配位場理論和配合物結(jié)構(gòu)-文庫吧資料
2025-05-06 12:06本頁面
【正文】 次強(qiáng) ② 在配位體所在 平面 作用 最弱 ④ 作用 較弱 ③ 在 XY平面有 部分 電子云 例： [Ni(CN)4]2 M L X Y d 軌道在 平面正方形場 的分裂 ―重心規(guī)則 ” 如： 6Dq*2+(4Dq)*3=0 球形場 正八面體場 6Dq 4Dq 正四面體場 平面正方形場 2. d軌道中電子的排布 ⑴ 分裂能 —高能 d軌道與 低能 d軌道間的 能量差 。 分裂能 正八面體場 自由金屬離子 球形場 6Dq 4Dq ⑵ 四面體場 例： [CoCl4]2 X、 Y、 Z 軸穿過面心。配位場理論和配合物結(jié)構(gòu) 配合物 (中心 )原子或離子 (周圍 )若干離子或分子 化學(xué)鍵 單核 配合物 雙核 配合物 Chapter 3 Ligend Field Theory and Coordinate Compound’s Structure 如 :Cu(NH3)6Cl2 如 :Mn2(CO)10 核 配位體 外界 絡(luò)合離子 （內(nèi)界） 化學(xué)鍵 ? 化學(xué)鍵 理論研究： 三大理論統(tǒng)稱為配位場理論 ① 價鍵理論（ VBT） 30’s Pauling 雜化軌道思想 離子型配合物 ② 晶體場理論（ CFT） 中心離子 靜電作用 配位體 ③ 分子軌道理論（ MOT） 核 軌道作用 配位體 30’s,倍臺和范弗利克 基本思想： 配位場 (晶體場 ) (多個 ) （各向異性） 167。 3－ 1 晶體場理論 配位體 (點(diǎn)電荷 ) 中心離子 d 軌道 例如： [Fe(CN)6]4 八面體場 [CoCl4]2 四面體場 [Ni(CN)4]2 平面正方形場 1. d 軌道能級的分裂 六個 配位體 置于 X、 Y、 Z的 正負(fù)軸上 . 核 置于坐標(biāo) 原點(diǎn) ⑴ 正八面體場 如 [Fe(CN)6]4 核 配位體 M的 5個 d軌道與配位體的作用 t2g 軌道電子云的極大值 對準(zhǔn) 配位體 eg 不對準(zhǔn) 配位體 dxy、 dyz、 dxz 軌道電子云的極大值 作用 強(qiáng) 能量上升較大 作用 弱 能量上升較小 d軌道在正 八面體場 中的分裂 配位場＝球形場＋不對稱的 微擾 場 Dq: 能量單位，與物質(zhì)種類有關(guān)。 核 置于原點(diǎn)， 配位體 位于立方體的頂點(diǎn)。 ① △ t≈4/9△ o ——高 自旋態(tài)和 低 自旋態(tài) 分裂能 成對能 ② 分裂能～配位體種類 光譜化學(xué)序列 IBrClF…H 2ONH3…CN [CrCl6]3 △ o=13600 cm1 [Cr(H2O)6]3+ △ o =17400 cm1 [Cr(NH3)6]3+ △ o =21600 cm1 [Cr(
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