納米粉體ppt課件-文庫(kù)吧資料
2025-05-09 03:30本頁(yè)面
【正文】 種氣體叫做 成像氣體 。） 數(shù)量級(jí)時(shí) ， 位于表面上突出部分的原子將被電離 ，且以離子形式被 “ 蒸發(fā) ” 脫離母體表面 ， 這個(gè)過(guò)程稱(chēng)為 “ 場(chǎng)蒸發(fā) ” 。 納 米 科 技 第二節(jié) 電子光學(xué)表面分析方法 在納米測(cè)量中的應(yīng)用 五、原子探針場(chǎng)離子顯微鏡 工作原理和樣品制備 在場(chǎng)離子顯微鏡中 ， 樣品是做成針尖形 ， 但從微觀看針尖還是不規(guī)則的 。 納 米 科 技 第二節(jié) 電子光學(xué)表面分析方法 在納米測(cè)量中的應(yīng)用 五、原子探針場(chǎng)離子顯微鏡 場(chǎng)離子顯微鏡 （ Field Ion Microscopy， FIM）是電子光學(xué)表面分析中能夠直接觀察到表面原子的分析技術(shù) 。 納 米 科 技 第二節(jié) 電子光學(xué)表面分析方法 在納米測(cè)量中的應(yīng)用 四、俄歇電子譜儀 在納米測(cè)量中的應(yīng)用 俄歇電子譜儀在納米薄膜的縱向分析、三維分析、多層膜的組分剖面分析等方面有突出的作用，但在空間分辨率上有缺點(diǎn)，因?yàn)槎硇娮拥姆磻?yīng)直徑在 1000nm（ 1μm），近期有望達(dá)到。 納 米 科 技 第二節(jié) 電子光學(xué)表面分析方法 在納米測(cè)量中的應(yīng)用 四、俄歇電子譜儀 測(cè)試原理 當(dāng)一個(gè)具有足夠能量的入射電子使內(nèi)層 K能級(jí)電子電離，該空穴立即就被 L2能級(jí)上的電子躍遷所填充，這個(gè)躍遷產(chǎn)生的多余能量 EkEL2可能由兩種形式釋放： ① 以特征 X射線形式釋放；②多余能量被 L2能級(jí)上的另一個(gè)電子吸收并從 L2 級(jí)發(fā)射出來(lái)，成為俄歇電子。 X射線顯微分析儀 納 米 科 技 第二節(jié) 電子光學(xué)表面分析方法 在納米測(cè)量中的應(yīng)用 四、俄歇電子譜儀 測(cè)試原理 當(dāng)電子探針作用于納米薄膜或納米晶塊體表面時(shí) ， 在深度為 ～ 2nm的區(qū)域會(huì)有俄歇電子發(fā)射 。電子探針儀采用適當(dāng)?shù)臋z測(cè)、計(jì)數(shù)系統(tǒng)就能達(dá)到成分分析的目的。當(dāng)入射電子束在樣品上掃描時(shí)，將在樣品的一定范圍內(nèi)激發(fā)產(chǎn)生特征 X射線訊號(hào)。 電子探針 納 米 科 技 第二節(jié) 電子光學(xué)表面分析方法 在納米測(cè)量中的應(yīng)用 三、電子顯微鏡和電子探針 激發(fā)出的各種信息，因信息不同，反映的激發(fā)范圍也不同： 電子探針 ?俄歇電子 發(fā)射區(qū)深度 ～ 2nm； ? 二次電子 發(fā)射區(qū)
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