擴散作業(yè)ppt課件-文庫吧資料
2025-05-05 02:54本頁面
【正文】 度 CS1和擴散系數(shù) D1均可確定，從而擴散時間 t1也可確定。 根據(jù)題意知： N型外延層的電阻率為 ? 經(jīng)驗值： T1=800~1000℃, t1?10min。 ② 利用 CS2和 T2及 t2計算出雜質(zhì)劑量 Q0，再根據(jù) Q0 與 t1的關系求出 t1。 cm ，要求基區(qū)硼擴散的 結(jié)深為 2?m，方塊電阻為 200Ω/□ ；現(xiàn)采用兩步擴散方式，試分別確定預淀積和 再分布的 溫度和 時間。 2143202151111106010/104222??????????????cmcmsscmCtDCtDQS o lS??所求的預沉積時摻入的雜質(zhì)總量為： (1)預沉積： 1112SCtDQ??根據(jù)A1 A2 A值與 NS/NB的關系曲線 5 . 8A104CCCC,4316320BSOlBS11??????????時，當對于余誤差分布，根據(jù)cmcmtDAxj 所求的預沉積時的結(jié)深為： mcmsscmtDAxj?6010/6215111???????????31962140001)(1)(1?????????????? ?cmcmcmQxCqQxdxxCxCjBnjjn ?,10QqRp???根據(jù) 所求的預沉積時的方塊電阻為： ???????????/1 6 3112142190cmscmCQqRp?查圖 C~?可知：當 C= 1019cm3，取 ?p =55cm2/s。 已知預沉積時間： t1=10min。 當 T2=1180℃ ， B的 D2= 1012cm2/s。 查圖 ρ~NB知，當 ρ = 解 : 根據(jù)題意知 晶體管基區(qū)硼擴散屬于兩步擴散 ： 預沉積 屬于 恒定表面源擴散 ，它遵循 余誤差分布 。 ????????? ??/112152190 cmscmCQqRn?01QqR n???根據(jù) 某硅集成電路采用的 N型外延層的電阻率為 ? 查圖 CSOl~T可知 , 當擴散 T=1200℃ ， CSOl=6 1019cm3 pSi n+Si pEPI nb pe 銻擴散 2 5 2 5 ρ~CB 的關系曲線 雜質(zhì)硅中的固
教學課件相關推薦
鄂ICP備17016276號-1