[工學(xué)]第5章_存儲(chǔ)器系統(tǒng)-文庫(kù)吧資料
2025-03-28 09:04本頁(yè)面
【正文】 Y/BUSY A 12 A 7 A 6 A 5 A 4 A 3 A 2 A 1 A 0 D 0 D 1 D 2 GND D 7 D 6 D 5 D 4 D 3 WE NC A 8 A 9 A 11 OE A 10 CE VCC 98C64A ? 8K 8bit芯片 ? 13根地址線（ A0 ~ A12） ? 8位數(shù)據(jù)線（ D0 ~ D7） ? 輸出允許信號(hào)（ OE） ? 寫(xiě)允許信號(hào)（ WE） ? 片 選信號(hào)（ CE） ? 狀態(tài)輸出端（ READY/BUSY） 57 工作方式 字節(jié)寫(xiě)入 ： 每一次寫(xiě)入一個(gè)字節(jié) 自動(dòng)頁(yè)寫(xiě)入：每一次寫(xiě)入一頁(yè) （ 1~ 32字節(jié)） 字節(jié)擦除：一次擦除一個(gè)字節(jié)（寫(xiě)入 FF） 片擦除：一次擦除整片 數(shù)據(jù)讀出： 編程寫(xiě)入 擦除 CE=0， OE=0， WE=1時(shí)，數(shù)據(jù)讀出。 上述存儲(chǔ)器容量不同，芯片管腳數(shù)可能不同。 D0~D7 OE CE VPP PGM GND D0~D7 A0 A12 A1 A12 A1 A0 C +5V A14 A13 1 B A G2A G1 G2B C Y0 LS138 amp。當(dāng)對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀操作時(shí)，接高電平。當(dāng)對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀操作時(shí)，接高電平。 OE輸出允許信號(hào)。 D0～ D78根數(shù)據(jù)線。它共有 28條引出線，包括 13根地址線、 8根數(shù)據(jù)線以及 4根控制信號(hào)線。用專用編程器寫(xiě)入程序或數(shù)據(jù)。 節(jié) 50 只讀存儲(chǔ)器（ ROM） 掩模 ROM 一次性可寫(xiě) ROM 可讀寫(xiě) ROM 分 類 EPROM（ 紫外線擦除） E2PROM（ 電擦除） 根據(jù)制造工藝不同，可分為 ROM、 PROM、 EPROM、 E2PROM等幾類。兩個(gè)這樣的模塊進(jìn)行 字?jǐn)U展 ，實(shí)現(xiàn) 128KB容量。 48 . 若用 4K 1bit的 DRAM組成 16K?8內(nèi)存 位字?jǐn)U展 CS0 WR/RD CS1 CS2 CS3 WR/RD WR/RD WR/RD D0 D1 D7 ………….. 8片 ………….. 8片 ………….. 8片 ………….. 8片 1 組 (4K 8bit) 2 組 (4K 8bit) 3 組 (4K 8bit) 4 組 (4K 8bit) 49 ? 若用 4K 1bit的 DRAM組成 16K?8內(nèi)存 位字?jǐn)U展 例：用 2164構(gòu)成容量為 128KB的內(nèi)存。WEORCSWEORCSY 3M E M W6 4 K x 8D 0 D 7～A 0 A 15～ A 0 A 15～D 0 D 7～6 4 K x 8M E M R?用兩片 64K 8位的 SRAM芯片構(gòu)成容量為 128KB的存儲(chǔ)器。 四、 存儲(chǔ)器擴(kuò)展 44 （二）存儲(chǔ)器的位擴(kuò)展、字?jǐn)U展、位字?jǐn)U展 保證兩片同時(shí)選中，一次讀寫(xiě)一個(gè)字節(jié)，每一個(gè)字節(jié)的 8位分為兩個(gè) 4位，存在兩個(gè)芯片中。 位結(jié)構(gòu)方式 ： 每個(gè)存儲(chǔ)單元存放一個(gè)或幾個(gè)二進(jìn)制位。常用 N*8形式描述。 刷新時(shí)禁止進(jìn)行讀寫(xiě)操作。 41 DRAM的工作過(guò)程 圖 517 DRAM2164的數(shù)據(jù)讀出時(shí)序圖 圖 518 DRAM2164的數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)序圖 行地址 列地址 有效讀出數(shù)據(jù) RAS CAS WE=1 DOUT 行地址 列地址 有效寫(xiě)入數(shù)據(jù) RAS CAS WE DIN 42 DRAM的刷新周期為 2– 8ms。 ? WE： 低電平時(shí)，為寫(xiě)入。 分別鎖存在 行地址 和 列地址鎖存寄存器中。 40 2164為 64K*1的DRAM芯片 ? A0 – A7： 8條地址輸入線。 但主要區(qū)別在地址線的數(shù)目不同，其他控制信 號(hào)一樣。 Y0 LS138 Y2 Y3 Y1 38 常用的 SRAM有 6116（ 2K*8）、 6264（ 8K*8）、 628128（ 16K*8）、 62256（ 32K*8） 等。 37 四片存儲(chǔ)器的空 間分別為： 00： 00000H—3FFFFH 01： 40000H—7FFFFH 10： 80000H—BFFFFH 11： C0000H—FFFFFH A19 A18 XX XXXX XXXX XXXX A19A18 圖 514 8256連接應(yīng)用圖 MSM8256 CS D0~D7 A0 A17 MEMW MEMR D0~D7 A0 A10 OE R/W CS MEMR MSM8256 CS D0~D7 A0 A10 OE R/W CS D0~D7 A0 A17 MEMW MSM8256 A19 A18 amp。 Y0 Y1 LS138 A13 A11 36 例題 2： 使用 SRAM8256芯片，設(shè)計(jì) 1MB的 RAM存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其地址為 00000HFFFFFH。 Y0 Y1 LS138 A13 A11 35 X X X A10 ? ? ? A0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13A12A11 Y0： 0 1 1 1 1 0 0 0 1 A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13A12A11 Y1： 78000H ? 787FFH X X X A10 ? ? ? A0 0 1 1 1 1 0 0 0 1 A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13A12A11 78800H ? 78FFFH 0 1 1 1 1 0 0 0 0 A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13A12A11 A19 A18 A17 A16 A15 A14 A12 amp。 34 SRAM6116 MEMR D0~D7 A0 A10 MEMW D0~D7 A0 A10 MEMW MEMR D0~D7 A0 OE A10 R/W CS D0~D7 A0 OE A10 CS R/W A19 A18 A17 A16 A15 A14 A12 amp。 33 例題 1： 使用 SRAM6116芯片，設(shè)計(jì) 4KB的 RAM存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其地址為 78000H78FFFH。 32 X X X X A12 ? ? ? ? ? ? A0 1 X 1 X 1 1 1 A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 四個(gè)地址范圍指向同一 個(gè)存儲(chǔ)器空間 部分地址譯碼的特點(diǎn)： 電路簡(jiǎn)單，但地址重復(fù)嚴(yán)重， 占用地址范圍多，適用于存儲(chǔ)器芯片較少的場(chǎng)合。 圖 510 6264的部分地址譯碼連接圖 8088系統(tǒng) BUS CS2 OE D0~D7 A0 A12 MEMR MEMW D0~D7 SRAM6264 A0 A12 WE +5V CS1 A19 A17 A15 A14 A13 amp。 Y0 0000 0000 0XXX XXXX XXXX Y1： 0000 0000 1XXX XXXX XXXX A19 A11 A0 譯碼電路舉例： Y1 Y0 O O …. O O IO/M A19 A14 A13 A12 A11 + 5V 74LS138 O O C B A G2B G2A G1 31
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