 )。 Intel2764 芯 片 是 一 塊 8K 8bit 的EPROM芯片 ， 如圖所示： 允許輸出和片選邏輯 CE A0~A12 Y譯碼 X譯碼 輸出緩沖 Y門 8K?8位 存儲(chǔ)矩陣 … OE 數(shù)據(jù)輸出 ... E2PROM的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是 擦除可以按字節(jié)分別進(jìn)行 （ 不像 EPROM擦除時(shí)把整個(gè)片子的內(nèi)容全變?yōu)?“ 1”） 。 特點(diǎn)： (3) 可直接執(zhí)行 由于省去了從磁盤到 RAM的加載步驟，查詢或等待時(shí)間僅決定于閃速存儲(chǔ)器，用戶可充分享受程序和文件的高速存取以及系統(tǒng)的迅速啟動(dòng)。 一般選高速存儲(chǔ)器 ， 避免需要在 CPU有關(guān)時(shí)序中插入 TW， 降低 CPU速度 ， 增加 WAIT信號(hào)產(chǎn)生電路 。
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