【正文】 1 0 1 1 C口地址 0 1 1 0 0 計(jì)數(shù)器低 8位 0 1 1 0 1 計(jì)數(shù)器高 8位 線(xiàn)選法 【 例 51】 編寫(xiě)程序，將圖 528中 8155內(nèi)部 40H單元中的 X送到A口輸出 ORG 0000H MOV DPTR, 0100H 。 其實(shí)質(zhì)是按不同的地址來(lái)選中不同的芯片 線(xiàn)選法 譯碼法 全譯碼 部分譯碼 (4)地址譯碼與地址范圍分配 單片機(jī)一般采用地址線(xiàn)實(shí)現(xiàn)片選控制 ① 線(xiàn)選法 即將 CPU的低位地址線(xiàn)與芯片的同名地址線(xiàn)相連，而將CPU余下的高位地址線(xiàn) （ 或經(jīng)反相器）分別 接 到各存儲(chǔ)器芯片的 片選 端來(lái)區(qū)別各個(gè)芯片的地址的方法。 ? 在實(shí)際應(yīng)用中 根據(jù) 擴(kuò)展存儲(chǔ)器的容量 需要確定 所用的根數(shù)。 C2稱(chēng)為分布電容。 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RAM （ 1）靜態(tài) RAM的工作原理 V C C Y X D D T2導(dǎo)通、 T1截止時(shí)，Q=1的狀態(tài)稱(chēng)為 1狀態(tài) （ 2）動(dòng)態(tài) RAM的工作原理 C 1 Q 1 X 地址選擇線(xiàn) A C 2 Q 2 Y 地址選擇線(xiàn)DC1為極間電容，也稱(chēng)存儲(chǔ)電容。 （ 2 ） PROM存儲(chǔ)器原理 字地址寄存器和譯碼器0 字線(xiàn)WEc存儲(chǔ)陣列RcD 7 （ Dn ）T 1T 2DWD 0讀寫(xiě)控制電路31 字線(xiàn)W W W W W W WEc RcEcA 0A 1A 2A 3A 4熔絲通“ 1” （ 3 ） EPROM的工作原理 ① UVEPROM 紫外線(xiàn)擦除 FAM OS源漏位線(xiàn)字線(xiàn)T 1T 2VC CT 3若浮置柵內(nèi)無(wú)電荷，表示管內(nèi)存 1 ② EEPROM電擦除 1987年首次出現(xiàn) ，是 UVEPROM和 EEPROM結(jié)合的產(chǎn)物 存儲(chǔ)容量不斷發(fā)展，制造工藝不斷提高。 (1)掩模 ROM 讀原理 ：由地址線(xiàn)先選中相應(yīng)的字線(xiàn)（為高電平），掩模 ROM存儲(chǔ) “ 0”或 “ 1”是由存儲(chǔ)單元中各位是否有MOS管決定（有為 0，無(wú)為 1）。 nvSRAM： 新型非易失性靜態(tài)讀寫(xiě)存儲(chǔ)器，由美國(guó) 96年推出，可靠性高，號(hào)稱(chēng) “ LOW COST” 新型動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器 ：專(zhuān)門(mén)用于大容量的系統(tǒng)機(jī)和工作站。具有 DRAM的高集成度和低成本的優(yōu)點(diǎn)，又有 SRAM 的存取速度以及 EPROM的非易失性。 只讀存儲(chǔ)器 ROM 掩膜 ROM PROM EPROM EEPROM 閃速存儲(chǔ)器 （ 3）新型存儲(chǔ)器： OTP ROM：是一種新型 PROM，已經(jīng)過(guò)測(cè)試性編程。 按編程方式分為三類(lèi) ： 掩模 ROM： 工廠(chǎng)批量寫(xiě)入 PROM ： 用戶(hù)寫(xiě)入，但只有一次。 按存取方式分： 靜態(tài) RAM（ SRAM）和 動(dòng)態(tài) RAM（ DRAM）。 ?雙極型晶體管體積小、重量輕、耗電少、壽命長(zhǎng)、可靠性高，已廣泛用于廣播、電視、通信、雷達(dá)、計(jì)算機(jī)、自控裝置、電子儀器、家用電器等領(lǐng)域，起放大、振蕩、開(kāi)關(guān)等作用。 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的擴(kuò)展 MCS51并行 I/O接口的擴(kuò)展 LED顯示器的設(shè)計(jì) 按鍵和鍵盤(pán)的設(shè)計(jì) 存儲(chǔ)器 擴(kuò)展、動(dòng)態(tài)顯示和鍵盤(pán)的實(shí)驗(yàn) 第 5章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及并行 I/O接口擴(kuò)展 32 Page 160208 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器基礎(chǔ) ? 內(nèi)存：磁芯存儲(chǔ)器 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 ? 外存： ?磁表面存儲(chǔ)器 光盤(pán)存儲(chǔ)器 ?磁鼓、磁帶和磁盤(pán) 1．半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類(lèi)和作用 ? 按工藝： 雙極型 MOS型 (場(chǎng)效應(yīng)管 ) ?雙極型晶體管是一種電流控制器件，電子和空穴同時(shí)參與導(dǎo)電。 ?同場(chǎng)效應(yīng)晶體管相比，雙極型晶體管開(kāi)關(guān)速度快，但輸入阻抗小，功耗大。 ? 按功能： ?RAM (SRAM、 DRAM 、 SDRAM) ?ROM (掩膜、 PROM、 EPROM、 FLASH) ? 易失性存儲(chǔ)器 非易失性存儲(chǔ)器 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的擴(kuò)展 （ 1） RAM 數(shù)據(jù)隨時(shí)讀寫(xiě)，讀則取之不盡、寫(xiě)則蓋舊換新。 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RAM 靜態(tài) RAM 動(dòng)態(tài) RAM （ 2） ROM存儲(chǔ)器 信息掉電不丟失。 EPROM： 可被反復(fù)擦寫(xiě)的 PROM ，按擦除方法又分為： a、紫外光擦洗 UVEPROM； b、電擦洗 EEPROM、（在線(xiàn)改寫(xiě)，字節(jié)擦或塊擦）； 閃速存儲(chǔ)器：存儲(chǔ)容量大、擦除和編程速度快。 FRAM： 非易失性鐵電存儲(chǔ)器，屬未來(lái)型。但其存取周期是有限的，向無(wú)限次發(fā)展。 ? （ 1）存儲(chǔ)容量 ? 存儲(chǔ)器能夠存儲(chǔ)的信息總量 . ? 存儲(chǔ)容量 =字?jǐn)?shù) ╳ 字長(zhǎng) 1K=210=1024 1M=220=1024K 1G=230=1024M 1T=240=1024G 2. 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的技術(shù)指標(biāo) （ 2）最大存取時(shí)間 ? 存儲(chǔ)器從接收到存儲(chǔ)單元的地址開(kāi)始 ,到讀出或?qū)懭霐?shù)據(jù)為止所需要的時(shí)間稱(chēng)為存取周期 ,該時(shí)間的上限值稱(chēng)為最大存取時(shí)間 （ 3）存儲(chǔ)器功耗 ? 存儲(chǔ)器功耗是指它在正常工作時(shí)所消耗的電功率 .該功率由 “ 維持功耗 ” 和 “ 操作功耗 ” 組成 （ 4）可靠性和工作壽命 ? 抗干擾能力強(qiáng)、壽命也較長(zhǎng) （ 5）集成度 ? 指在一塊數(shù)平方毫米芯片上能夠集成的晶體管數(shù)目，有時(shí)也以每塊芯片上集成的基本存儲(chǔ)電路個(gè)數(shù)來(lái)表征，故常以位 /片表示 3. 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的基本結(jié)構(gòu) 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器由存儲(chǔ)陣列、地址譯碼器、控制電路組成 （ 1）單譯碼編址存儲(chǔ)器 0讀 1寫(xiě) 片選 讀寫(xiě)控制 （ 2） 雙譯碼編址存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)陣列（ 2n m ）Y地址寄存器和譯碼器三態(tài)雙向緩沖器控制電路位線(xiàn)D 0D 7D 100A 0A p 1R / WCEOEX 地址寄存器和譯碼器17Y 地址選擇線(xiàn)2p 1X 地址選擇線(xiàn)ApA n 102np 10 存儲(chǔ)單元 ? 單譯碼編址存儲(chǔ)器的基本結(jié)構(gòu)與雙譯碼編址存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)類(lèi)似 ,區(qū)別在于 :地址譯碼器的結(jié)構(gòu)不同 ? 單譯碼編址存儲(chǔ)器用于小容量存儲(chǔ)器 ? 雙譯碼編址存儲(chǔ)器用于大容量存儲(chǔ)器 只讀存儲(chǔ)器 ROM 只讀存儲(chǔ)器 ROM 掩膜 ROM PROM EPROM EEPROM 閃速存儲(chǔ)器 ? 只讀存儲(chǔ)器具有非易失性和非易揮發(fā)性，又稱(chēng)固定存儲(chǔ)器或永久存儲(chǔ)器，常用于程序存儲(chǔ)。 其信息在制造芯片時(shí)寫(xiě)入。 ? 按接口種類(lèi)劃分： ? 標(biāo)準(zhǔn)的并行接口閃存： ?按三總線(xiàn)連接 ? NAND（與非）型閃存： ?引腳分時(shí)復(fù)用 ? 串行接口的閃存： ?通過(guò)一個(gè)串行數(shù)據(jù)輸入和一個(gè)串行數(shù)據(jù)輸出來(lái)和 CPU接口 （ 4）閃速存儲(chǔ)器 2. 典型 ROM芯片介紹 （ 1） UVEPROM ? Intel 27XX 型 號(hào) 容量 /KB 讀出時(shí)間 /ns 制 造 工 藝 所用電源 /V 管 腳 數(shù) 2716 2 300～ 450 NMOS +5 24 2732A 4 200～ 450 NMOS +5 24 2764 8 200～ 450 HMOS +5 28 27128 16 250～ 450 HMOS +5 28 27256 32 200～ 450 HMOS +5 28 27512 64 250～ 450 HMOS +5 28 (2) 2764 的引腳功能 (3)2764的工作方式 （ 2） EEPROM Intel 28 類(lèi) 別 容量 /KB 取數(shù)時(shí)間 /ns 字節(jié)擦除時(shí)間 /ms 讀入時(shí)間 /ms 讀操作電壓 /V 寫(xiě) /擦除操作電壓 VPP/V 2816 2 250 10 10 5 21 2816A 2 200/250 9～ 15 9～ 15 5 5 2817 2 250 10 10 5 21 2817A 2 200/250 10 10 5 5 2864A 8 250 10 10 5 5 A 7 A 6 A 5 A 4 A 3 A 2 A 1 A 0 D 0 D 1 D 2 GND A 8 VP P OE A 10 CE D 7 D 6 D 5 D 4 D 3 VC C 2816 A （ 2816 ） 2 1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 A 7 A 6 A 5 A 4 A 3 A 2 A 1 A 0 D 0 D 1 D 2 GND A 8 NC OE A 10 CE D 7 D 6 D 5 D 4 D 3 VC C NC WE A 9 NC R EADY / B US Y 2817 A （ 2817 ） 2 1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 15 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 13 14 16 17 18 （ 3）閃速存儲(chǔ)器 并行 Flash芯片 NC A 12A 7 A 6 A 5 A 4A 3A 2D 2 D 1 D 0 A 14 A 8 A 9 A 11 D 7 D 6 D 5D 4D 3VC C NC A 13 NC VP P 28 F 256 A 1A 0VS S A 10 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 1 15 16 31 30 29 28 26 25 24 23 22 21 20 19 32 18 17 WE W（ ）CE E（ ）OE G（ ）串行 Flash芯片： NC SK DI DO NC NC NC NC NC NC NC NC NC NC NC NC NC NC VC C NC NC NC NC NM 29 A040 / 080 2 1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 15 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 13 14 16 17 18 VS S NC NC NC CS隨機(jī)讀寫(xiě) 易失性 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RAM 靜態(tài) RAM 動(dòng)態(tài) RAM 雙極型 MOS型 靜態(tài) 容量小，不用刷新，依靠觸發(fā)器存儲(chǔ)信息；動(dòng)態(tài) 容量大，要刷新，依靠存儲(chǔ)電容存儲(chǔ)信息。 Q2為列選通管。 C1上有電荷表示存 1 ， C1上無(wú)電荷表示存 0 需刷新 2. 典型 RAM芯片介紹 （ 1）靜態(tài) RAM 型 號(hào) 存 儲(chǔ) 容 量 最大存取時(shí)間/ns 所 用 工 藝 所需電源/V 管 腳 數(shù) 2115A 1K 8 45～ 95 NMOS +5 16 2128 2K 8 150～ 200 HMOS +5 24 6116 2K 8 20